KR100299882B1 - 경계보호층을갖는메쉬를발생하는메쉬발생장치및그방법 - Google Patents

경계보호층을갖는메쉬를발생하는메쉬발생장치및그방법 Download PDF

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Abstract

경계 보호층 발생부, 메쉬점 배치부, 삼각 메쉬 발생부, 및 삼각 메쉬 검사부를 구비하는 메쉬 발생 장치에 있어서, 삼각 메쉬 발생부는 제 1 단계의 처리로서 임의의 삼각 메쉬에 의해 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생하고, 제 2 단계의 처리로서 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하고, 삼각 메쉬 검사부는, 삼각 메쉬 발생부의 제 1 단계의 처리가 완료된 후에 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지를 검사한다.

Description

경계 보호층을 갖는 메쉬를 발생하는 메쉬 발생 장치 및 그 방법 {A MESH GENERATION DEVICE AND ITS METHOD FOR GENERATING MESHES HAVING A BOUNDARY PROTECTIVE LAYER}
본 발명은 반도체 프로세스/장치 시뮬레이션을 이용하여 처리 대상인 반도체 장치의 영역에 메쉬를 발생하는 메쉬 발생 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 장치의 경계의 부근에 경계 보호층을 갖는 메쉬를 발생하는 메쉬 발생 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
프로세스 시뮬레이터를 사용하는 반도체의 제조 프로세스의 해석이나 장치 시뮬레이터를 이용한 트랜지스터의 전기 특성의 해석을 행하는 경우에, 피제조물인 반도체 장치에 있어서 불순물 분포나 전류 밀도, 및 그외의 물리량을 얻기 위하여확산 연속 방정식이나 푸아송 방정식 (Poisson equation) 등의 미분 방정식을 해석할 필요가 있다.
이러한 종류의 계산은 편미분 방정식으로 해석할 수 없으므로, 해석 영역을 작은 영역으로 분할하여 그 편미분 방정식을 이산화 (離散化) 하여 계산을 수행한다. 편미분 방정식의 이산화 방법에서는, 삼각 메쉬가 반도체의 복잡한 형상을 정확하게 표현할 수 있으므로, 삼각 메쉬를 발생시켜 해석 영역을 작은 삼각 영역으로 분할하는 방법이 일반적으로 사용되고 있다.
그러나, 이 삼각 메쉬가 MOSFET 의 시뮬레이션에 사용되면 큰 문제가 발생한다. 즉, 경계 (Si-SiO2)를 따라 평행으로 일정한 전류가 흐른다. 이것은 장치 시뮬레이션에서 경계상의 메쉬 에지에 전류가 흐르는 것을 나타낸다. 그러나, 임의로 형성된 삼각 메쉬에서는, 경계상의 메쉬 에지에서의 단면적이 너무 불규칙하여 경계 (Si-SiO2)를 따라 평행으로 일정한 전류가 흐르는 것을 표현할 수 없다. 그러므로, 정확한 시뮬레이션을 실행할 수 없는 문제점이 발생한다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 삼각 메쉬 대신에 국부적인 직교 메쉬, 즉, 경계 보호층을 발생하므로써 경계상의 메쉬 에지의 단면적을 일정하게 하는 것이 유효하다. 경계 보호층을 발생하는 것에 의해 메쉬에 기인하는 기생 저항을 제거하는 방법에 있어서는, 예를 들어, "a Triangular Mesh Generation Method Suitable for the Analysis of Complex MOS Device Structures" (구모시로/요꼬따, NUPAD V, pp. 167-170) 나 일본 특개평 7-161962 호 "메쉬 발생 방법" 에 개시되어있다.
이하, 종래 기술에 의한 경계 보호층을 갖는 메쉬를 발생하는 메쉬 발생 방법을 설명한다. 도 10 은 종래 기술에 의한 경계 보호층을 갖는 메쉬를 발생하는 동작을 설명하는 플로우챠트이다.
도 10을 참조하면, 먼저, 경계를 형성하는 경계 선분에 대하여 국부적으로 정합된 직교 메쉬로 형성된 경계 보호층을 발생한다 (901 단계). 경계 보호층 발생의 예를 도 11(A) 에 나타내었다. 발생된 경계 보호층으로부터 미리 정한 기준 거리 이상만큼 떨어진 거리의 영역내에 메쉬점을 배치한다 (902 단계). 메쉬점 배치의 예를 도 11(B) 에 나타내었다.
다음으로, 메쉬점은 서로 결합하여 삼각 메쉬를 발생한다 (903 단계). 삼각 메쉬 발생의 예는 도 11(C) 에 나타내었다. 삼각 메쉬를 발생하기 위하여, 주목하는 브랜치 (이하, 주목 브랜치라 한다) 의 끝점의 메쉬점과 브랜치 부근의 메쉬점을 접속할 때, 브랜치와 메쉬점에 의해 형성된 예상각이 최대가 되도록 메쉬점을 선택하는 방법이 사용된다. 이하, 이 방법은 "예상각 최대법" 이라 한다. 이 방법은 일본 특개평 7-219977 호의 "메쉬 발생법" 에 개시되어 있다.
"예상각 최대법" 은 도 13을 참조하여 간략히 설명한다.
도 13 에 나타낸 바와 같이, 선분 (A11-B11)을 주목 브랜치로 하고, 주목 브랜치에 접속가능한 메쉬점 (C11, D11, E11, F11) 이 4 개인 경우를 고려하면, 메쉬점 (C11, D1, E11, F11) 의 각각과 주목 브랜치의 끝점인 메쉬점 (A11, B11)을 일시적으로 접속하여 예상각이 최대가 되도록 메쉬점을 선택한다.
"예상각" 은 예를 들어 메쉬점 (C11) 에 관하여 ∠A11C11B11을 의미한다. 현 (A11B11) 은 공통이므로, 현 (A11B11) 과 메쉬점에 의해 형성된 삼각형 (삼각 메쉬) 의 외접원의 반경이 최소가 되도록 메쉬점을 선택하면, "예상각" 은 최대가 된다. 그러므로, 도 3 의 경우에 있어서, 현이 메쉬점 (C11) 에 접속되면, "예상각" 은 최대가 된다. 외접원의 반경이 최소가 되도록 메쉬점을 선택하므로, △A11B11C11 내에 다른 메쉬점이 포함되지 않는다. 그러므로, 들로네 (Delaunay) 분할이 효과적으로 수행될 수 있다. 외주부로부터 영역내를 향하여 처리될 영역상에 나사 형상으로 삼각 메쉬를 발생시키는 것이 가능하다.
상술한 방법으로 삼각 메쉬를 발생한 후에, 발생된 삼각 메쉬중에 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬를 탐색한다 (904 단계). 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 존재하면, 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬점의 영역내의 메쉬점을 경계 선분상에 사영 (射影) 하고 사영점을 새로운 메쉬점으로서 추가한다 (905 단계). 새로운 메쉬점의 추가의 예는 도 11(D) 에 나타내었다. 901 단계로 복귀되어, 새로운 사영점이 발생되지 않을 때까지 단계 (901 내지 905) 의 처리를 반복적으로 수행한다.
단계 (904)에서 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 존재하지 않으면, 경계 보호층을 갖는 메쉬를 발생하는 모든 처리를 완료한다. 상술한 방법으로 발생된 메쉬의 예를 도 12 에 나타내었다.
상술한 바와 같이, 반도체 장치의 영역에 경계층을 갖는 메쉬를 발생하므로써 제어 크기의 경계에 대하여 법선 방향의 단면적을 일정하게 하는 것이 가능하다. 그러므로, 임의의 방향으로 경계 (Si-SiO2) 를 갖는 MOSFET 상에서 메쉬에 의해 발생되는 기생 전류를 발생시키지 않고 반전층 전류를 정확히 계산할 수 있다.
그러나, 상술한 종래의 메쉬 발생 방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
종래의 메쉬 발생 방법에 있어서, 영역내의 삼각 메쉬의 발생을 완료한 후에 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬의 탐색이 수행된다. 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는 경우, 발생된 삼각 메쉬는 모두 파괴되고, 제 1 단계후에 메쉬 발생을 다시 수행한다. 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 검출될때마다 모든 삼각 메쉬의 발생이 다시 수행되면, 영역내의 삼각 메쉬와 같이 경계 보호층을 파괴할 가능성이 없는 삼각 메쉬가 반복적으로 발생하는 불필요한 처리를 수행하게 된다.
메쉬 발생 처리에 있어서, 처리에 소비되는 시간은 메쉬점의 수가 증가함에 따라 증가된다. 그러므로, 상기 불필요한 처리의 반복은 너무 많은 시간을 낭비하고 효율이 감소한다.
본 발명은 경계 보호층을 갖는 삼각 메쉬의 발생 처리를 고속화하고 효율이 개선된 메쉬 발생 장치 및 메쉬 발생 방법을 제공하는 것이다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 의한 메쉬 발생 장치의 구성을 나타내는 블록도.
도 2 는 실시예의 동작을 나타내는 플로우챠트.
도 3 은 도 2 의 메쉬 발생의 과정을 나타내는 도면.
도 4 는 실시예의 메쉬 발생 방법의 예를 나타내는 플로우챠트.
도 5 는 실시예의 메쉬 발생 방법의 다른 예를 나타내는 플로우챠트.
도 6 은 실시예에 의한 경계 보호층을 파괴할 수 있는 제한 영역에 삼각 메쉬를 발생한 결과를 나타내는 도면.
도 7 은 본 실시예와 종래 기술에 의한 경계 보호층을 갖는 삼각 메쉬의 발생 속도의 비교를 나타내는 도면.
도 8 은 경계 보호층이 1 층인 경우에 형상특징점 부근에 메쉬점의 배치 조건을 나타내는 설명도.
도 9 는 경계 보호층이 2층인 경우에 형상특징점 부근의 메쉬점의 배치 조건을 나타내는 설명도.
도 10 은 종래의 메쉬 발생 방법을 나타내는 플로우챠트.
도 11 은 도 10 의 메쉬 발생 과정을 나타내는 도면.
도 12 는 종래 기술에 의한 삼각 메쉬를 발생한 결과를 나타내는 도면.
도 13 은 삼각 메쉬 발생 방법을 설명하는 도면.
*도면의주요부분에대한부호의설명*
10: 경계 보호층 발생부
20: 메쉬점 배치부
30: 삼각 메쉬 발생부
40: 삼각 메쉬 검사부
본 발명의 제 1 형태에 의하면, 처리될 반도체 장치의 영역에 메쉬를 발생하는 메쉬 발생 장치는
반도체 장치의 경계 부근에 경계 보호층을 발생하고 필요한 메쉬점을 배치하는 경계 보호층 발생 수단,
반도체 장치의 영역내에서 경계 보호층으로부터 소정의 기준 거리 이상 떨어진 위치에 메쉬점을 발생하는 메쉬점 배치 수단,
경계 보호층 발생 수단과 상기 메쉬점 배치 수단에 의해 배치된 메쉬점 사이의 접속을 통해 삼각 메쉬를 발생하는 삼각 메쉬 발생 수단, 및
삼각 메쉬 발생 수단에 의해 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 삼각 메쉬 검사 수단을 구비하고,
삼각 메쉬 발생 수단은 삼각 메쉬의 발생 처리를 2 단계로 분할하여 수행하고,
제 1 단계의 처리에서, 임의의 삼각 메쉬에 의해 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역에 제한적으로 삼각 메쉬를 발생하고,
제 2 단계의 처리에서, 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하고,
삼각 메쉬 검사 수단은, 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 1 단계의 처리가 완료된 후에, 그 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사한다.
바람직한 구성에 있어서, 삼각 메쉬 검사 수단에 의한 검사 결과로서 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 존재하는 것으로 판단된 경우에, 경계 보호층 발생 수단은 삼각 메쉬의 메쉬점중에 경계 보호층을 형성하지 않는 메쉬점을 경계 보호층을 형성하는 경계 보호선상에 사영하여 새로운 메쉬점을 설정하고,
경계 보호층 발생 수단에 의해 새로운 메쉬점이 설정되면, 삼각 메쉬 발생수단은 삼각 메쉬 검사 수단에 의해 검사될 삼각 메쉬를 파괴하고 제 1 단계의 처리에 의해 새롭게 삼각 메쉬를 발생한다.
바람직한 구성에 있어서, 삼각 메쉬 발생 수단은 제 1 단계 처리로서,
임의의 삼각 메쉬에 의해 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역으로 제한하여 반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측으로 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하여 활성도를 설정하고,
활성도를 설정한 브랜치가 존재하지 않을 때까지, 순차적으로, 선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생한다.
바람직한 구성에 있어서, 삼각 메쉬 발생 수단을 제 1 단계의 처리로서,
반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측을 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하고,
경계 보호층을 형성하는 메쉬점을 포함하지 않는 최초의 삼각 메쉬가 발생할 때까지, 순차적으로, 선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생한다.
바람직한 구성에 있어서, 메쉬점 배치 수단은, 형상 특징점 부근에서 그 형상 특징점의 종류와 경계 보호층의 구조에 의해 결정된 소정의 조건에 기초하여 메쉬점을 배치한다.
또한, 메쉬점 배치 수단은, 형상 특징점 부근에서 그 형상 특징점의 종류와 경계 보호층의 구조에 의해 결정된 소정의 조건에 기초하여 메쉬점을 배치하고,
상기 삼각 메쉬 발생 수단은 제 1 단계의 처리로서,
반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측을향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하고,
경계 보호층을 형성하는 메쉬점을 포함하지 않는 최초의 삼각 메쉬가 발생할 때까지, 순차적으로, 선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생한다.
본 발명의 제 2 형태에 의하면,
처리될 반도체 장치의 경계 부근에 국부적인 직교 메쉬인 경계 보호층을 설정하여 필요한 메쉬점을 배치하는 경계 보호층 발생 수단과, 반도체 장치의 경계 보호층에 의해 둘러싸인 영역내에 메쉬점을 배치하는 메쉬점 배치 수단과, 메쉬점을 서로 접속하므로써 삼각 메쉬를 발생하는 삼각 메쉬 발생 수단과, 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 삼각 메쉬 검사 수단을 구비하는 메쉬 발생 장치에 의해 실행되는 메쉬 발생 방법으로서,
경계 보호층 발생 수단이 반도체 장치의 경계 부근에 경계 보호층을 발생하고 필요한 메쉬점을 배치하는 제 1 단계,
메쉬점 배치수단이 반도체 장치의 영역내에서 경계 보호층으로부터 소정의 기준 거리 이상 떨어진 위치에 메쉬점을 발생하는 제 2 단계,
삼각 메쉬 발생 수단이, 임의의 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역으로 제한하여 경계 보호층 발생 수단 및 메쉬점 배치 수단에 의해 배치된 메쉬점을 접속하여 삼각 메쉬를 발생하는 제 3 단계,
삼각 메쉬 검사 수단이 삼각 메쉬 발생 수단에 의해 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 제 4 단계, 및
삼각 메쉬 검사 수단에 의한 검사 결과, 경계 보호층을 파괴하는 임의의 삼각 메쉬를 검출하지 않은 경우에, 삼각 메쉬 발생 수단이 반도체 장치의 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하는 제 5 단계를 구비한다.
상술한 구성에 있어서, 메쉬 발생 방법은
삼각 메쉬 검사 수단에 의한 검사 결과, 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬를 검출한 경우에, 경계 보호층 발생 수단이 그 검출된 삼각 메쉬의 메쉬점 중에 경계 보호층을 형성하지 않는 메쉬점을 경계 보호층을 형성하는 경계 보호 선분상에 사영하여 새로운 메쉬점을 설정하는 제 6 단계를 더 구비하고,
제 6 단계를 실행한 후에, 제 1 단계로부터의 처리를 반복한다.
바람직한 구성에 있어서, 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 3 단계가
임의의 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역으로 제한하여 반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측으로 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하여 활성도를 설정하는 단계와,
선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생하는 단계와,
활성도를 설정한 브랜치가 잔존하는가를 판정하고, 잔존하면, 삼각 메쉬를 발생하는 단계로 되돌아가고, 잔존하지 않으면, 삼각 메쉬의 발생 처리를 완료하는 단계를 구비한다.
바람직한 다른 구성에 있어서, 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 3 단계가
반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측으로 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하는 단계와,
선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생하는 단계와,
경계 보호층을 형성하는 메쉬점을 포함하지 않는 삼각 메쉬를 발생하는가는 판정하고, 그 삼각 메쉬가 발생하지 않으면, 삼각 메쉬를 발생하는 단계로 되돌아가고, 발생하면, 삼각 메쉬의 발생 처리를 완료하는 단계를 구비한다.
본 발명의 다른 형태에 의하면, 처리될 반도체 장치의 경계 부근에 국부적인 직교 메쉬인 경계 보호층을 설정하여 필요한 메쉬점을 배치하는 경계 보호층 발생 수단과, 반도체 장치의 경계 보호층에 의해 둘러싸인 영역내에 메쉬점을 배치하는 메쉬점 배치 수단과, 메쉬점을 서로 접속하므로써 삼각 메쉬를 발생하는 삼각 메쉬 발생 수단과, 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 삼각 메쉬 검사 수단을 구비하는 메쉬 발생 장치를 실현하는 컴퓨터 시스템을 제어하는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 컴퓨터 판독 가능 메모리로서, 컴퓨터 프로그램은
경계 보호층 발생 수단이 반도체 장치의 경계 부근에 경계 보호층을 발생시키고 필요한 메쉬점을 배치하는 제 1 단계,
메쉬점 배치수단이 반도체 장치의 영역내에서 경계 보호층으로부터 소정의 기준 거리 이상 떨어진 위치에 메쉬점을 발생하는 제 2 단계,
삼각 메쉬 발생 수단이, 임의의 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역으로 제한하여 경계 보호층 발생 수단 및 메쉬점 배치수단에 의해 배치된 메쉬점을 접속하여 삼각 메쉬를 발생하는 제 3 단계,
삼각 메쉬 검사 수단이, 삼각 메쉬 발생 수단에 의해 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 제 4 단계, 및
삼각 메쉬 검사 수단에 의한 검사 결과, 경계 보호층을 파괴하는 임의의 삼각 메쉬를 검출하지 않은 경우에, 삼각 메쉬 발생 수단이 반도체 장치의 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하는 제 5 단계를 구비한다.
바람직한 구성에 있어서,
삼각 메쉬 검사 수단에 의한 검사 결과, 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬를 검출한 경우에, 경계 보호층 발생 수단이 그 검출된 삼각 메쉬의 메쉬점 중에 경계 보호층을 형성하지 않는 메쉬점을 그 경계 보호층을 형성하는 경계 보호 선분상에 사영하여 새로운 메쉬점을 설정하는 제 6 단계를 더 구비하고,
제 6 단계를 실행한 후에, 제 1 단계로부터의 처리를 반복한다.
바람직한 다른 구성에 있어서, 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 3 단계가
임의의 삼각 메쉬가 상기 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역으로 제한하여 상기 반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측을 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하여 활성도를 설정하는 단계와,
선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생하는 단계와,
활성도를 설정한 브랜치가 잔존하는가를 판정하고, 잔존하면, 삼각 메쉬를 발생하는 단계로 되돌아가고, 잔존하지 않으면, 삼각 메쉬의 발생 처리를 완료하는 단계를 구비한다.
바람직한 다른 구성에 있어서, 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 3 단계가
반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측을 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하는 단계와,
선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생하는 단계와,
경계 보호층을 형성하는 메쉬점을 포함하지 않는 삼각 메쉬를 발생하는가는 판정하고, 그 삼각 메쉬가 발생하지 않으면, 삼각 메쉬를 발생하는 단계로 되돌아가고, 발생하면, 삼각 메쉬의 발생 처리를 완료하는 단계를 구비한다.
본 발명의 다른 목적, 특징, 및 이점은 다음의 설명으로부터 명백해질 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명을 이해를 돕기 위하여 특정 세부 항목을 설명하였다. 그러나 본 발명에 관련된 기술에 숙련된 자는 특정한 세부 항목없이도 수행할 수 있다. 또한, 본 발명을 명백하게 하기 위하여 공지의 구조는 설명하지 않았다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 의한 메쉬 발생 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 1 에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 메쉬 발생 장치는 처리될 반도체 장치의 경계 부근에 국부적인 직교 메쉬인 경계 보호층을 설정하고 필요한 메쉬점을 배치하는 경계 보호층 발생부 (10) 와, 반도체 장치의 경계 보호층에 의해 둘러싸인 영역내에 메쉬점을 배치하는 메쉬점 배치부 (20) 와, 메쉬점을 서로 접속하여 삼각 메쉬를 발생하는 삼각 메쉬 발생부 (30) 와, 발생된 임의의 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지를 검사하는 삼각 메쉬 검사부 (40) 를 구비한다. 도 1 은 실시예의 특징적 구성요소만을 나타내고, 일반적인 다른 구성요소는 생략하였다.
본 실시예는 컴퓨터 시스템을 사용하여 구성된다. 각각의 구성요소는 예를 들어 프로그램 제어된 CPU 와 컴퓨터 프로그램 및 데이터를 기억하는 메모리 및 다른 기억 장치로 실현된다. 컴퓨터 프로그램은 시스템에 설치될 자기 디스크 또는 다른 기억 매체에 기억된다.
경계 보호층 발생부 (10) 는 처리될 반도체 장치의 경계 부근에 소정의 규칙에 기초하여 경계를 형성하는 경계 선분에 국부적으로 정합된 직교 메쉬에 의해 형성된 경계 보호층을 발생한다. 종래 기술에 의한 경계 보호층 발생의 규칙과 발생 방법이 이 실시예에 적용될 수 있다. 경계 보호층 발생부 (10) 는 메쉬 발생을 수행하지 않고 경계 보호층 (이하, "경계 보호점" 이라 한다)을 형성하는 메쉬점만을 배치한다. 경계 보호점을 포함하는 메쉬의 발생은 삼각 메쉬 발생부 (30) 에 의해 수행된다.
필요에 따라, 경계 보호층 발생부 (10) 는 삼각 메쉬가 이미 발생한 경계 보호층상의 소망의 선분에 새로운 메쉬를 배치한다. 후술하는 바와 같이, 경계 보호층이 임의의 삼각 메쉬에 의해 파괴되면, 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬의 메쉬점은 경계 보호층상의 새로운 메쉬점으로 간주되는 경계 보호층을 형성하는 선분상에 사영된다. 메쉬점이 새롭게 배치되면, 삼각 메쉬 발생이 삼각 메쉬 발생부 (30) 에 의해 다시 수행된다.
메쉬점 배치부 (20) 는 경계 보호층 발생부 (10) 에 의해 발생된 경계 보호층 (이 시점에서는, 경계 보호층) 으로부터 기준 거리이상만큼 떨어진 위치에 메쉬점 (이하, 이들 메쉬점을 "영역내 메쉬점" 이라 한다) 을 배치한다. "기준거리" 는 배치하는 영역내 메쉬점이 경계 보호층내에 존재하지 않는 거리를 의미한다."기준 거리" 를 "γnormal" 로 하면, 예를 들어 다음의 식 (1) 이 얻어진다.
γnormal= Num × d +ε
여기서, "γnormal" 는 경계 선분으로부터의 거리이다. "Num" 은 경계 보호층의 수를 가리키고, "d" 는 경계 보호층의 한층당 두께를 가리키고, "ε" 은 경계 보호층으로부터 최저로 분리된 거리를 가리킨다.
그러나, 메쉬점이 형상 특징점 (sub-domain) 이면, 반도체 장치의 구성에 있어서, 후술하는 바와 같은 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬의 보정 처리를 수행하는 것이 불가능하다. 따라서, 메쉬점 배치부 (20) 는 형상 특징점과 같이 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 형성될 위치에 존재하는 메쉬점을 미리 제거한다. 이하, 경계 보호층이 1 층인 경우와 2 층인 경우를 예로 하여, 경계층을 파괴하는 삼각 메쉬를 발생하는 메쉬점을 제거하는 조건에 대하여 설명한다.
먼저, 경계 보호층이 1 층인 경우에 대하여 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8 에 있어서, 선분 (P7-Q7-R7) 을 물질 경계층으로, 점 (A7, B7)을 형상 특징점 (Q7) 으로부터 발생된 경계 보호점으로 간주한다. 이 경우, 삼각 메쉬가 △Q7A7B7 이면, 경계 보호층을 파괴하지 않는다. 그러나, △Q7C7B7 의 외접원 (O72) 내에 영역내 메쉬점 (C7) 이 존재하는 경우에는, 예상각 최대법을 사용한 삼각 메쉬 발생에 의한 △Q7C7B7 과 같은 삼각 메쉬를 발생시키도록 메쉬점 (C7) 가 선택된다. 이 삼각 메쉬는 경계 보호층을 파괴한다.
이와 같은 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬를 발생하는 것을 방지하기 위하여, △Q7C7B7 의 외접원 (O72) 내에 메쉬점을 배치하지 않아야 한다. 간단한 방법으로, 외접원 (O72) 을 포함하는 원 (O71)을 가정하면, 그 원 (O71) 내에 경계 보호층을 형성하는 메쉬점을 제외한 모든 메쉬점을 배치하지 않는다.
다음으로, 도 9를 참조하여 경계 보호층이 2 층 인 경우를 설명한다. "경계층이 2 층" 인 도 9 의 경우에 있어서, "경계 보호층이 1 층" 인 도 8 의 경우와 마찬가지로, 선분 (P8-Q8-R8) 은 물질 경계로, 점 (A8, C8, B8, D8) 은 형상 특징점 (Q8) 로부터 발생된 경계 보호점으로 간주된다. 점 (E8) 과 같은 메쉬점이 원 (O82) 위 또는 원 (O82) 내에 존재하면, 예상각 최대법을 사용하는 삼각 메쉬 발생에 의해 △Q8C8E8 등의 삼각 메쉬가 발생한다. 이 삼각 메쉬는 경계 보호층을 파괴한다.
또한, 이 경우에도, 상술한 경계 보호층이 1 층인 경우와 유사하게 외접원 (O82) 에 영역내 메쉬점을 배치하는 것을 방지하거나 또는 간단한 방법으로 원 (O81) 이 외접원 (O82)을 포함하는 것으로 가정하여 원 (O81) 에 메쉬점을 배치하지 않고 경계 보호층을 형성하는 메쉬점만니 존재하도록 한다 "γboundary" 인 원 (O81) 의 반경은 다음의 식 (2) 에 의해 얻어진다.
Figure pat00001
여기서, "θ" 는 형상특징점과 경계 보호층상의 인접한 메쉬점과 접속함으로써 형성된 내각이다.
식 (2) 에 의해 결정된 원 (O81) 내에 배치되는 메쉬점이 없으면, 형상 특징점으로부터 발생된 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬를 발생하는 것을 방지할 수 있다.
삼각 메쉬 발생부 (30) sms 처리될 반도체 장치의 영역내에 배치된 메쉬점 (경계 보호점과 영역내의 메쉬점을 포함) 을 서로 접속함으로써 삼각 메쉬를 발생한다. 삼각 메쉬 발생은 2 단계로 분할되어 수행된다. 즉, 제 1 단계에서, 삼각 메쉬는 경계 보호층 위와 임의의 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생한다. 다시 말하면, 경계 보호점을 갖는 삼각 메쉬가 제 1 단계의 처리에 의해 발생된다. 후술하는 바와 같이 삼각 메쉬 검사부 (40) 에 의한 검사를 기다려 검사부 (40) 가 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 없다고 판단되면, 2 단계로서 잔존하는 영역내의 메쉬점을 서로 접속하므로써 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생한다. 이하, 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생하는 방법을 설명한다.
삼각 메쉬 발생부 (30) 가 제 1 단계의 처리에 의해 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역에 삼각 메쉬를 발생하는 단계에서, 삼각 메쉬 검사부 (40) 는 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬를 탐색한다. 경계 보호층이 삼각 메쉬에 의해 파괴되는 지의 여부는 삼각 메쉬의 변을 구성하는 브랜치중 영역내 메쉬점과 경계 보호점을 접속하는 브랜치의 존재에 의존한다. 즉, 그러한 브랜치의 존재는 한변으로서 브랜치를 갖는 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴한 것을 가리킨다.그러한 브랜치의 부재는 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 존재하지 않는 것을 가리킨다. 여기서 판단된 경계 보호점은 경계 보호층의 가장 내부측에 배치된 경계 보호점을 제외한 다른 경계 보호점이다. 경계 보호층의 가장 내측에 배치된 경계 보호점을 함께 접속하는 브랜치가 경계 보호층의 내부 한계를 가리키므로, 다른 경계 보호점에 접속된 영역내 메쉬점의 존재는 삼각 메쉬가 경계 보호층의 내부 한계로부터 발생되는 것을 가리킨다.
다음으로, 본 실시예의 동작을 설명한다. 도 2 는 본 실시예에 의한 삼각 메쉬 발생의 처리를 나타내는 플로우챠트이다.
도 2를 참조하면, 경계 보호 발생부 (10) 는 처리될 반도체 장치를 형성하는 경계선 부근에 경계 보호층을 발생한다 (201 단계). 경계 보호층의 예는 도 3(A) 에 나타내었다.
메쉬점 배치부 (20) 는 경계 보호층 발생부 (10) 에 의해 발생된 경계 보호층으로부터 기준 거리이상 떨어진 영역내에 메쉬점을 배치한다 (202 단계). 메쉬점 배치의 예는 도 3(B) 에 나타내었다. 기준 거리는 상술한 식 (1) 로부터 얻어진다. 상술한 바와 같이, 경계 보호층을 형성하는 메쉬점 이외의 메쉬점, 즉, 영역내 메쉬점은 일정 범위에서 형상 특징점 부근의 영역으로부터 제거된다.
삼각 메쉬 발생부 (30) 는 제 1 단계의 처리로서 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생한다 (203 단계). 삼각 메쉬 발생의 예는 도 3(C) 에 나타내었다.
삼각 메쉬 검사부 (40) 는 단계 (203)에서의 제한 영역에 발생된 삼각 메쉬중에 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 존재하는지를 판단한다. 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 검출되면, 메쉬점 배치부 (20) 는 경계 선분상에 삼각 메쉬의 영역내 메쉬점을 사영하여 경계 선분상의 새로운 메쉬점으로 한다 (205 단계). 새로운 메쉬점의 예는 도 3(D) 에 나타내었다. 메쉬점이 경계 선분상에 새롭게 삽입되므로, 경계 선분상의 메쉬점에 의해 발생된 경계 보호층을 재발생하는 것이 필요하다. 그러므로, 단계 (201) 로부터의 처리가 다시 수행된다.
경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 존재하지 않거나 단계 (201) 로부터 단계 (205) 로의 처리가 반복됨으로써 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 완전히 제거된 경우에, 삼각 메쉬 발생부 (30) 은 제 2 단계로서 모든 메쉬점을 함께 접속하여 반도체 장치의 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생한다 (206 단계). 삼각 메쉬를 발생하는 결과의 예를 도 3(E) 에 나타내었다.
상술한 바와 같이, 본 실시예의 메쉬 발생 처리에 의하면, 제 1 단계의 처리로서 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역으로 제한하여 삼각 메쉬 발생부 (30) 가 제한된 영역에 삼각 메쉬를 발생한다. 삼각 메쉬 검사부 (40) 는 이 영역내의 임의의 삼각 메쉬에 의해 경계 보호층이 파괴되는지의 여부를 검사한다. 따라서, 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬를 검출하므로, 경계 보호층과 삼각 메쉬의 발생이 다시 수행되어도, 제한된 영역상의 삼각 메쉬와 경계 보호층만이 재발생된다. 그러므로, 종래의 기술과는 달리, 경계 보호층이 파괴될 가능성이 없는 영역에 삼각 메쉬 발생을 반복할 필요가 없고, 메쉬 발생에 소비되는 시간을 줄일 수 있다.
다음으로, 삼각 메쉬 발생부 (30) 에 의한 제 1 단계의 동작을 설명한다. 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생하는 동작을 설명한다 (도 2 의 단계 (203)를 참조).
도 4 는 본 실시예에 의한 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생하는 동작의 예를 나타내는 플로우챠트이다. 본 예에서, 삼가 메쉬의 각각의 변을 형성하는 각각의 브랜치를 설정하는 활성도를 사용하여, 경계 보호층을 형성하는 메쉬점을 포함하는 삼각 메쉬의 발생이 완료될때까지 삼각 메쉬 발생을 반복한다. 활성도는 브랜치와 메쉬점을 접속하여 삼각 메쉬가 발생되는지의 여부를 가리키는 지표이다. 삼각 메쉬를 발생할 수 있으면, 활성으로 설정된다. 활성으로 설정된 브랜치의 수가 활성도 카운터의 카운트값으로 표시된다. 예를 들어, 삼각 메쉬가 모든 영역에 걸쳐 발생되면, 활성도 카운터의 카운트값은 "0" 이 된다.
도 4를 참조하면, 물질 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치를 선택하여 활성으로 설정한다 (301 단계). 활성으로 설정된 브랜치는 삼각 메쉬를 발생하는 초기 위치, 즉, 영역의 단부로부터 내부를 향하여 나사 형상으로 삼각 메쉬를 발생하기 위한 시작 위치에 있다.
그후, "예상각 최대법"을 사용하여, 활성으로 설정된 브랜치에 인접한 메쉬점을 접속하므로써 각각의 삼각 메쉬를 발생한다 (302 단계). 삼각 메쉬 발생의 시작 위치가 삼각 메쉬를 발생하는 영역의 외주부에 위치하므로, 삼각 메쉬는 외주부로부터 영역의 내부로 향하여 나사 형상으로 발생될 수 있다.
다음으로, 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호점을 포함하는가의 여부를 판단한다 (303 단계). 삼각 메쉬가 경계 보호점을 포함하면, 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역내에 삼각 메쉬가 존재한다. 단계 (304) 단계후의 처리에서 그 삼각 메쉬가 검사될 삼각 메쉬로서 등록된다.
구체적으로 말하면, 메쉬점과 삼각 메쉬에 사용되는 브랜치의 활성도와 경계 보호점의 활성도 카운터의 카운터값은 갱신된다 (304 와 305 단계). 다음으로, 경계 보호점을 포함하는 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지를 판단하는 판단 대상으로서 등록된다 (306 단계).
한편, 삼각 메쉬가 경계 보호점을 포함하지 않으면, 삼각 메쉬는 경계 보호층을 파괴할 가능성이 없다. 그러므로, 임의의 삼각 메쉬를 등록하지 않고 단계 (307) 단계로 진행한다.
발생된 삼각 메쉬가 경계 보호점을 포함하지 않는 것으로 판단되거나 (303 단계) 삼각 메쉬가 판단 대상으로 등록되면 (306 단계), 활성도 카운터값이 "0" 이 아닌 경계 보호점이 존재하는가를 검사한다 (307 단계). 단계 (304 와 305) 의 갱신 처리가 수행되면, 갱신후의 활성도 카운터의 카운터값은 자연적으로 검사된다. 활성 카운터값이 "0" 이 아닌 경계 보호점이 존재하면, 경계 보호점의 모든 활성도 카운터가 "0" 이 될 때까지 단계 (302 내지 306) 를 반복한다. 경계 보호점을 포함하는 브랜치의 모든 활성도 카운터가 "0" 이 되면, 삼각 메쉬 발생은 완료한다.
이 방법에 있어서, 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역에있어서, 활성으로 설정된 브랜치가 사라질때까지 삼각 메쉬 발생의 반복을 통해 경계 보호점을 포함하는 모든 삼각 메쉬는 적절히 발생된다.
도 5 는 본 실시예 의한 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생하는 동작의 다른 예를 나타내는 플로우챠트이다. 경계 보호층의 성질을 이용하여 경계 보호점을 포함하지 않는 초기 메쉬가 발생될때까지 삼각 메쉬 발생을 반복한다.
도 5를 참조하면, 단계 (401 내지 406) 의 동작은 상술한 도 4 의 단계 (301 내지 306) 단계와 동일하다. 이 예는, 삼각 메쉬가 검사될 삼각 메쉬로서 등록되는 단계 (406) 단계후 및 삼각 메쉬가 경계 보호점을 포함하는지를 판단하는 단계 (403) 후에 활성도 카운터가 "0" 이 아닌 경계 보호점이 존재하는지를 판단하는 단계를 포함하지 않는다. 단계 (406) 에서 삼각 메쉬가 검사될 삼각 메쉬로서 등록된 후에, 동작은 삼각 메쉬가 발생되는 단계 (402) 로 복귀되고, 단계 (403)에서 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호점을 포함하는지를 판단한다.
경계 보호층을 형성하는 메쉬점은 물질 경계로부터 일정 거리의 범위에 존재한다. 이 특징을 이용하여, 삼각 메쉬가 물질 경계 부근으로부터 영역의 내부로 향하여 나사 형상으로 발생되면, 경계 보호층을 포함하는 삼각 메쉬를 최초로 완성한다. 따라서, 경계 보호점을 포함하지 않는 삼각 메쉬의 제 1 발생은 경계 보호점을 포함하는 모든 삼각 메쉬 발생이 완료하는 것으로 판단한다.
그러나, 이 동작예의 삼각 메쉬 발생법에 있어서, 삼각 메쉬는 형상 특징점상에 발생하지 않고 웨지 형상 공간으로 잔존하는 경우가 있다. 그러나, 이 실시예에 있어서, 메쉬점 배치부 (20) 는 상술한 바와 같이 형상 특징점 부근에 메쉬점을 배치하는 것을 제한하므로, 경계 보호층은 이 부분에서 파괴될 수 없다. 그러므로, 도 4 에 나타낸 삼각 메쉬 발생법과 마찬가지로 활성도를 사용하여 경계 보호점을 포함하는 모든 삼각 메쉬 발생이 완료되었는지를 판단 (307 단계) 할 필요가 없어 처리에 소비되는 시간을 더 감소시킬 수 있다.
도 6 은 본 실시예에 의한 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생한 결과의 예를 나타내는 도면이다.
도 6 에 나타낸 바와 같이, 경계 보호점이 각각 영역내 메쉬점에 접속되므로, 메쉬점 (511, 512, 513, 514) 과 경계 보호점을 접속하는 브랜치를 갖는 삼각 메쉬는 경계 보호층을 파괴한다. 메쉬 발생이 형상 특징점인 메쉬점 (501, 502) 상에서 수행되지 않아도, 경계 보호층을 파괴하는 메쉬점은 형상 특징점 부근에서 제거되어 파괴가 발생하지 않는다.
종래 기술에 있어서, 삼각 메쉬가 모든 영역에 걸쳐 발생한 후에 경계 보호층을 파괴하는 임의의 삼각 메쉬가 탐색된다. 그러므로, 도 12 에 나타낸 바와 같이 메쉬점 (1001, 1002, 1003, 1004) 과 경계 보호점을 각각 접속하는 브랜치를 갖는 삼각 메쉬 등의 경계 보호층을 파괴하는 임의의 삼가 메쉬가 존재하면, 도 12 의 발생된 삼각 메쉬가 모두 소거되고 새롭게 삼각 메쉬를 발생해야 하는 불필요한 처리가 있었다.
이에 대하여, 본 실시예에서는, 도 6 에 나타낸 바와 같이, 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생한 후에, 경계 보호층을파괴하는 임의의 삼각 메쉬를 탐색한다. 그러므로, 메쉬점 (511, 512, 513, 514) 과 경계 보호층을 각각 접속하는 브랜치를 갖는 삼각 메쉬등의 경계 보호층을 파괴하는 임의의 삼각 메쉬가 존재하면, 경계 보호층이 파괴될 영역으로 제한하여 발생된 삼각 메쉬만을 파괴하므로 경계 보호층을 파괴할 가능성이 없는 삼각 메쉬의 발생을 반복하는 불필요한 처리가 제거된다.
도 7 은 본 실시예와 종래 기술에 의한 경계 보호층을 갖는 삼각 메쉬의 발생 처리의 속도비를 표시하는 도면이다. 동일 조건하에서, 하나의 경계 보호층인 경우에, 종래 기술의 처리 시간을 "1" 로 하여 삼각 메쉬 발생에 소비되는 본 실시예와 종래 기술의 처리 시간비를 표시한다. 삼각 메쉬의 발생 과정에서 경계 보호층의 파괴가 2 회이고, 삼각 메쉬의 발생을 3 회 반복하는 경우를 표시한다.
도 7 의 실선에 있어서, 선 (601) 은 종래 기술에 의한 삼각 메쉬 발생 시간을 나타내고, 선(602) 은 본 실시예에 의한 삼각 메쉬 발생 시간을 나타낸다. 선 (603, 604) 은 본 실시예에 의한 삼각 메쉬 발생 처리의 2 단계에 대응한다. 선 (603) 은 제 2 단계로서 영역의 내부에 삼각 메쉬를 발생하는데 소비되는 시간을 나타낸다. 선 (604) 은 제 1 단계로서 경계 보호층이 파괴될 영역에만 삼각 메쉬를 제한적으로 발생하는데 소비되는 시간을 나타낸다. 종래 기술의 삼각 메쉬의 수가 1000 인 경우의 처리 시간을 기준으로 한다.
도 7 의 점선은 메쉬의 수가 Nm 으로 간주되는 경우의 O(Nm) 의 경사를 가리키고, 점선 (606) 은 O(√Nm) 의 경사를 가리킨다. 실선 (601) 에 의해 가리키는 바와 같이, 종래 기술에 의한 삼각 메쉬의 발생 처리에 있어서, 발생될 삼각 메쉬의 수가 많을수록 발생 시간이 길어져 이 선의 경사는 점선 (605) 의 경사와 거의 일치하게 된다. 실선 (604) 에 의해 가리키는 바와 같이, 발생된 삼각 메쉬 "Nmnew" 의 실제수가 "Nm∝√Nm" 으로서 표현되므로, 본 실시예에 의해 경계 보호층이 파괴될 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생하는 경우의 처리 시간은 점선 (606) 의 경사와 거의 일치한다.
삼각 메쉬수가 증가함에 따라 경계 보호층 이외의 영역에 삼각 메쉬를 발생시키는 하중이 증가하므로, 본 실시예에 의한 반도체의 영역에 삼각 메쉬가 완전히 발생할때까지 필요한 시간은 O(√Nm) 의 경사와 거의 일치한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 메쉬 발생 장치와 그 방법에 있어서, 삼각 메쉬 발생의 처리는 2 단계로 분할된다. 제 1 단계에서, 경계 보호층이 파괴될 영역으로 제한하여 삼각 메쉬를 발생하여 경계 보호층을 파괴하는 임의의 삼각 메쉬를 탐색한다. 필요하다면, 제 1 단계의 삼각 메쉬의 발생은 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 존재하지 않을때까지 재수행된다. 그후, 제 2 단계에서, 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하여 메쉬 발생을 완료한다. 그러므로, 경계 보호층을 파괴하는 임의의 삼각 메쉬가 존재하면, 파괴되는 삼각 메쉬를 제거하기 위하여 경계 보호층과 삼각 메쉬를 재생할 필요가 있고, 제 1 단계에서 발생된 경계 보호층이 파괴될 영역의 삼각 메쉬만을 재생한다. 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역에서의 삼각 메쉬 발생의 반복은 제 2 단계에서 수행되지 않는다. 따라서, 본 발명은 불필요한 처리를 수행하지 않으므로써 경계 보호층을 갖는 삼각 메쉬를 발생하는 처리를 고속화할 수 있고 효율을 개선할 수 있다.
특히, 산화 처리와 같이 처리될 장치 영역의 구성의 변화에 의한 삼각 메쉬의 많은 양의 영역의 발생에 필요한 시뮬레이션에 있어서, 시뮬레이션 시간이 매우 단축된다.
본 발명은 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 범위와 사상을 벗어나지 않는 한도내에서 본 기술에 숙련된 자에 의해 다양한 변형, 생략, 및 부가가 가능하다. 그러므로, 본 발명은 상기의 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며 첨부된 청구범위의 특징을 포함하는 범위내에서 실시할 수 있는 가능한 모든 실시예를 포함한다.

Claims (8)

  1. 반도체 장치의 경계 부근에 경계 보호층을 발생하고 필요한 메쉬점을 배치하는 경계 보호층 발생 수단,
    반도체 장치의 영역내에서 경계 보호층으로부터 적어도 소정의 기준 거리 이상 떨어진 위치에 메쉬점을 발생하는 메쉬점 배치 수단,
    상기 경계 보호층 발생 수단과 상기 메쉬점 배치 수단에 의해 배치된 메쉬점 사이의 접속을 통해 삼각 메쉬를 발생하는 삼각 메쉬 발생 수단, 및
    상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의해 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 삼각 메쉬 검사 수단을 구비하고,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단은 삼각 메쉬의 발생 처리를 2 단계로 분할하여 수행하고,
    제 1 단계의 처리에서, 임의의 삼각 메쉬에 의해 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역에 제한적으로 삼각 메쉬를 발생하고,
    제 2 단계의 처리에서, 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하고,
    상기 삼각 메쉬 검사 수단은, 상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 1 단계의 처리가 완료된 후에, 그 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하며,
    상기 삼각 메쉬 검사 수단에 의한 검사 결과로서 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬가 존재하는 것으로 판단된 경우에, 상기 경계 보호층 발생 수단은 삼각 메쉬의 메쉬점중에 경계 보호층을 형성하지 않는 메쉬점을 경계 보호층을 형성하는 경계 보호선상에 사영하여 새로운 메쉬점을 설정하고,
    상기 경계 보호층 발생 수단에 의해 새로운 메쉬점이 설정되면, 상기 삼각 메쉬 발생 수단은 상기 삼각 메쉬 검사 수단에 의해 검사될 삼각 메쉬를 파괴하고 제 1 단계의 처리에 의해 새롭게 삼각 메쉬를 발생하는 것을 특징으로 하는 처리될 반도체 장치의 영역에 메쉬를 발생하는 메쉬 발생 장치.
  2. 반도체 장치의 경계 부근에 경계 보호층을 발생하고 필요한 메쉬점을 배치하는 경계 보호층 발생 수단,
    반도체 장치의 영역내에서 경계 보호층으로부터 적어도 소정의 기준 거리 이상 떨어진 위치에 메쉬점을 발생하는 메쉬점 배치 수단,
    상기 경계 보호층 발생 수단과 상기 메쉬점 배치 수단에 의해 배치된 메쉬점 사이의 접속을 통해 삼각 메쉬를 발생하는 삼각 메쉬 발생 수단, 및
    상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의해 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 삼각 메쉬 검사 수단을 구비하고,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단은 삼각 메쉬의 발생 처리를 2 단계로 분할하여 수행하고,
    제 1 단계의 처리에서, 임의의 삼각 메쉬에 의해 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역에 제한적으로 삼각 메쉬를 발생하고,
    제 2 단계의 처리에서, 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하고,
    상기 삼각 메쉬 검사 수단은, 상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 1 단계의 처리가 완료된 후에, 그 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하며,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단은 제 1 단계 처리로서,
    임의의 삼각 메쉬에 의해 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역으로 제한하여 반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측으로 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하여 활성도를 설정하고,
    활성도를 설정한 브랜치가 존재하지 않을 때까지, 순차적으로, 선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생하는 것을 특징으로 하는 처리될 반도체 장치의 영역에 메쉬를 발생하는 메쉬 발생 장치.
  3. 반도체 장치의 경계 부근에 경계 보호층을 발생하고 필요한 메쉬점을 배치하는 경계 보호층 발생 수단,
    반도체 장치의 영역내에서 경계 보호층으로부터 적어도 소정의 기준 거리 이상 떨어진 위치에 메쉬점을 발생하는 메쉬점 배치 수단,
    상기 경계 보호층 발생 수단과 상기 메쉬점 배치 수단에 의해 배치된 메쉬점 사이의 접속을 통해 삼각 메쉬를 발생하는 삼각 메쉬 발생 수단, 및
    상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의해 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 삼각 메쉬 검사 수단을 구비하고,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단은 삼각 메쉬의 발생 처리를 2 단계로 분할하여 수행하고,
    제 1 단계의 처리에서, 임의의 삼각 메쉬에 의해 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역에 제한적으로 삼각 메쉬를 발생하고,
    제 2 단계의 처리에서, 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하고,
    상기 삼각 메쉬 검사 수단은, 상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 1 단계의 처리가 완료된 후에, 그 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하며,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단은 제 1 단계의 처리로서,
    반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측을 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하고,
    경계 보호층을 형성하는 메쉬점을 포함하지 않는 최초의 삼각 메쉬가 발생할 때까지, 순차적으로, 선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생하는 것을 특징으로 하는 처리될 반도체 장치의 영역에 메쉬를 발생하는 메쉬 발생 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한항에 있어서,
    상기 메쉬점 배치 수단은, 형상 특징점 부근에서 그 형상 특징점의 종류와 경계 보호층의 구조에 의해 결정된 소정의 조건에 기초하여 메쉬점을 배치하는 것을 특징으로 하는 메쉬 발생 장치.
  5. 반도체 장치의 경계 부근에 경계 보호층을 발생하고 필요한 메쉬점을 배치하는 경계 보호층 발생 수단,
    반도체 장치의 영역내에서 경계 보호층으로부터 적어도 소정의 기준 거리 이상 떨어진 위치에 메쉬점을 발생하는 메쉬점 배치 수단,
    상기 경계 보호층 발생 수단과 상기 메쉬점 배치 수단에 의해 배치된 메쉬점 사이의 접속을 통해 삼각 메쉬를 발생하는 삼각 메쉬 발생 수단, 및
    상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의해 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 삼각 메쉬 검사 수단을 구비하고,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단은 삼각 메쉬의 발생 처리를 2 단계로 분할하여 수행하고,
    제 1 단계의 처리에서, 임의의 삼각 메쉬에 의해 경계 보호층이 파괴될 가능성이 있는 영역에 제한적으로 삼각 메쉬를 발생하고,
    제 2 단계의 처리에서, 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하고,
    상기 삼각 메쉬 검사 수단은, 상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 1 단계의 처리가 완료된 후에, 그 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하며,
    상기 메쉬점 배치 수단은, 형상 특징점 부근에서 그 형상 특징점의 종류와 경계 보호층의 구조에 의해 결정된 소정의 조건에 기초하여 메쉬점을 배치하고,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단은 제 1 단계의 처리로서,
    반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측을 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하고,
    경계 보호층을 형성하는 메쉬점을 포함하지 않는 최초의 삼각 메쉬가 발생할 때까지, 순차적으로, 선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생하는 것을 특징으로 하는 처리될 반도체 장치의 영역에 메쉬를 발생하는 메쉬 발생 장치.
  6. 처리될 반도체 장치의 경계 부근에 국부적인 직교 메쉬인 경계 보호층을 설정하여 필요한 메쉬점을 배치하는 경계 보호층 발생 수단과, 반도체 장치의 경계 보호층에 의해 둘러싸인 영역내에 메쉬점을 배치하는 메쉬점 배치 수단과, 메쉬점을 서로 접속하므로써 삼각 메쉬를 발생하는 삼각 메쉬 발생 수단과, 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 삼각 메쉬 검사 수단을 구비하는 메쉬 발생 장치에 의해 실행되는 메쉬 발생 방법으로서,
    상기 경계 보호층 발생 수단이 반도체 장치의 경계 부근에 경계 보호층을 발생하고 필요한 메쉬점을 배치하는 제 1 단계,
    상기 메쉬점 배치수단이 반도체 장치의 영역내에서 경계 보호층으로부터 소정의 기준 거리 이상 떨어진 위치에 메쉬점을 발생하는 제 2 단계,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단이, 임의의 삼각 메쉬가 상기 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역으로 제한하여 상기 경계 보호층 발생 수단 및 상기 메쉬점 배치 수단에 의해 배치된 메쉬점을 접속하여 삼각 메쉬를 발생하는 제 3 단계,
    상기 삼각 메쉬 검사 수단이 상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의해 발생된 삼각 메쉬가 상기 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 제 4 단계, 및
    상기 삼각 메쉬 검사 수단에 의한 검사 결과, 상기 경계 보호층을 파괴하는 임의의 삼각 메쉬를 검출하지 않은 경우에, 상기 삼각 메쉬 발생 수단이 상기 반도체 장치의 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하는 제 5 단계를 구비하며,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 3 단계가
    임의의 삼각 메쉬가 상기 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역으로 제한하여 상기 반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측으로 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하여 활성도를 설정하는 단계와,
    상기 선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생하는 단계와,
    상기 활성도를 설정한 브랜치가 잔존하는가를 판정하고, 잔존하면, 상기 삼각 메쉬를 발생하는 단계로 되돌아가고, 잔존하지 않으면, 삼각 메쉬의 발생 처리를 완료하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 메쉬 발생 방법.
  7. 처리될 반도체 장치의 경계 부근에 국부적인 직교 메쉬인 경계 보호층을 설정하여 필요한 메쉬점을 배치하는 경계 보호층 발생 수단과, 반도체 장치의 경계 보호층에 의해 둘러싸인 영역내에 메쉬점을 배치하는 메쉬점 배치 수단과, 메쉬점을 서로 접속하므로써 삼각 메쉬를 발생하는 삼각 메쉬 발생 수단과, 발생된 삼각 메쉬가 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 삼각 메쉬 검사 수단을 구비하는 메쉬 발생 장치에 의해 실행되는 메쉬 발생 방법으로서,
    상기 경계 보호층 발생 수단이 반도체 장치의 경계 부근에 경계 보호층을 발생하고 필요한 메쉬점을 배치하는 제 1 단계,
    상기 메쉬점 배치수단이 반도체 장치의 영역내에서 경계 보호층으로부터 소정의 기준 거리 이상 떨어진 위치에 메쉬점을 발생하는 제 2 단계,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단이, 임의의 삼각 메쉬가 상기 경계 보호층을 파괴할 가능성이 있는 영역으로 제한하여 상기 경계 보호층 발생 수단 및 상기 메쉬점 배치 수단에 의해 배치된 메쉬점을 접속하여 삼각 메쉬를 발생하는 제 3 단계,
    상기 삼각 메쉬 검사 수단이 상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의해 발생된 삼각 메쉬가 상기 경계 보호층을 파괴하는지의 여부를 검사하는 제 4 단계, 및
    상기 삼각 메쉬 검사 수단에 의한 검사 결과, 상기 경계 보호층을 파괴하는 임의의 삼각 메쉬를 검출하지 않은 경우에, 상기 삼각 메쉬 발생 수단이 상기 반도체 장치의 잔존하는 영역에 삼각 메쉬를 발생하는 제 5 단계를 구비하며,
    상기 삼각 메쉬 발생 수단에 의한 제 3 단계가
    상기 반도체 장치의 경계상의 경계 선분을 형성하는 임의의 브랜치로부터 내측으로 향하여 나사 형상으로 순차적으로 브랜치를 선택하는 단계와,
    상기 선택된 브랜치를 포함하는 삼각 메쉬를 발생하는 단계와,
    상기 경계 보호층을 형성하는 메쉬점을 포함하지 않는 삼각 메쉬를 발생하는가는 판정하고, 그 삼각 메쉬가 발생하지 않으면, 상기 삼각 메쉬를 발생하는 단계로 되돌아가고, 발생하면, 삼각 메쉬의 발생 처리를 완료하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 메쉬 발생 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 삼각 메쉬 검사 수단에 의한 검사 결과, 상기 경계 보호층을 파괴하는 삼각 메쉬를 검출한 경우에, 상기 경계 보호층 발생 수단이 그 검출된 삼각 메쉬의 메쉬점 중에 경계 보호층을 형성하지 않는 메쉬점을 경계 보호층을 형성하는 경계 보호 선분상에 사영하여 새로운 메쉬점을 설정하는 제 6 단계를 더 구비하고,
    상기 제 6 단계를 실행한 후에, 제 1 단계로부터의 처리를 반복하는 것을 특징으로 하는 메쉬 발생 방법.
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