KR950021168A - 플라즈마 처리장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

광레지스터 막이 제거되어 노출된 주변부를 가지는 반도체 웨이퍼를 이방성 에칭하는 장치와, 진공으로 설정 가능한 처리실을 가진다. 처리실 내에는 대향하는 상하 전극이 배치되고, 이 사이에서 에칭 가스가 플라즈마화 된다. 하측 전극 위에는 정전척이 배치되고, 이 위에 웨이퍼가 얹힌다. 상하 전극 사이에는 상하로 이동할 수 있는 유전체로 된 링이 배치된다. 링 중앙부는 웨이퍼 주변부에 대향하여 오목한 후드로서 형성된다. 에칭 처리중, 후드는 플라즈마 쉬스는 아래쪽에서 웨이퍼의 주변부를 접촉하지 않도록 덮고, 주변부에 대하여 에칭 처리가 실시되는 것을 방지한다.

Description

플라즈마 처리장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 의한 플라즈마 에칭 장치의 개략도를 나타내는 단면도.

Claims (20)

  1. 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 장치로서, 여기서 상기 기판상에는 패턴화 된 마스크 막이 형성되며 상기 기판은 상기 마스크 막에 의하여 덮히지 않는 주변부(58)를 가지게 되는 것으로서 상기 장치는; 처리실(2)과; 상기 처리실(2) 내에 처리 가스를 공급하기 위한 공급계와; 상기 처리실(2)을 배기하는 동시에 상기 처리실 내를 진공으로 설정하기 위한 배기계와; 상기 처리실(2) 내에 배치되고 상기 기판을 얹어놓기 위한 지지면(40a)을 가지는 얹어놓는 대와, 상기 얹어놓는 대가 상기 지지면 위에 상기 기판을 흡착 유지하기 위하여 가지는 정전척(40)과; 상기 처리실 내의 상기 지지면(40a)에 대향하는 위치에서 상기 처리가스를 플라즈마화 하는 플라즈마 생성기와, 상기 플라즈마가 상기 지지면에 대향하여 플라즈마 쉬스(sheath)를 가지는 것과; 상기 지지면 상에 얹힌 상기 기판과 상기 플라즈마 쉬스의 사이에 위치하도록 배치된 후드(21)를 포함하여 구성되며, 상기 후드(21)는 상기 기판의 상기 주변부(58)와 접촉하지 않으면서 덮어서 그 주변부(58)에 대하여 상기 플라즈마에 의하여 플라즈마 처리가 실시되는 것을 방지하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 후드(21)는 유전체로 되어 있는 플라즈마 처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 지지면(40a)과 상기 후드(21)와의 간격을 조정하기 위하여, 이들을 서로 접근 및 분리 구동하는 승강 기구를 더욱 포함하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 주변부에 인접하는 상기 기판의 모서리로부터 상기 플랜지(22)의 돌출하는 길이가 0.1~20mm이고, 상기 플랜지와 상기 주변부(58) 사이의 간격이 0.3~25mm인 플라즈마 처리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 지지면(40a)의 평면 윤곽이 상기 기판의 평면 윤곽보다 작고, 상기 기판이 상기 지지면(40a) 위에 얹힌 상태에서, 상기 지지면의 평면 윤곽이 상기 기판의 평면 윤곽 내에 위치하도록 설정되는 플라즈마 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 공급계가 에칭 가스를 상기 처리 가스로서 공급하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 플라즈마 생성기가 서로 대향하는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극 사이에 고주파 전력(31)을 공급하는 전원(44)을 가지며, 상기 제2 전극이 상기 얹어놓는 대로서 기능하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 승강 기구가, 상기 제2 전극을 독립적으로 이동하는 부재와, 상기 후드를 독립적으로 이동하는 부재를 가지는 플라즈마 처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 공급계가 상기 제1 전극에 형성된 다수의 구멍(29)을 통하여 상기 에칭 가스를 공급하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 후드(21)가, 상기 주변부(58)에 대향하는 플랜지(22)와, 상기 플랜지와 연속하여 형성되고, 상기 기판의상기 모서리에 대향하는 측벽을 가지며, 상기 측벽이 상기 주변부가 위치하는 평면을 횡단하여 연속하여 있는 플라즈마 처리장치.
  11. (a)기판의 실질적으로 전 면적 상에 광레지스터 막을 형성하는 동시에, 상기 레지스터 막을 노광 및 현상 처리하고, 패턴화된 레지스터 마스크 막을 형성하는 것으로서, 상기 기판은 상기 마스크 막에 의하여 덮히지 않는 주변부(58)를 가지도록 하는 예비 공정과; (b)상기 예비 공정 후, 플라즈마 처리장치를 사용하여 상기 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 것으로서, 상기 장치는, 처리실(2)과; 상기 처리실(2) 내에 처리 가스를 공급하기 위한 공급계와; 상기 처리실을 배기하는 동시에 상기 처리실 내를 진공으로 설정하기 위한 배기계와; 상기 처리실 내에 배치되고 상기 기판을 얹어놓기 위한 지지면(40a)을 가지는 얹어놓는 대와, 상기 얹어놓는 대가 상기 지지면 위에 상기 기판을 흡착 유지하기 위하여 가지는 정전척(40)과; 상기 처리실 내의 상기 지지면에 대향하는 위치에서 상기 처리 가스를 플라즈마화 하는 플라즈마 생성기와, 상기 플라즈마가 상기 지지면(40a)에 대향하여 플라즈마 쉬스(sheath)를 가지는 것과; 상기 지지면(40a) 상에 얹힌 상기 기판과 상기 플라즈마 쉬스의 사이에 위치하도록 배치된 후드(21)를 포함하여 구성되며, 상기 후드는 상기 기판의 상기 주변부(58)와 접촉하지 않으면서 덮어서 그 주변부에 대하여 상기 플라즈마에 의하여 플라즈마 처리가 실시되는 것을 방지하는 것이며, 또한, (i)상기 기판을 상기 처리실(2) 내에 도입하여 상기 지지면(40a) 상에 얹어놓고, 상기 정전척(40)으로 흡착 유지하는 공정과; (ⅱ) 상기 기판의 상기 주변부(58)를 상기 후드(21)에 의하여 서로 접촉하지 않도록 덮은 공정과; (ⅲ) 상기 처리실 내에 상기 처리 가스를 공급하는 동시에 상기 처리 가스를 플라즈마화 하고, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 것으로서, 상기 주변부(58)에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 것을 상기 후드(21)에 의하여 방지하도록 하는 공정으로 이루어지는 본 공정을 포함하여 구성되는, 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 후드(21)가 유전체로 되는 플라즈마 처리방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 주변부(58)에 인접하는 상기 기판의 모서리로부터 상기 플랜지(22)의 돌출하는 길이가 0.1~20mm이고, 상기 플랜지와 상기 주변부 사이의 간격이 0.3~25mm인 플라즈마 처리장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 지지면(40a)의 평면 윤곽이 상기 기판의 평면 윤곽보다 작고, 상기 기판이 상기 지지면 위에 얹힌 상태에서, 상기 지지면의 평면 윤곽이 상기 기판의 평면 윤곽 내에 위치하도록 설정되는 플라즈마 처리장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 처리 가스가 에칭 가스이고, 상기 플라즈마 처리가 에칭인 플라즈마 처리방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 플라즈마 처리가 이방성 에칭인 플라즈마 처리방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 플라즈마 생성기가 서로 대향하는 제1 및 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극 사이에 고주파 전력(31)을 공급하는 전원(44)을 가지며, 상기 제2 전극이 상기 얹어놓는 대로서 기능하는 플라즈마 처리장치.
  18. 제13항에 있어서, 상기 후드(21)가, 상기 주변부(58)에 대향하는 플랜지(22)와, 상기 플랜지와 연속하여 형성되고, 상기 기판의상기 모서리에 대향하는 측벽을 가지며, 상기 측벽이 상기 주변부가 위치하는 평면을 횡단하여 연속하여 있는 플라즈마 처리장치.
  19. 제11항에 있어서, 상기 장치가, 상기 플라즈마 생성기의 작동을 제어하는 콘트롤러(32)를 더욱 포함하고, 상기 방법이 상기 후드(21)의 클리닝에 필요한 플라즈마 처리의 총처리 시간의 기준치를 상기 콘트롤러(32)에 설정하는 공정과, 상기 콘트롤러에 의하여 복수개의 기판에 걸쳐 플라즈마 처리를 실시한 시간을 합산하여 합산치를 얻는 공정과, 상기 콘트롤러에 의하여 상기 기준치와 상기 합산치를 비교하여, 상기 합산치가 상기 기준치를 초과한 경우에, 상기 후드를 클리닝하라는 지시신호를 출력하는 공정과, 상기 지시 신호를 작동자가 인식할 수 있도록 표시하는 공정을 더욱 포함하는 플라즈마 처리방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 합산치가 상기 기준치를 초과한 경우로서, 또한 상기 플라즈마 처리가 실행되지 않은 때, 상기 콘트롤러(32)가 상기 플라즈마 생성기에 인터록을 걸어 그 시동을 방지하는 플라즈마 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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