KR950015602A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR950015602A
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film
chamber
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KR1019940024320A
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다께히또 요시다
슈지 히라오
코우사쿠 야노
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모리시다 요이치
마쯔시다 덴기 산교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 진공챔버내에 반도체 기판을 연속적으로 공급하고 이 반도체 기판상에 오옴성이고 저저항인 콘택트부를 형성하는 것을 목적으로 하는 것으로, 티탄으로 되는 타켓(2)이 배치된 진공챔버(1)내에 아르곤 가스를 공급하고 실리콘 기판 (3)상에 티탄막(5)을 퇴적찬 후, 진공챔버(1)내에 질소가 혼합된 아르곤 가스를 공급하여 티틴막(5)상에 질화티탄막(6)을 퇴적하고 그후 진공탬버(2)내에 재차 아르곤 가스를 공급하며, 타켓(2)의 표면에 부착한 질소를 제거함과 동시에 질화티탄막 (6)상에 티탄과 질소의 혼합층(9)을 퇴적 하는 것을 그 특징으로 한다.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 관한 반도체 장치의 제조방법의 각 공정을 표시하는 단면도.

Claims (4)

  1. 챔버내에 금속으로 되는 타겟이 배치된 스파터링 장치의 상기 챔버내에 실리콘으로 되는 반도체 기판을 연속적으로 공급하고 상기 반도체 기판상에 이 반도체 기판과 이 반도체 기판상에 형성되는 금속배선층을 전기적으로 접속하는 콘택트부를 형성하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 콘택트부를 형성하는 공정은, 상기 챔버내에 제1의 물질로 되는 스파터링 가스를 공급하고 상기 반도체 기판상에 상기 타켓을 구성하는 금속으로 되어 상기 반도체 기판에 대하여 저저항인 제1의 금속막을 퇴적하는 공정과, 상기 챔버내에 상기 제1의 물질과 이 제1의 물질과는 다른 제2의 물질로 되는 스파터링 가스를 공급하고, 상기 제1의 금속막상에 상기 타켓을 구성하는 금속과 상기 제2의 물질과의 화합물로 되어 상기 반도체 기판과 상기 금속배선층과의 반응을 방지하는 제2의 금속막을 퇴적하는 공정과, 상기 챔버내에 상기 제1의 물질로 되는 스파터링 가스를 공급하고 상기 타겟의 표면에 부착한 상기 제2의 물질을 제거함과 동시에 상기 제2의 금속막상에 상기 타겟을 구성하는 금속과 상기 제2의 물질과의 혼합물로 되는 제3의 금속막을 퇴적하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 타켓을 구성하는 금속은 고융점 금속인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 고융점 금속은 티탄이고, 상기 제2의 물질은 질소인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속배선층은 실리콘을 함유하는 금속으로 되고, 상기 제3의 금속막의 막두께는 8~12nm인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940024320A 1993-11-22 1994-09-27 반도체 장치의 제조방법 KR950015602A (ko)

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JP93-291755 1993-11-22
JP29175593 1993-11-22

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EP0658926A1 (en) 1995-06-21
CN1109214A (zh) 1995-09-27

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