KR950021213A - 절연막의 스텝 커버리지 특성 개선방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조공정중 전도층간 절연, 평탄화 및 소자 보호를 목적으로 사용되는 절연막의 스텝 커버리지 특성 개선방법에 관한 것으로, 특히 산화막을 층착코자 하는 막의 표면에서 수소계 가스의 흡착작용(adsorption)을 방해하는 차단가스로 TEOS가스를 주입하는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 종래 상압 CVD방법에 의한 층간 절연막 형성공정의 단점인 스텝 커버리지의 취약함을 개선, 향상시킴으로서 초고집적 반도체 소자의 제조를 가능케하고 기존 상압 CVD장비의 초고집적 반도체 소자의 양산에 계속 사용할 수 있게 함으로서 반도체 소자의 제조 단가를 저감시킬 수 있을뿐 아니라 공정 진행중의 파티클 발생 소지를 줄여 반도체 소자의 제조 수율을 향상 시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 상압 CVD 방식에 의한 절연막 형성시 가스주입 개략도,
제4도는 제3도의 본 발명에 따라 형성된 절연막의 스텝 커버리지 특성을 나타내는 도면.
Claims (3)
- 반도체 소자 제조공정중 절연막 형성을 위한 가스원으로 수소계 가스를 이용하는 절연막의 스텝 커버리지 특성 개선방법에 있어서, 산화막을 층착코자 하는 막의 표면에서 수소계 가스의 흡착작용(adsorption)을 방해하는 차단가스로 TEOS가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 절연막의 스텝 커버리지 특성 개선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수소계 가스는 SiH4, PH3, B2H6를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연막의 스텝 커버리지 특성 개선방법.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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