KR950012917A - 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드의 제조방법 Download PDF

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KR950012917A
KR950012917A KR1019930022321A KR930022321A KR950012917A KR 950012917 A KR950012917 A KR 950012917A KR 1019930022321 A KR1019930022321 A KR 1019930022321A KR 930022321 A KR930022321 A KR 930022321A KR 950012917 A KR950012917 A KR 950012917A
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KR1019930022321A
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김종렬
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명 레이저 다이오드의 제조방법은 액상성장법의 되녹임 식각 및 재성장 방법에 의해 단절없이 한 단계 성장으로 수행됨으로, 종래의 2단계 성장에 비해 제작이 간단하고 재성장에 의한 불순물의 확산을 막을 수 있어 소자 특성 및 신뢰성을 향상된 레이저 다이오드를 제공할 수 있다.

Description

레이저 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제6도는 본 발명에 따른 제조단계별 제조단계별 개략적인 공정 단면도이다.

Claims (5)

  1. (1)소정영역에 돌출부가 형성되도록 기판을 패터닝(patterning)하는 기판패터닝단계, (2)상기 돌출부에 대응한 전류차단층을 성장하는 전류차단층 성장단계, (3)소정이 식각공정으로 상기 기판 돌출부위를 식각하여 그 부분에 전류주입채널을 형성하는 채널형성단계, 및 (4)상기 전류차단층 및 채널영역에 대응하여 제1크래드층, 활성층, 제2크래드층을 순차적으로 재성장하는 다층성장단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2크래드층 상부에 콘택트층을 더 성장하고, 상기 기판저면과 콘택트층 상면에 오믹전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전류주입채널형성이 액상성장법의 되녹임 식각에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전류주입채널을 초승달 모양의 형상으로 하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전류차단층성장단계와 채널형성단계 및 다층재성장단계가 연속적인 액상성장법의 성장/되녹임식각/재성장에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Date Code Title Description
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Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19931026

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
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