JP3387869B2 - プロセスシミュレーションのメッシュ発生方法 - Google Patents
プロセスシミュレーションのメッシュ発生方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T17/00—Three dimensional [3D] modelling, e.g. data description of 3D objects
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- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プロセスシミュレ
ーションのメッシュ発生方法に関する。
ーションのメッシュ発生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プロセスシミュレータとは、酸化プロセ
ス、拡散プロセス、イオン注入プロセス等の半導体トラ
ンジスタ製造工程をコンピュータを用いて計算し、トラ
ンジスタの不純物プロファイル等の内部物理量や形状を
予測するものである。
ス、拡散プロセス、イオン注入プロセス等の半導体トラ
ンジスタ製造工程をコンピュータを用いて計算し、トラ
ンジスタの不純物プロファイル等の内部物理量や形状を
予測するものである。
【０００３】プロセスシミュレータを用いて、半導体デ
バイスが最高の電気特性を発揮するようにトランジスタ
の最適化を行えば、実際にLSIを試作するのに比べて、
費用／期間とも大幅に短縮することができる。
バイスが最高の電気特性を発揮するようにトランジスタ
の最適化を行えば、実際にLSIを試作するのに比べて、
費用／期間とも大幅に短縮することができる。
【０００４】プロセスシミュレータでは、各種半導体ト
ランジスタ製造工程をコンピュータを用いて計算するた
め、それぞれのプロセス毎にモデル式が組み込まれてい
る。LSI中では デバイス同士が電気的に影響を及ばさぬ
様、LOCOS、トレンチ等によって素子分離を行なう。近
年のデバイスの微細化に伴い、LOCOS、トレンチ等の素
子分離シミュレーションも必要となり、プロセスシミュ
レーションの２次元化が進められている。
ランジスタ製造工程をコンピュータを用いて計算するた
め、それぞれのプロセス毎にモデル式が組み込まれてい
る。LSI中では デバイス同士が電気的に影響を及ばさぬ
様、LOCOS、トレンチ等によって素子分離を行なう。近
年のデバイスの微細化に伴い、LOCOS、トレンチ等の素
子分離シミュレーションも必要となり、プロセスシミュ
レーションの２次元化が進められている。
【０００５】２次元LOCOS酸化の計算方法 としては、
‘‘半導体プロセスデバイスシミュレーション技術''
(リアライズ社刊)pp.79〜89‘‘第1編プロセス 第2章プ
ロセスシミュレーション第3節2次元酸化のシミュレーシ
ョン''がある。
‘‘半導体プロセスデバイスシミュレーション技術''
(リアライズ社刊)pp.79〜89‘‘第1編プロセス 第2章プ
ロセスシミュレーション第3節2次元酸化のシミュレーシ
ョン''がある。
【０００６】本方法では、酸化速度はオキシダント濃度
から計算し、ある時間間隔でSi/SiO2界面がどの位移動
するかを算出し、その変移量から形状の変化を計算する
ものである。
から計算し、ある時間間隔でSi/SiO2界面がどの位移動
するかを算出し、その変移量から形状の変化を計算する
ものである。
【０００７】図５は、酸化計算によって計算したLOCOS
構造である。前述のように酸化計算では、変移量から形
状の変化を計算するが、変移量は数値計算の結果である
ため、微小な誤差を含んでおり、材質と材質の界面は不
要ながたつきが生じてしまう。
構造である。前述のように酸化計算では、変移量から形
状の変化を計算するが、変移量は数値計算の結果である
ため、微小な誤差を含んでおり、材質と材質の界面は不
要ながたつきが生じてしまう。
【０００８】プロセスシミュレーションでは、酸化計算
の後、Si内部の不純物分布の再分布を計算する(拡散計
算)。拡散計算を行うためには、拡散計算用のメッシュ
を発生させる必要があり、そのためには、不要ながたつ
きはできるだけ低減しておく必要がある。
の後、Si内部の不純物分布の再分布を計算する(拡散計
算)。拡散計算を行うためには、拡散計算用のメッシュ
を発生させる必要があり、そのためには、不要ながたつ
きはできるだけ低減しておく必要がある。
【０００９】酸化計算後の不要ながたつきを低減させる
ための方法として、特願平10-082541号の発明がある。
特願平10-082541号の発明では、図５のLOCOS形状におい
て、Si/SiO2境界、SiO2/ambient境界、SiO2/Si3N4境界
のそれぞれを、ブロック化し(図６)、それぞれのブロッ
ク内で不要なメッシュ点を削除して、がたつきを低減す
る。
ための方法として、特願平10-082541号の発明がある。
特願平10-082541号の発明では、図５のLOCOS形状におい
て、Si/SiO2境界、SiO2/ambient境界、SiO2/Si3N4境界
のそれぞれを、ブロック化し(図６)、それぞれのブロッ
ク内で不要なメッシュ点を削除して、がたつきを低減す
る。
【００１０】特願平10-082541号の発明の手順を図７を
用いて、説明する。
用いて、説明する。
【００１１】まずステップP1にて、領域境界線分を取得
する。領域境界線分としては、Si/SiO2境界、SiO2/ambi
ent境界、SiO2/Si3N4境界などがある。
する。領域境界線分としては、Si/SiO2境界、SiO2/ambi
ent境界、SiO2/Si3N4境界などがある。
【００１２】次にステップP2にて、領域境界線分で、3
材質以上の材質が接している節点で、領域境界線分をブ
ロック化する(図６)。
材質以上の材質が接している節点で、領域境界線分をブ
ロック化する(図６)。
【００１３】ステップP3にて、一つのブロックを選択
し、さらにステップP4にて、そのブロック内で、メッシ
ュ点の簡素化値εを計算する。簡素化値εとは、メッシ
ュ点を削除したときに、メッシュ点が移動する距離であ
り、εが小さい程、簡素化による形状の変化への影響が
少ない。
し、さらにステップP4にて、そのブロック内で、メッシ
ュ点の簡素化値εを計算する。簡素化値εとは、メッシ
ュ点を削除したときに、メッシュ点が移動する距離であ
り、εが小さい程、簡素化による形状の変化への影響が
少ない。
【００１４】ステップP5では、ブロック内の簡素化値が
もっとも小さいメッシュ点を選択する。
もっとも小さいメッシュ点を選択する。
【００１５】ステップP6にて、ステップP5で選択したメ
ッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも小さい場合
には、ステップP7にて境界メッシュ点を削除する。
ッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも小さい場合
には、ステップP7にて境界メッシュ点を削除する。
【００１６】境界メッシュ点が削除されると、削除され
たメッシュ点近傍のメッシュ点の簡素化値が変化するた
め、ステップP8にて、再度簡素化値を計算する。
たメッシュ点近傍のメッシュ点の簡素化値が変化するた
め、ステップP8にて、再度簡素化値を計算する。
【００１７】以上の操作を、各ブロック毎に、ブロック
内のメッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも大き
くなるまで繰り返す。
内のメッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも大き
くなるまで繰り返す。
【００１８】次に、特願平10-082541号の発明の動作
を、図８を使って説明する。３材質が接する点を不動メ
ッシュ点４とし、形状をブロック化する(図８(A))。
を、図８を使って説明する。３材質が接する点を不動メ
ッシュ点４とし、形状をブロック化する(図８(A))。
【００１９】それぞれのブロックに対し、ブロック内メ
ッシュ点１、２、３における簡素化値を計算する(図8
(B))。
ッシュ点１、２、３における簡素化値を計算する(図8
(B))。
【００２０】ブロック内のメッシュ点の中でいちばん簡
素化値が小さいメッシュ点iを選ぶ(図８(B)-メッシュ点
３)。メッシュ点iが、予め設定された基準値より小さい
場合には、そのメッシュ点iを削除し、簡素化値を再計
算しなおす(図8(C))。
素化値が小さいメッシュ点iを選ぶ(図８(B)-メッシュ点
３)。メッシュ点iが、予め設定された基準値より小さい
場合には、そのメッシュ点iを削除し、簡素化値を再計
算しなおす(図8(C))。
【００２１】以上の操作を、各ブロック毎に、ブロック
内のメッシュ点の簡素化値が、基準値よりも大きくなる
まで繰り返す。
内のメッシュ点の簡素化値が、基準値よりも大きくなる
まで繰り返す。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の技術の問
題点は、簡素化のための処理時間がかかることである。
上記欠点を生じる理由は、節点を削除する度に、簡素化
値を計算しなおす必要があるためである。
題点は、簡素化のための処理時間がかかることである。
上記欠点を生じる理由は、節点を削除する度に、簡素化
値を計算しなおす必要があるためである。
【００２３】上述の従来の技術の問題点に鑑み、本発明
の目的は、形状の簡素化を高速に行い、計算時間の高速
化を図るプロセスシミュレーションのメッシュ発生方法
を提供することにある。
の目的は、形状の簡素化を高速に行い、計算時間の高速
化を図るプロセスシミュレーションのメッシュ発生方法
を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明のプロセスシミュ
レーションのメッシュ発生方法は、領域境界線分を取得
する第１のステップと、各領域境界線分上のメッシュ点
において、簡素化値を算出する第２のステップと、各領
域境界線分で、3材質以上の材質が接している節点を、
不動メッシュ点とし、不動メッシュ点の簡素化値を、基
準簡素化値と比較して十分に大きな値に設定し、不動メ
ッシュ点が動かないようにする第３のステップと、各領
域境界線分上のメッシュ点のうち、簡素化値がもっとも
小さいメッシュ点を選択する第４のステップと、選択し
たメッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも小さい
場合には、メッシュ点の簡素化値を、メッシュ点の両隣
りのメッシュ点に等配分する第５のステップと、選択し
たメッシュ点を削除する第６のステップと、第４のステ
ップへ戻り、第４から第６の各ステップを、領域境界線
分上の全てのメッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よ
りも大きくなるまで繰り返す。
レーションのメッシュ発生方法は、領域境界線分を取得
する第１のステップと、各領域境界線分上のメッシュ点
において、簡素化値を算出する第２のステップと、各領
域境界線分で、3材質以上の材質が接している節点を、
不動メッシュ点とし、不動メッシュ点の簡素化値を、基
準簡素化値と比較して十分に大きな値に設定し、不動メ
ッシュ点が動かないようにする第３のステップと、各領
域境界線分上のメッシュ点のうち、簡素化値がもっとも
小さいメッシュ点を選択する第４のステップと、選択し
たメッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも小さい
場合には、メッシュ点の簡素化値を、メッシュ点の両隣
りのメッシュ点に等配分する第５のステップと、選択し
たメッシュ点を削除する第６のステップと、第４のステ
ップへ戻り、第４から第６の各ステップを、領域境界線
分上の全てのメッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よ
りも大きくなるまで繰り返す。
【００２５】また、領域境界線分を取得する第１のステ
ップと、各領域境界線分上のメッシュ点において、簡素
化値を算出する第２のステップと、各領域境界線分で、
3材質以上の材質が接している節点を、不動メッシュ点
とし、不動メッシュ点の簡素化値を、基準簡素化値と比
較して十分に大きな値に設定し、不動メッシュ点が動か
ないようにする第３のステップと、各領域境界線分上の
メッシュ点のうち、簡素化値がもっとも小さいメッシュ
点を選択する第４のステップと、選択したメッシュ点の
簡素化値が、基準簡素化値よりも小さい場合には、メッ
シュ点の簡素化値を、両隣りのメッシュ点に配分する
際、メッシュ点と両隣のメッシュ点との距離に応じ、簡
素化値を配分する第５のステップと、選択したメッシュ
点を削除する第６のステップと、第４のステップへ戻
り、第４から第６の各ステップを、領域境界線分上の全
てのメッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも大き
くなるまで繰り返してもよい。
ップと、各領域境界線分上のメッシュ点において、簡素
化値を算出する第２のステップと、各領域境界線分で、
3材質以上の材質が接している節点を、不動メッシュ点
とし、不動メッシュ点の簡素化値を、基準簡素化値と比
較して十分に大きな値に設定し、不動メッシュ点が動か
ないようにする第３のステップと、各領域境界線分上の
メッシュ点のうち、簡素化値がもっとも小さいメッシュ
点を選択する第４のステップと、選択したメッシュ点の
簡素化値が、基準簡素化値よりも小さい場合には、メッ
シュ点の簡素化値を、両隣りのメッシュ点に配分する
際、メッシュ点と両隣のメッシュ点との距離に応じ、簡
素化値を配分する第５のステップと、選択したメッシュ
点を削除する第６のステップと、第４のステップへ戻
り、第４から第６の各ステップを、領域境界線分上の全
てのメッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも大き
くなるまで繰り返してもよい。
【００２６】また、領域境界線分を取得する第１のステ
ップと、各領域境界線分上のメッシュ点において、簡素
化値を算出する第２のステップと、各領域境界線分で、
3材質以上の材質が接している節点を、不動メッシュ点
とし、不動メッシュ点の簡素化値を、基準簡素化値と比
較して十分に大きな値に設定し、不動メッシュ点が動か
ないようにする第３のステップと、各領域境界線分上の
メッシュ点のうち、簡素化値がもっとも小さいメッシュ
点を選択する第４のステップと、選択したメッシュ点の
簡素化値が、基準簡素化値よりも小さく、かつ、簡素化
値が正である場合には、メッシュ点の簡素化値を、メッ
シュ点の両隣りのメッシュ点に等配分する第５のステッ
プと、選択したメッシュ点の簡素化値に負の値を設定す
る第６のステップと、選択したメッシュ点の簡素化値
が、基準簡素化値よりも小さく、かつ、簡素化値が負で
ある場合には、選択したメッシュ点を保存しておき、ま
とめて削除する第７のステップと、第４のステップへ戻
り、第４から第７の各ステップを、領域境界線分上の全
てのメッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも大き
くなるまで繰り返してもよい。
ップと、各領域境界線分上のメッシュ点において、簡素
化値を算出する第２のステップと、各領域境界線分で、
3材質以上の材質が接している節点を、不動メッシュ点
とし、不動メッシュ点の簡素化値を、基準簡素化値と比
較して十分に大きな値に設定し、不動メッシュ点が動か
ないようにする第３のステップと、各領域境界線分上の
メッシュ点のうち、簡素化値がもっとも小さいメッシュ
点を選択する第４のステップと、選択したメッシュ点の
簡素化値が、基準簡素化値よりも小さく、かつ、簡素化
値が正である場合には、メッシュ点の簡素化値を、メッ
シュ点の両隣りのメッシュ点に等配分する第５のステッ
プと、選択したメッシュ点の簡素化値に負の値を設定す
る第６のステップと、選択したメッシュ点の簡素化値
が、基準簡素化値よりも小さく、かつ、簡素化値が負で
ある場合には、選択したメッシュ点を保存しておき、ま
とめて削除する第７のステップと、第４のステップへ戻
り、第４から第７の各ステップを、領域境界線分上の全
てのメッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも大き
くなるまで繰り返してもよい。
【００２７】したがって、本発明のプロセスシミュレー
ションのメッシュ発生方法は、形状の簡素化を高速に行
い、無駄なメッシュ発生を低減し、計算時間の高速化を
図ることができる。
ションのメッシュ発生方法は、形状の簡素化を高速に行
い、無駄なメッシュ発生を低減し、計算時間の高速化を
図ることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】（本発明の第１の実施の形態）本
発明の第１の実施の形態のフローを図１に示す。
発明の第１の実施の形態のフローを図１に示す。
【００２９】まずステップA1にて、領域境界線分を取得
する。領域境界線分としては、Si/SiO2境界、SiO2/ambi
ent境界、SiO2/Si3N4境界などがある。
する。領域境界線分としては、Si/SiO2境界、SiO2/ambi
ent境界、SiO2/Si3N4境界などがある。
【００３０】次に、ステップA2にて、各領域境界線分上
のメッシュ点において、簡素化値εiを算出する。簡素
化値εiは、メッシュ点を削除した際のメッシュ点の移
動距離であり、εiが小さい程、簡素化による形状の変
化への影響が少ない。
のメッシュ点において、簡素化値εiを算出する。簡素
化値εiは、メッシュ点を削除した際のメッシュ点の移
動距離であり、εiが小さい程、簡素化による形状の変
化への影響が少ない。
【００３１】さらにステップA3にて、各領域境界線分
で、3材質以上の材質が接している節点を、不動メッシ
ュ点とし、不動メッシュ点の簡素化値を、基準簡素化値
と比較して十分に大きな値に設定し、このメッシュ点が
動かないようにする。
で、3材質以上の材質が接している節点を、不動メッシ
ュ点とし、不動メッシュ点の簡素化値を、基準簡素化値
と比較して十分に大きな値に設定し、このメッシュ点が
動かないようにする。
【００３２】ステップA4にて、各領域境界線分上のメッ
シュ点のうち、簡素化値がもっとも小さいメッシュ点を
選択する。
シュ点のうち、簡素化値がもっとも小さいメッシュ点を
選択する。
【００３３】ステップA5にて、ステップA4で選択したメ
ッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも小さい場合
には、ステップA6にて、メッシュ点iの簡素化値εiを、
メッシュ点iの両隣りのメッシュ点に等配分する。
ッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも小さい場合
には、ステップA6にて、メッシュ点iの簡素化値εiを、
メッシュ点iの両隣りのメッシュ点に等配分する。
【００３４】そして、ステップA7にて、メッシュ点iを
削除する。
削除する。
【００３５】以上の操作を、領域境界線分上の全てのメ
ッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも大きくなる
まで繰り返す。
ッシュ点の簡素化値が、基準簡素化値よりも大きくなる
まで繰り返す。
【００３６】次に、本発明の第１の実施の形態の動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３７】図２は、本発明の第１の実施の形態の動作
を説明したものである。
を説明したものである。
【００３８】図２は、図５のLOCOS形状の一部分を拡大
したものである。
したものである。
【００３９】まず、図２(A)を初期形状とし、各メッシ
ュ点１〜６にて簡素化値εiを算出する。簡素化値εi
は、メッシュ点を削除した際のメッシュ点の移動距離で
あり、εiが小さい程、簡素化による形状の変化への影
響が少ない。 図２では円の大きさで簡素化値を表して
いる。
ュ点１〜６にて簡素化値εiを算出する。簡素化値εi
は、メッシュ点を削除した際のメッシュ点の移動距離で
あり、εiが小さい程、簡素化による形状の変化への影
響が少ない。 図２では円の大きさで簡素化値を表して
いる。
【００４０】ここで、図２(A)の点４は、３材質が接す
る節点であり、εiは、十分大きな値に設定し、不動メ
ッシュ点とする(図２(B))。
る節点であり、εiは、十分大きな値に設定し、不動メ
ッシュ点とする(図２(B))。
【００４１】メッシュ点の中でいちばん簡素化値が小さ
いメッシュ点iを選ぶ(図２(B)-メッシュ点３)。
いメッシュ点iを選ぶ(図２(B)-メッシュ点３)。
【００４２】メッシュ点iが予め設定された基準簡素化
値より小さい場合には、そのメッシュ点を削除し、その
メッシュ点が持っていた簡素化値を、両隣のメッシュ点
に等配分する。
値より小さい場合には、そのメッシュ点を削除し、その
メッシュ点が持っていた簡素化値を、両隣のメッシュ点
に等配分する。
【００４３】以上の操作を、すべてのメッシュ点の簡素
化値が、基準簡素化値よりも大きくなるまで繰り返す。
化値が、基準簡素化値よりも大きくなるまで繰り返す。
【００４４】（本発明の第２の実施の形態）本発明の第
２の実施の形態のフローを、図３に示す。
２の実施の形態のフローを、図３に示す。
【００４５】本発明の第１の実施の形態では、簡素化さ
れるメッシュ点の簡素化値εiを、両隣りのメッシュ点
に等配分していた。
れるメッシュ点の簡素化値εiを、両隣りのメッシュ点
に等配分していた。
【００４６】本発明の第２の実施の形態では、簡素化値
εiを、両隣りのメッシュ点に配分する際、メッシュ点i
と両隣のメッシュ点との距離に応じ、簡素化値εiを配
分する(図3-ステップB6)。その結果、メッシュ点の疎密
に応じて、簡素化値εiの配分を変化させることが可能
となる。
εiを、両隣りのメッシュ点に配分する際、メッシュ点i
と両隣のメッシュ点との距離に応じ、簡素化値εiを配
分する(図3-ステップB6)。その結果、メッシュ点の疎密
に応じて、簡素化値εiの配分を変化させることが可能
となる。
【００４７】（本発明の第３の実施の形態）本発明の第
３の実施の形態のフローを、図４に示す。
３の実施の形態のフローを、図４に示す。
【００４８】本発明の第１の実施の形態では、メッシュ
点の簡素化値εiが、簡素化の基準簡素化値以下である
場合、メッシュ点iを削除していた。
点の簡素化値εiが、簡素化の基準簡素化値以下である
場合、メッシュ点iを削除していた。
【００４９】本発明の第３の実施の形態では、メッシュ
点iを削除する代わりに、メッシュ点の簡素化値εiが、
簡素化の基準簡素化値以下である場合は、εiに負の値
を設定する(ステップC7)。
点iを削除する代わりに、メッシュ点の簡素化値εiが、
簡素化の基準簡素化値以下である場合は、εiに負の値
を設定する(ステップC7)。
【００５０】また、簡素化値が基準簡素化値以下かどう
かを設定するときに、簡素化値が正であるかどうかの判
断を追加する(ステップC5)。
かを設定するときに、簡素化値が正であるかどうかの判
断を追加する(ステップC5)。
【００５１】その結果、メッシュ点の削除処理をまとめ
てが行うことが可能になり(ステップC8)、効率良く計算
することができる。
てが行うことが可能になり(ステップC8)、効率良く計算
することができる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明には以下の
効果がある。
効果がある。
【００５３】プロセスシミュレーションのメッシュ発生
方法において、形状が簡略化される際、簡素化値を両隣
のメッシュ点に分配するため、形状の簡素化を高速に行
うことができるという効果がある。
方法において、形状が簡略化される際、簡素化値を両隣
のメッシュ点に分配するため、形状の簡素化を高速に行
うことができるという効果がある。
【００５４】また、簡素化値を、両隣りのメッシュ点に
配分する際、メッシュ点と両隣のメッシュ点との距離に
応じ、簡素化値を配分する方法では、メッシュ点の疎密
に応じて、簡素化値の配分を変化させることが可能とな
るという効果がある。
配分する際、メッシュ点と両隣のメッシュ点との距離に
応じ、簡素化値を配分する方法では、メッシュ点の疎密
に応じて、簡素化値の配分を変化させることが可能とな
るという効果がある。
【００５５】また、メッシュ点を削除する代わりに、メ
ッシュ点の簡素化値が、簡素化の基準簡素化値以下であ
る場合は、簡素化値に負の値を設定する方法では、メッ
シュ点の削除処理をまとめてが行うことが可能になり、
効率良く計算することができるいう効果がある。
ッシュ点の簡素化値が、簡素化の基準簡素化値以下であ
る場合は、簡素化値に負の値を設定する方法では、メッ
シュ点の削除処理をまとめてが行うことが可能になり、
効率良く計算することができるいう効果がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態のフローを示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１の実施の形態の動作を説明する図
である。
である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のフローを示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第３の実施の形態のフローを示す図で
ある。
ある。
【図５】酸化計算によって計算したLOCOS構造を示す図
である。
である。
【図６】LOCOS形状において、Si/SiO2境界、SiO2/ambie
nt境界、SiO2/Si3N4境界のそれぞれを、ブロック化した
図である。
nt境界、SiO2/Si3N4境界のそれぞれを、ブロック化した
図である。
【図７】従来方法のフローを示す図である。
【図８】従来方法の動作を説明する図である。
【符号の説明】
１、２、３、５、６ メッシュ点
４ 不動メッシュ点
Claims (3)
- 【請求項１】 領域境界線分を取得する第１のステップ
と、 各領域境界線分上のメッシュ点において、簡素化値を算
出する第２のステップと、 各領域境界線分で、3材質以上の材質が接している節点
を、不動メッシュ点とし、該不動メッシュ点の簡素化値
を、基準簡素化値と比較して十分に大きな値に設定し、
該不動メッシュ点が動かないようにする第３のステップ
と、 各領域境界線分上のメッシュ点のうち、簡素化値がもっ
とも小さいメッシュ点を選択する第４のステップと、 前記選択したメッシュ点の簡素化値が、前記基準簡素化
値よりも小さい場合には、メッシュ点の簡素化値を、メ
ッシュ点の両隣りのメッシュ点に等配分する第５のステ
ップと、 前記選択したメッシュ点を削除する第６のステップと、 前記第４のステップへ戻り、前記第４から第６の各ステ
ップを、領域境界線分上の全てのメッシュ点の簡素化値
が、前記基準簡素化値よりも大きくなるまで繰り返すプ
ロセスシミュレーションのメッシュ発生方法。 - 【請求項２】 領域境界線分を取得する第１のステップ
と、 各領域境界線分上のメッシュ点において、簡素化値を算
出する第２のステップと、 各領域境界線分で、3材質以上の材質が接している節点
を、不動メッシュ点とし、該不動メッシュ点の簡素化値
を、基準簡素化値と比較して十分に大きな値に設定し、
該不動メッシュ点が動かないようにする第３のステップ
と、 各領域境界線分上のメッシュ点のうち、簡素化値がもっ
とも小さいメッシュ点を選択する第４のステップと、 前記選択したメッシュ点の簡素化値が、前記基準簡素化
値よりも小さい場合には、メッシュ点の簡素化値を、両
隣りのメッシュ点に配分する際、メッシュ点と両隣のメ
ッシュ点との距離に応じ、簡素化値を配分する第５のス
テップと、 前記選択したメッシュ点を削除する第６のステップと、 前記第４のステップへ戻り、前記第４から第６の各ステ
ップを、領域境界線分上の全てのメッシュ点の簡素化値
が、前記基準簡素化値よりも大きくなるまで繰り返すプ
ロセスシミュレーションのメッシュ発生方法。 - 【請求項３】 領域境界線分を取得する第１のステップ
と、 各領域境界線分上のメッシュ点において、簡素化値を算
出する第２のステップと、 各領域境界線分で、3材質以上の材質が接している節点
を、不動メッシュ点とし、該不動メッシュ点の簡素化値
を、基準簡素化値と比較して十分に大きな値に設定し、
該不動メッシュ点が動かないようにする第３のステップ
と、 各領域境界線分上のメッシュ点のうち、簡素化値がもっ
とも小さいメッシュ点を選択する第４のステップと、 前記選択したメッシュ点の簡素化値が、前記基準簡素化
値よりも小さく、かつ、前記簡素化値が正である場合に
は、メッシュ点の簡素化値を、メッシュ点の両隣りのメ
ッシュ点に等配分する第５のステップと、 前記選択したメッシュ点の簡素化値に負の値を設定する
第６のステップと、 前記選択したメッシュ点の簡素化値が、前記基準簡素化
値よりも小さく、かつ、前記簡素化値が負である場合に
は、前記選択したメッシュ点を保存しておき、まとめて
削除する第７のステップと、 前記第４のステップへ戻り、前記第４から第７の各ステ
ップを、領域境界線分上の全てのメッシュ点の簡素化値
が、前記基準簡素化値よりも大きくなるまで繰り返すプ
ロセスシミュレーションのメッシュ発生方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30433099A JP3387869B2 (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | プロセスシミュレーションのメッシュ発生方法 |
| US09/666,091 US6513150B1 (en) | 1999-10-26 | 2000-09-21 | Method of generating mesh for process simulation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30433099A JP3387869B2 (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | プロセスシミュレーションのメッシュ発生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127061A JP2001127061A (ja) | 2001-05-11 |
| JP3387869B2 true JP3387869B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=17931719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30433099A Expired - Fee Related JP3387869B2 (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | プロセスシミュレーションのメッシュ発生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6513150B1 (ja) |
| JP (1) | JP3387869B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US4933889A (en) * | 1988-04-29 | 1990-06-12 | International Business Machines Corporation | Method for fine decomposition in finite element mesh generation |
| US5214752A (en) * | 1991-01-22 | 1993-05-25 | International Business Machines Corporation | Point placement method for use in a three-dimensional automatic mesh generation system |
| US5798764A (en) * | 1994-05-27 | 1998-08-25 | Nec Corporation | Method for determining the intersections of Delaunay partitioned tetrahedra with the boundary of a body to be analyzed |
| JPH08292938A (ja) * | 1995-02-24 | 1996-11-05 | Fujitsu Ltd | 有限要素メッシュ発生方法及び装置、並びに解析方法及び装置 |
| JPH08320947A (ja) * | 1995-05-25 | 1996-12-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 数値解析用メッシュ作成方法及び装置 |
| US5768156A (en) * | 1995-10-25 | 1998-06-16 | Sandia Corporation | Connectivity-based, all-hexahedral mesh generation method and apparatus |
| JP3114612B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2000-12-04 | 日本電気株式会社 | メッシュ発生方法 |
| US6266062B1 (en) * | 1997-10-08 | 2001-07-24 | Maria-Cecilia Rivara | Longest-edge refinement and derefinement system and method for automatic mesh generation |
| JP3963334B2 (ja) * | 1997-10-14 | 2007-08-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | メッシング方法及び装置 |
| JP3252788B2 (ja) | 1998-03-13 | 2002-02-04 | 日本電気株式会社 | メッシュ生成方式及び方法 |
| US6198486B1 (en) * | 1998-09-23 | 2001-03-06 | Intel Corporation | Method of using a hybrid error metric for multi-resolution mesh generation |
| US6226405B1 (en) * | 1998-12-18 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for updating node position |
| JP2001312526A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Nec Corp | メッシュ生成方法及びメッシュ生成プログラムを記録した記録媒体 |
-
1999
- 1999-10-26 JP JP30433099A patent/JP3387869B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-21 US US09/666,091 patent/US6513150B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001127061A (ja) | 2001-05-11 |
| US6513150B1 (en) | 2003-01-28 |
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