TW202238990A - 有機發光顯示器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種有機發光顯示器及其製造方法，特別是一種由薄膜電晶體驅動的有機發光顯示器及其製造方法。有機發光顯示器包含基板、被提供於基板上的薄膜電晶體、被提供於薄膜電晶體上的有機發光部、由化學氣相沉積製程被提供於有機發光部上的第一鈍化層，以及藉由原子層沉積製程被提供於第一鈍化層的至少一表面上且包含氮化矽的氫氣阻擋層。

Description

有機發光顯示器及其製造方法
本發明關於一種有機發光顯示器及其製造方法，特別係關於一種被提供有鈍化層的有機發光顯示器及其製造方法。
有機發光顯示器(organic light emitting display，OLED)為自發光型顯示器，且不像是液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)，有機發光顯示器因不需要獨立光源而有輕薄的優點。此外，有機發光顯示器可在低電壓被驅動，且因此有機發光顯示器可在功耗方面具有優勢且也具有優異的響應速度(response speed)、觀看角度(viewing angle)以及對比度(contrast ratio)。因此，有機發光顯示器正積極地被作為下一世代的顯示器研究。
有機發光顯示器中會形成包含鈍化層以保護有機發光部免於受可能在製造過程中產生的如水氣、物理衝擊及異物之外部環境的影響的封裝層。
根據相關技術，有機發光顯示器的鈍化層主要使用氧化矽層。然，當鈍化層使用氧化矽層時，氧化矽層會藉由與大氣中的水氣反應而被改變，而造成有機發光部沒有被充分保護的缺陷。此外，為了解決上述缺陷，已提出使用氮化矽層作為鈍化層的方法。然而，於此情況中，含在氮化矽層中的大量氫氣可能會滲透到薄膜電晶體中而增加薄膜電晶體的漏出電流，進而劣化電性特性，如高臨界電壓。
[習知技術文件]
[專利文件]
(專利文件0001) KR 10-2014-0064136 A
本發明提供一種耐用度及可靠度受到提升的有機發光顯示器及其製造方法。
根據一示例性實施例，有機發光顯示器，包含：一基板、被提供於基板上的一薄膜電晶體、被提供於薄膜電晶體上的一有機發光部、被提供於有機發光部上且藉由一化學氣相沉積製程被提供的一第一鈍化層，以及被提供於第一鈍化層的至少一表面上，包含氮化矽且藉由一原子層沉積製程被提供的一氫氣阻擋層。
氫氣阻擋層相對氫氣阻擋層的整體氫含量可具有等於或小於20 at%的氫含量。
氫氣阻擋層的厚度可小於第一鈍化層的厚度。
有機發光顯示器可更包含：被提供於第一鈍化層上的微粒遮蔽層以及被提供於微粒遮蔽層上的一第二鈍化層，其中氫氣阻擋層可被提供於有機發光部以及第一鈍化層之間及/或被提供於第一鈍化層以及微粒遮蔽層之間。
微粒遮蔽層可包含一有機材料，且第一鈍化層以及第二鈍化層的每一者可包含氧化矽、氮化矽或氮氧化矽其中至少一者。
氫氣阻擋層的氫含量可小於微粒遮蔽層以及第二鈍化層的每一者之氫含量。
薄膜電晶體可包含包含氧化物的一主動層。
根據另一示例性實施例，有機發光顯示器的製造方法包含：將形成有一有機發光部的一基板提供到一薄膜電晶體上，透過一原子層沉積製程形成包含氮化矽的一氫氣阻擋層以遮蔽有機發光部，以及透過一化學氣相沉積製程在氫氣阻擋層上形成一第一鈍化層。
根據再另一示例性實施例，有機發光顯示器的製造方法包含：將形成有一有機發光部的一基板提供到一薄膜電晶體上，透過一化學氣相沉積製程在有機發光部上形成一第一鈍化層，以及透過一原子層沉積製程在第一鈍化層上形成包含氮化矽的一氫氣阻擋層。
形成氫氣阻擋層可包含：將含有矽的一原始材料氣體供應至一製程空間中以形成氫氣阻擋層，以及將一反應氣體供應至製程空間中，其中供應反應氣體可包含：將射頻功率施加至製程空間以激發反應氣體。
原始材料氣體可包含一氨基含矽氣體或一鹵化物基含矽氣體其中至少一者。
氨基含矽氣體可包含三甲矽烷基胺(trisilylamine，TSA)氣體、雙(第三丁胺基)矽烷(bis(tertiary-butylamino)silane，BTBAS)氣體、雙(二甲胺基)矽烷(bis(dimethylamino)silane，BDMAS)氣體、雙二乙基胺基矽烷(bis(diethylamino)silane，BDEAS)氣體、二甲基胺基矽烷(dimethylaminosilane，DMAS)氣體、二乙基胺基矽烷(diethylamino silane，DEAS)氣體、二丙基胺基矽烷(dipropylamino silane，DPAS)氣體、丁胺基矽烷(butylaminosilane，BAS)氣體、二異丙基胺基矽烷(diisopropylaminosilane，DIPAS)氣體、雙(乙基甲基氨基)矽烷(bis(ethylmethylamino)silane，BEMAS)氣體或三（二甲胺基）矽烷(tris(dimethylamino)silane，TDMAS)氣體其中至少一者。
鹵化物基含矽氣體可包含一氯甲矽烷(monochlorosilane，MCS)氣體、二氯矽烷(dichlorosilane，DCS)氣體、三氯矽烷(trichlorosilane，TCS)氣體、四氯矽烷(tetrachlorosilane，STC)氣體、六氯二矽烷(hexachlorodisilane，HCDS)氣體、八氯三矽烷(octachlorotrisilane，OCTS)氣體或二碘矽烷(diiodosilane)氣體其中至少一者。
反應氣體可包含一含氮氣體或一含氫氣體其中至少一者。
氫氣阻擋層的形成可在120°C或更低的溫度進行。
以下，將參照相關圖式詳細說明本發明的示例性實施例。然，本發明可用各種形式來實施且不應被解釋為以於此闡述的實施例為限。這些實施例反而是被提供而使本發明將為透徹以及完整的，且將完整地將本發明的範圍傳達給本領域具通常知識者。於圖式中，可為了清楚說明而誇大層體及區域的尺寸。通篇相似的標號指相似的元件。
圖1為繪示根據一示例性實施例的有機發光顯示器的結構之圖式，且圖2為繪示根據另一示例性實施例的有機發光顯示器的結構之圖式。
請參閱圖1及圖2，有機發光顯示器100包含基板110、被提供於基板110上的薄膜電晶體120、被提供於薄膜電晶體120上的有機發光部150，被提供於有機發光部150上且藉由化學氣相沉積製程形成的第一鈍化層160，以及被提供於第一鈍化層160的至少一表面上的氫氣阻擋層170，其中氫氣阻擋層170包含氮化矽且由原子層沉積製程形成。此外，有機發光顯示器100可更包含被提供於第一鈍化層160上的微粒遮蔽層180以及被提供於微粒遮蔽層180上的第二鈍化層190。
於此，有機發光顯示器100可為從有機發光部150產生的光被發送到形成有薄膜電晶體120之基板110的頂側之發光型(emission-type)有機發光顯示器100。
基板110支撐設置於基板110上的各種結構。這樣的基板110可由絕緣材料製成且可包含具有可撓性的可撓基板。舉例來說，基板110可包含具有優異抗熱性及耐熱性的材料，如聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚醚醯亞胺(polyetherimide，PEI)、聚對酞酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚萘二酸乙二醇酯(polyethylene naphtalate)以及聚芳酯(polyarylate，PAR)。
薄膜電晶體120被提供於基板110上。薄膜電晶體120可包含主動層、閘極電極、源極電極與汲極電極。薄膜電晶體120可具有各種結構，如頂閘極結構、底閘極結構以及共平面結構。雖然未繪示，但有機發光顯示器100可包含與閘極電極、源極電極及汲極電極以相同材料製成的各種線路。
於此，薄膜電晶體120可為具有包含氧化物的主動層之氧化物薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)。
在使用根據相關技術的薄膜電晶體之情況中，薄膜電晶體的主動層是使用非晶矽(amorphous silicon，a-Si)。在使用非晶矽的情況中，薄膜可在低溫增長以使絕緣基板的改變最小化，但非晶矽可能會具有非常低的電荷之遷移率。
因此，近年來，已積極嘗試去使用能根據氧化物的成分實施所有三種導電性、半導性及電阻特性的氧化物，如金屬氧化物。然，在使用具有包含氧化物的主動層之氧化物薄膜電晶體的情況中，當氫氣可能滲透到主動層中時，電流的漏出會變多，且臨界電壓可能會變高而劣化電性特性。
在一示例性實施例中，在由上述氧化物薄膜電晶體驅動的有機發光顯示器中，用於防止氫氣滲透到氧化物薄膜電晶體的主動層中之氫氣阻擋層170可被設置於第一鈍化層160的至少一表面上以提升有機發光顯示裝置的耐用度及可靠度。氫氣阻擋層170的細節請容後描述。
絕緣層130可被提供於薄膜電晶體120上以遮蔽源極電極、汲極電極與主動層。絕緣層130可被提供以保護薄膜電晶體120免於受到水氣或氧氣的影響，且可設置於基板110的整個表面上以使薄膜電晶體120的汲極電極或源極電極的一部分暴露。此外，平坦化層140可被提供於絕緣層130上。平坦化層140可具有使汲極電極或源極電極的一部分暴露的接觸孔。
有機發光部150被提供於薄膜電晶體120上。舉例來說，當絕緣層130及平坦化層140被提供於薄膜電晶體120上時，有機發光部150可被提供於平坦化層140上。有機發光部150可包含陽極層152、有機發光層154及陰極層156。
陽極層152例如可透過平坦化層140的接觸孔連接於薄膜電晶體120的汲極電極或源極電極。堤部層158可設置於陽極層152的兩個表面的每一者上，且堤部層158可具有漸縮的外形。
有機發光層154可為用於產生光的層體且可由用於產生光的有機發光材料製成。於此，可藉由層壓分別發出具有多種顏色的光之有機發光材料層來提供有機發光層154。然，有機發光層154並不以此為限且可由能發出具有各種顏色的光之各種材料製成。
陰極層156被提供於有機發光層154上。因為有機發光顯示器可為頂發光類型有機發光顯示器100，所以陰極層156可由具有非常薄的厚度及低的功函數之透明導電氧化物(transparent conductive oxide，TCO)或金屬材料製成。當陰極層156由金屬材料製成時，陰極層156可具有數百埃(Å)或更小的厚度，且當陰極層156具有這樣的厚度時，陰極層156可為實質上透明的層體。
第一鈍化層160被提供於陰極層156上。也就是說，第一鈍化層160可被提供於有機發光部150上以遮蔽有機發光部150。第一鈍化層160用於保護有機發光部150免於受到可能從外界滲透的水氣或空氣或是物理衝擊的影響。
第一鈍化層160可包含氧化矽(silicon oxide，SiO)、氮化矽(silicon nitride，SiN)或氮氧化矽(silicon oxynitride，SiON)其中至少一者。藉由同時供應來源氣體以及反應氣體的化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)製程，第一鈍化層160可具有約1 Å(埃)至約10,000 Å的各種厚度。舉例來說，含有氫基含矽氣體(hydro-based silicon-containing gas)的原始材料氣體以及含有一氧化二氮氣體(N 2O)之反應氣體可同時被供應以形成含有氧化矽的第一鈍化層160，包含氫基含矽氣體的原始材料氣體以及包含氨氣(NH 3)的反應氣體可同時被供應以形成包含氮化矽的第一鈍化層160，或是包含氫基含矽氣體的原始材料氣體以及含有一氧化二氮氣體(N 2O)以及氨氣(NH 3)之反應氣體可同時被供應以形成包含氮氧化矽的第一鈍化層160。於此，氫基含矽氣體可包含矽烷(silane)氣體(SiH 4)。
氫氣阻擋層170被提供於第一鈍化層160的至少一表面上以防止氫氣滲透到薄膜電晶體120中。於此，如圖1中繪示的示例性實施例所示，氫氣阻擋層170可被提供於第一鈍化層160之下方，即有機發光部150與第一鈍化層160之間，或是如以下將描述的圖2中繪示的另一示例性實施例所示，氫氣阻擋層170可被提供於第一鈍化層160之上方，即第一鈍化層160與微粒遮蔽層180(PCL)之間。雖然氫氣阻擋層170在圖1及圖2中設置於第一鈍化層160的底或頂面上，但氫氣阻擋層170可設置於第一鈍化層160的頂及底面的每一者上，且用於實施額外功能的獨立層體可更進一步被提供在第一鈍化層160及氫氣阻擋層170之間。
可藉由依序供應來源氣體以及反應氣體的原子層沉積製程來形成氫氣阻擋層170。如上所述，當藉由原子層沉積製程形成氫氣阻擋層170時，氫氣阻擋層170的密度可被提高以防止含在設置於氫氣阻擋層170上的薄膜(如微粒遮蔽層180或第二鈍化層190)中的氫氣滲透到薄膜電晶體120中。於此，因為由原子層沉積製程形成的氫氣阻擋層170相較由化學氣相沉積製程形成的第一鈍化層160來說以較低的沉積速率沉積，所以氫氣阻擋層170可相較第一鈍化層160來說具有較小的厚度以使製程速度的降低最小化。
可透過藉由使用包含氨基含矽氣體(amino-based silicon-containing gas)或鹵化物基含矽氣體(halide-based silicon-containing gas)其中至少一者的氣體作為來源氣體並使用包含含氮氣體或含氫氣體其中至少一者的氣體作為反應氣體的原子層沉積製程，來形成氫氣阻擋層170。於此，氨基含矽氣體可包含三甲矽烷基胺(trisilylamine，TSA)氣體、雙(第三丁胺基)矽烷(bis(tertiary-butylamino)silane，BTBAS)氣體、雙(二甲胺基)矽烷(bis(dimethylamino)silane，BDMAS)氣體、雙二乙基胺基矽烷(bis(diethylamino)silane，BDEAS)氣體、二甲基胺基矽烷(dimethylaminosilane，DMAS)氣體、二乙基胺基矽烷(diethylamino silane，DEAS)氣體、二丙基胺基矽烷(dipropylamino silane，DPAS)氣體、丁胺基矽烷(butylaminosilane，BAS)氣體、二異丙基胺基矽烷(diisopropylaminosilane，DIPAS)氣體、雙(乙基甲基氨基)矽烷(bis(ethylmethylamino)silane，BEMAS)氣體或三（二甲胺基）矽烷(tris(dimethylamino)silane，TDMAS)氣體其中至少一者，且鹵化物基含矽氣體可包含一氯甲矽烷(monochlorosilane，MCS)氣體、二氯矽烷(dichlorosilane，DCS)氣體、三氯矽烷(trichlorosilane，TCS)氣體、四氯矽烷(tetrachlorosilane，STC)氣體、六氯二矽烷(hexachlorodisilane，HCDS)氣體、八氯三矽烷(octachlorotrisilane，OCTS)氣體或二碘矽烷(diiodosilane)氣體其中至少一者。
矽烷氣體(SiH 4)具有四個氫原子與一個矽原子進行化學鍵結的分子結構。因此，當藉由供應矽烷氣體(SiH 4)形成氫氣阻擋層170時，氫氣阻擋層170可具有高的氫含量，且因此含在氫氣阻擋層170中的大量的氫氣可能會滲透到薄膜電晶體中而劣化電性特性，如使薄膜電晶體的漏出電流變多以及使臨界電壓變高。此外，矽烷氣體(SiH 4)具有低吸收性質(low adsorption property)。也就是說，為了透過原子層沉積製程形成第一鈍化層160，來源氣體首先需要被吸收，但矽烷氣體(SiH 4)可能會因其低吸收性質而有難以透過原子層沉積製程形成第一鈍化層160的缺陷。因此，於一示例性實施例中，可使用包含氨基含矽氣體以及鹵化物基含矽氣體其中至少一者的氣體作為來源氣體，且因此氫氣阻擋層170可在原子層沉積製程中具有緻密的結構，同時相對氫氣阻擋層170的整體含量具有等於或小於約20原子百分比(at%)(如約10 at%至約15 at%)的氫含量，且也相較下述的微粒遮蔽層180及第二鈍化層190的每一者來說具有較低的氫含量。
微粒遮蔽層180被提供於第一鈍化層160上。於此，當氫氣阻擋層170如一示例性實施例所示被提供於第一鈍化層160之下方時，微粒遮蔽層180可被提供以遮蔽第一鈍化層160，且當氫氣阻擋層170如另一示例性實施例所示被提供於第一鈍化層160的上方時，微粒遮蔽層180可被提供以遮蔽氫氣阻擋層170。
當微粒存在於有機發光部150上時，微粒遮蔽層180整體來說用以遮蔽微粒以將頂面平坦化。微粒遮蔽層180可使用各種材料，如可使用如碳化合物的有機材料，但並不以此為限。由有機材料製成的微粒遮蔽層180之氫含量大於氫氣阻擋層170的氫含量，且氫氣阻擋層170可防止氫氣從具有高氫含量的微粒遮蔽層180滲透到薄膜電晶體120。
於此，微粒遮蔽層180的厚度可大於第一鈍化層160及將於以下描述的第二鈍化層190之每一者的厚度。當微粒在製造過程中被引入時，微粒遮蔽層180可具有足夠的厚度來可靠地遮蔽微粒。於此，微粒遮蔽層180的厚度可大於第一鈍化層160及第二鈍化層190的每一者之厚度。
第二鈍化層190可被提供於微粒遮蔽層180上以遮蔽微粒遮蔽層180。第二鈍化層190也可用於保護有機發光部150免於受到可能從外部滲透的水氣、空氣或物理衝擊的影響，且被提供以遮蔽有機發光部150的第一鈍化層160、微粒遮蔽層180及第二鈍化層190的每一者可作為有機發光顯示器100的封裝層。
第二鈍化層190可包含氧化矽(SiO)、氮化矽(SiN)或氮氧化矽(SiON)其中至少一者。於此，透過同時供應包含氫基含矽氣體的原始材料氣體以及包含一氧化二氮氣體(N 2O)或氨氣(NH 3)其中至少一者的反應氣體之化學氣相沉積製程，第二鈍化層190也可具有位於約1 Å至約10,000 Å的範圍中之各種厚度。如上所述，第二鈍化層190與第一鈍化層160可由不同的材料製成。於此情況中，可根據第二鈍化層190的功能來決定不同於第一鈍化層160的材料之第二鈍化層190的材料。因為第二鈍化層190沒有直接與有機發光部150接觸且設置於有機發光顯示器100之外，所以可執行有些不同於第一鈍化層160的功能之功能(如主要阻擋水氣從外部引入到有機發光顯示器100的功能)，且因此可決定形成第二鈍化層190的材料。此外，第二鈍化層190的材料或厚度可被決定而使得第二鈍化層190的分層(delamination)或破裂(cracking)在基板110的邊緣區域被最小化。
如上所述，透過藉由使用含有氫基含矽氣體的來源氣體的化學氣相沉積製程形成的第二鈍化層190的含氫量也可大於氫氣阻擋層170的含氫量，且因此氫氣阻擋層170可防止氫氣從具有高氫含量的第二鈍化層190滲透到薄膜電晶體120中。
以下，將參照圖3及圖4詳細說明根據一示例性實施例的有機發光顯示器的製造方法。在描述根據一示例性實施例的有機發光顯示器的製造方法時，將省略與上述有機發光顯示器的敘述重複的敘述。
圖3為繪示根據一示例性實施例的有機發光顯示器之製造方法的示意圖，且圖4為繪示根據另一示例性實施例的有機發光顯示器的製造方法的示意圖。
請參閱圖3，根據一示例性實施例的有機發光顯示器100之製造方法包含將形成有有機發光部150的基板110提供於薄膜電晶體120上的製程、透過原子層沉積製程形成包含氮化矽的氫氣阻擋層170以遮蔽有機發光部150的製程S130，以及透過化學氣相沉積製程在氫氣阻擋層170上形成第一鈍化層160的製程S140。
請參閱圖4，根據另一示例性實施例的有機發光顯示器100之製造方法包含將形成有有機發光部150的基板110提供於薄膜電晶體120上的製程、透過化學氣相沉積製程形成第一鈍化層160以遮蔽有機發光部150的製程S230，以及透過原子層沉積製程在第一鈍化層160上形成包含氮化矽的氫氣阻擋層170之製程S240。
示例性實施例中形成氫氣阻擋層170的製程S130以及形成第一鈍化層160的製程S140與另一示例性實施例中形成第一鈍化層160的製程S230以及形成氫氣阻擋層170的製程S240彼此之間的差異之處僅在於薄膜的形成順序，因此以下將共同描述為形成氫氣阻擋層170的製程S130、S240以及形成第一鈍化層160的製程S140、S230。
此外，雖然圖3及圖4中說明氫氣阻擋層170形成於第一鈍化層160的底或頂面上的方法，但氫氣阻擋層170可形成於第一鈍化層160的頂及底面的每一者上，且可將用於實施額外功能的獨立層體進一步提供在第一鈍化層160及氫氣阻擋層170之間。
在提供基板110的製程中，形成有有機發光部150的基板110被提供於薄膜電晶體120上。於此，提供基板110的製程可包含在基板110上形成薄膜電晶體120的製程S110、S210以及在薄膜電晶體120上形成有機發光部150的製程S120、S220。
在形成薄膜電晶體120的製程S110、S210中，包含主動層、閘極電極、源極電極與汲極電極的薄膜電晶體120會形成於基板110上。於此，薄膜電晶體120可為具有包含氧化物的主動層之氧化物薄膜電晶體(TFT)。
在形成有機發光部150的製程S120、S220中，有機發光部150會形成於薄膜電晶體120上。於此，絕緣層130及平坦化層140可被提供於薄膜電晶體120上以遮蔽源極電極、汲極電極以及主動層，並且，絕緣層130可形成於基板110的整個表面上以暴露汲極電極或源極電極的一部分，且平坦化層140可被形成以具有汲極電極或源極電極的那部分透過其暴露的接觸孔。
有機發光部150可包含陽極層152、有機發光層154以及陰極層156。於此，陽極層152例如可透過平坦化層140的接觸孔連接於薄膜電晶體120的源極電極或汲極電極。堤部層158可設置於陽極層152的兩個表面之每一者上，且堤部層158可具有漸縮的外形。此外，有機發光層154可形成於陽極層152上，且陰極層156可被提供於有機發光層154上。
在形成第一鈍化層160的製程S130、S240中，是藉由同時供應來源氣體及反應氣體的化學氣相沉積製程來形成第一鈍化層160。於此，可藉由同時供應包含如矽烷氣體(SiH 4)之氫基含矽氣體的原始材料氣體以及如氨氣(NH 3)、一氧化二氮氣體(N 2O)等之反應氣體，來形成第一鈍化層160。
在形成氫氣阻擋層170的製程S140、S230中，是藉由同時供應來源氣體以及反應氣體的原子層沉積製程形成氫氣阻擋層170。可以用來源氣體的供應與吹除以及反應氣體的供應與吹除作為一次循環來進行多次這樣的原子層沉積製程，且當反應氣體被供應時，可將射頻功率施加至製程空間以產生電漿。
因此，氫氣阻擋層170可被形成以防止氫氣滲透到薄膜電晶體120中，且也可透過藉由使用包含氨基含矽氣體或鹵化物基含矽氣體其中至少一者的氣體作為來源氣體並使用包含含氮氣體或含氫氣體其中至少一者作為反應氣體的原子層沉積製程，來形成氫氣阻擋層170。於此，如上所述，氨基含矽氣體可包含三甲矽烷基胺(trisilylamine，TSA)氣體、雙(第三丁胺基)矽烷(bis(tertiary-butylamino)silane，BTBAS)氣體、雙(二甲胺基)矽烷(bis(dimethylamino)silane，BDMAS)氣體、雙二乙基胺基矽烷(bis(diethylamino)silane，BDEAS)氣體、二甲基胺基矽烷(dimethylaminosilane，DMAS)氣體、二乙基胺基矽烷(diethylamino silane，DEAS)氣體、二丙基胺基矽烷(dipropylamino silane，DPAS)氣體、丁胺基矽烷(butylaminosilane，BAS)氣體、二異丙基胺基矽烷(diisopropylaminosilane，DIPAS)氣體、雙(乙基甲基氨基)矽烷(bis(ethylmethylamino)silane，BEMAS)氣體或三（二甲胺基）矽烷(tris(dimethylamino)silane，TDMAS)氣體其中至少一者，且鹵化物基含矽氣體可包含一氯甲矽烷(monochlorosilane，MCS)氣體、二氯矽烷(dichlorosilane，DCS)氣體、三氯矽烷(trichlorosilane，TCS)氣體、四氯矽烷(tetrachlorosilane，STC)氣體、六氯二矽烷(hexachlorodisilane，HCDS)氣體、八氯三矽烷(octachlorotrisilane，OCTS)氣體或二碘矽烷(diiodosilane)氣體其中至少一者。此外，可使用如氮氣(N 2)、氨氣(NH 3)及氫氣(H 2)之含氮氣體或含氫氣體其中至少一者作為反應氣體。
也就是說，於一示例性實施例中，包含氨基含矽氣體或鹵化物基含矽氣體其中至少一者的氣體可作為來源氣體使用，且因此氫氣阻擋層170可在原子層沉積製程中具有緻密的結構，同時相對氫氣阻擋層170的整體含量具有等於或小於約20 at%(如約10 at%至約15 at%)的氫含量，且也相較形成於氫氣阻擋層170上的微粒遮蔽層180及第二鈍化層190的每一者來說具有較低的氫含量。此外，在形成氫氣阻擋層170的製程S140、S230中，因為是透過射頻功率在反應氣體被供應時被施加至製程空間以產生電漿的原子層沉積製程來形成氫氣阻擋層170，所以可在約120°C或更低的溫度進行這些製程，即約80°C至約120°C的溫度。
在一示例性實施例的情況中可在形成氫氣阻擋層170的製程S140之後進行形成微粒遮蔽層180的製程，在另一示例性實施例的情況中可在形成第一鈍化層160的製程S240之後進行形成微粒遮蔽層180的製程。微粒遮蔽層180可被提供以遮蔽位於氫氣阻擋層170或第一鈍化層160上的氫氣阻擋層170或第一鈍化層160，且在形成微粒遮蔽層180的製程中，可施加液態的有機材料以形成微粒遮蔽層180。此外，在形成微粒遮蔽層180的製程之後，可進行形成第二鈍化層190的製程，且如上所述，第二鈍化層190可被提供於微粒遮蔽層180上以遮蔽微粒遮蔽層，進而用於保護有機發光部150免於受到可能從外部滲透的水氣或空氣或是物理衝擊之影響。
如上所述，氫氣阻擋層可形成於被提供於有機發光部上的第一鈍化層的至少一表面上，以防止氫氣滲透到薄膜電晶體中。
此外，含有氮化矽的氫氣阻擋層可被形成以具有低氫含量，進而防止氫氣在氫氣阻擋層中擴散到薄膜電晶體中。
因此，可減少薄膜電晶體的漏出電流，且可降低臨界電壓以改善薄膜電晶體的運作特性(operation characteristic)，並提升包含薄膜電晶體的有機發光顯示器的耐用度及可靠度。
雖然藉由使用特定的用語描述及說明具體的實施例，但這些用語僅為用於清楚解釋示例性實施例的示例，因此，對本領域具通常知識者來說顯而易見的是，示例性實施例及技術用語能以其他具體形式實施並在不改變技術概念或必要特徵的情況下進行改變。因此，應理解的是，根據本發明的示例性實施例之簡單改變可屬於本發明的技術精神。
100:有機發光顯示器 110:基板 120:薄膜電晶體 130:絕緣層 140:平坦化層 150:有機發光部 152:陽極層 154:有機發光層 156:陰極層 158:堤部層 160:第一鈍化層 170:氫氣阻擋層 180:微粒遮蔽層 190:第二鈍化層 S110,S120,S130,S140,S210,S220,S230,S240:製程
能基於以下敘述以及相關圖式更詳細地理解示例性實施例，於圖式中： 圖1為繪示根據一示例性實施例的有機發光顯示器的結構之圖式。 圖2為繪示根據另一示例性實施例的有機發光顯示器的結構之圖式。 圖3為繪示根據一示例性實施例的有機發光顯示器之製造方法的示意圖。 圖4為繪示根據另一示例性實施例的有機發光顯示器的製造方法的示意圖。
100:有機發光顯示器
110:基板
120:薄膜電晶體
130:絕緣層
140:平坦化層
150:有機發光部
152:陽極層
154:有機發光層
156:陰極層
158:堤部層
160:第一鈍化層
170:氫氣阻擋層
180:微粒遮蔽層
190:第二鈍化層

Claims (15)

  1. 一種有機發光顯示器，包含：一基板；一薄膜電晶體，被提供於該基板上；一有機發光部，被提供於該薄膜電晶體上；一第一鈍化層，被提供於該有機發光部上且藉由一化學氣相沉積製程被提供；以及一氫氣阻擋層，被提供於該第一鈍化層的至少一表面上，該氫氣阻擋層包含氮化矽且藉由一原子層沉積製程被提供。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示器，其中該氫氣阻擋層相對該氫氣阻擋層的整體氫含量具有等於或小於20原子百分比(at%)的氫含量。
  3. 如請求項1所述之有機發光顯示器，其中該氫氣阻擋層的厚度小於該第一鈍化層的厚度。
  4. 如請求項1所述之有機發光顯示器，更包含：一微粒遮蔽層，被提供於該第一鈍化層上；以及一第二鈍化層，被提供於該微粒遮蔽層上，其中該氫氣阻擋層被提供於該有機發光部以及該第一鈍化層之間及/或被提供於該第一鈍化層以及該微粒遮蔽層之間。
  5. 如請求項4所述之有機發光顯示器，其中該微粒遮蔽層包含一有機材料，並且該第一鈍化層以及該第二鈍化層的每一者包含氧化矽、氮化矽或氮氧化矽其中至少一者。
  6. 如請求項4所述之有機發光顯示器，其中該氫氣阻擋層的氫含量小於該微粒遮蔽層以及該第二鈍化層的每一者之氫含量。
  7. 如請求項1所述之有機發光顯示器，其中該薄膜電晶體包含包含氧化物的一主動層。
  8. 一種有機發光顯示器的製造方法，該方法包含：將形成有一有機發光部的一基板提供到一薄膜電晶體上；透過一原子層沉積製程形成包含氮化矽的一氫氣阻擋層以遮蔽該有機發光部；以及透過一化學氣相沉積製程在該氫氣阻擋層上形成一第一鈍化層。
  9. 一種有機發光顯示器的製造方法，該方法包含：將形成有一有機發光部的一基板提供到一薄膜電晶體上；透過一化學氣相沉積製程在該有機發光部上形成一第一鈍化層；以及透過一原子層沉積製程在該第一鈍化層上形成包含氮化矽的一氫氣阻擋層。
  10. 如請求項8或9所述之方法，其中形成該氫氣阻擋層包含：將含有矽的一原始材料氣體供應至一製程空間中以形成該氫氣阻擋層；以及將一反應氣體供應至該製程空間中，其中，供應該反應氣體包含：將射頻功率施加至該製程空間以激發該反應氣體。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該原始材料氣體包含一氨基含矽氣體或一鹵化物基含矽氣體其中至少一者。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該氨基含矽氣體包含三甲矽烷基胺(trisilylamine，TSA)氣體、雙(第三丁胺基)矽烷(bis(tertiary-butylamino)silane，BTBAS)氣體、雙(二甲胺基)矽烷(bis(dimethylamino)silane，BDMAS)氣體、雙二乙基胺基矽烷(bis(diethylamino)silane，BDEAS)氣體、二甲基胺基矽烷(dimethylaminosilane，DMAS)氣體、二乙基胺基矽烷(diethylamino silane，DEAS)氣體、二丙基胺基矽烷(dipropylamino silane，DPAS)氣體、丁胺基矽烷(butylaminosilane，BAS)氣體、二異丙基胺基矽烷(diisopropylaminosilane，DIPAS)氣體、雙(乙基甲基氨基)矽烷(bis(ethylmethylamino)silane，BEMAS)氣體或三（二甲胺基）矽烷(tris(dimethylamino)silane，TDMAS)氣體其中至少一者。
  13. 如請求項11所述之方法，其中該鹵化物基含矽氣體包含一氯甲矽烷(monochlorosilane，MCS)氣體、二氯矽烷(dichlorosilane，DCS)氣體、三氯矽烷(trichlorosilane，TCS)氣體、四氯矽烷(tetrachlorosilane，STC)氣體、六氯二矽烷(hexachlorodisilane，HCDS)氣體、八氯三矽烷(octachlorotrisilane，OCTS)氣體或二碘矽烷(diiodosilane)氣體其中至少一者。
  14. 如請求項10所述之方法，其中該反應氣體包含一含氮氣體或一含氫氣體其中至少一者。
  15. 如請求項8或9所述之方法，其中該氫氣阻擋層的形成是在120°C或更低的溫度進行。
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