KR950021416A - 금속배선 형성방법 - Google Patents
금속배선 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950021416A KR950021416A KR1019930028077A KR930028077A KR950021416A KR 950021416 A KR950021416 A KR 950021416A KR 1019930028077 A KR1019930028077 A KR 1019930028077A KR 930028077 A KR930028077 A KR 930028077A KR 950021416 A KR950021416 A KR 950021416A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- deposited
- formation method
- wiring formation
- metal
- metal film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 소정정도의 단차를 갖는 지역에 금속막 증착시 균일한 방향성을 갖고 증착되는 금속원자를 여과해냄으로써 다방향으로 증착되는 금속막을 형성하는 것을 특징으로 함으로써, 본 발명은 막의 스텝커버리지 특성을 개선하여 일렉트로마이그레이션(electromigration)에 의한 금속막의 단선, 열적파괴 등을 방지하여 소자의 신뢰성 향상의 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 일실시예의 금속막의 방향성 증착개략도.
Claims (3)
- 스퍼터링 기법을 이용한 금속배선 형성방법에 있어서, 소정정도의 단차를 갖는 지역에 금속막 증착시 균일한 방향성을 갖고 증착되는 금속원자를 여과해냄으로써 다방향으로 증착되는 금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 여과시 콜리메이터(collimator,2)를 이용하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 콜리메이터 (2)는 길이와 폭의 비가 1대 0.5내지 3대 1인 것을 특징으로 하는 금속배선 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930028077A KR950021416A (ko) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930028077A KR950021416A (ko) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950021416A true KR950021416A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66850816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930028077A KR950021416A (ko) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950021416A (ko) |
-
1993
- 1993-12-16 KR KR1019930028077A patent/KR950021416A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920018851A (ko) | 메탈플러그의 형성방법 | |
KR950034482A (ko) | 반도체 소자의 다층금속 배선의 형성방법 | |
KR950021416A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
KR970063507A (ko) | 배선층의 형성 방법 | |
KR940022873A (ko) | 박막트랜지스터 어레이 배선 제조방법 | |
KR960005797A (ko) | 반도체소자 배선 형성방법 | |
KR970023669A (ko) | 스퍼터링 장치 | |
KR920015447A (ko) | 반도체 소자의 유전체막 형성방법 | |
KR970003858A (ko) | 선택적 증착법을 이용한 전도막 형성방법 | |
KR920001684A (ko) | 반도체 집적회로의 금속 배선방법 | |
KR960026388A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
KR950001899A (ko) | 플럭(plug)공정시 콘택형성 방법 | |
KR950034526A (ko) | 고부하저항 제조방법 | |
KR960019511A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR950021425A (ko) | 다층 금속배선 형성방법 | |
KR970052197A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
KR950021050A (ko) | 웨이퍼의 단차 완화 방법 | |
KR930001494A (ko) | 반도체 소자의 커패시터 제조방법 | |
KR930022535A (ko) | 사이드 힐록 방지용 금속배선 | |
KR930015109A (ko) | 고 집적화를 위한 적층형 커패시터의 제조방법 | |
KR970052257A (ko) | 금속 콘택 방법 | |
KR970018234A (ko) | 반도체 장치의 배선 형성 방법 | |
KR970018262A (ko) | 폴리 사이드 게이트 형성 방법 | |
KR910019193A (ko) | 반도체장치의 부식방지 배선형성방법 | |
KR920015469A (ko) | 메탈 에칭(metal etch)시 메탈 증착방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |