KR940016593A - 실리콘 산화막에의 수소침투 억제방법 - Google Patents
실리콘 산화막에의 수소침투 억제방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940016593A KR940016593A KR1019920027079A KR920027079A KR940016593A KR 940016593 A KR940016593 A KR 940016593A KR 1019920027079 A KR1019920027079 A KR 1019920027079A KR 920027079 A KR920027079 A KR 920027079A KR 940016593 A KR940016593 A KR 940016593A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide film
- silicon oxide
- hydrogen penetration
- suppressing hydrogen
- penetration
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
반도체소자 제조공정에서 실리콘 산화막으로 수소가 침투하는 것을 억제하기 위하여, 질소를 주입하여 실리콘 산화막의 막질을 변경시키는 실리콘 산화막에의 수소침투 억제방법.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도는 실리콘기판 상부에 Al 배선을 형성한후 SiO2막을 형성하는 단계를 나타내는 반도체소자의 단면도, 제1b도는 제1a도에 형성된 SiO2막 상부로부터 N 이 온을 주입하는 단계를 나타내는 반도체소자의 단면도, 제1c도는 전체구조 상부에 SiNx 막을 증착시키는 단계를 나타내는 반도체소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체소자 내부로 수소침투를 억제하기 위한 방법에 있어서, 반도체기판 상부에 알루미늄 배선을 형성하고, 그 상부에 실리콘 산화막을 증착한후, 질소를 주입하여 실리콘 산화막이 막질을 변경시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막에의 수소침투 억제방법.
- 제 1 항에 있어서, 질소주입시 에너지는 실리콘 산화막의 두께를 고려하여 결정하고, 도스는 ~1015/m2의 고도스를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막에의 수소침투 억제방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027079A KR940016593A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 실리콘 산화막에의 수소침투 억제방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027079A KR940016593A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 실리콘 산화막에의 수소침투 억제방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016593A true KR940016593A (ko) | 1994-07-23 |
Family
ID=67220053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920027079A KR940016593A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 실리콘 산화막에의 수소침투 억제방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016593A (ko) |
-
1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027079A patent/KR940016593A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR980006037A (ko) | 반도체장치의 트렌치 소자분리 방법 | |
| KR960008392A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 및 액정표시장치 | |
| KR940016593A (ko) | 실리콘 산화막에의 수소침투 억제방법 | |
| KR940012609A (ko) | 디램셀의 저장전극 제조방법 | |
| JPS55107229A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR0178998B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선막 형성방법 | |
| KR970003619A (ko) | 반도체 소자의 보호막 형성방법 | |
| KR970003470A (ko) | 실리콘 전극의 제조 방법 | |
| KR940016585A (ko) | 패시베이션용 규소산화막 증착방법 | |
| KR0154814B1 (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR950034595A (ko) | 반도체 소자의 산화막 형성방법 | |
| KR100312030B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| KR930022589A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR20010058614A (ko) | 이중구조 게이트산화막 형성방법 | |
| KR960015806A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR940027062A (ko) | 반도체 소자용 탄탈륨옥사이드 절연막 형성방법 | |
| JPS5793574A (en) | Manufacture of mis type semiconductor device | |
| KR950009914A (ko) | 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법 | |
| KR930005188A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리 방법 | |
| JPS57102052A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS54134579A (en) | Mis semiconductor device | |
| KR960009015A (ko) | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 | |
| KR900003990A (ko) | Poly-Si를 이용한 LOCOS법 | |
| KR940001346A (ko) | 반도체 소자분리막 제조방법 | |
| KR900005570A (ko) | Nois에 의한 집적회로의 소자 격리방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |