KR950012147A - 포지티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브 포토레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR950012147A
KR950012147A KR1019940026770A KR19940026770A KR950012147A KR 950012147 A KR950012147 A KR 950012147A KR 1019940026770 A KR1019940026770 A KR 1019940026770A KR 19940026770 A KR19940026770 A KR 19940026770A KR 950012147 A KR950012147 A KR 950012147A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mixed
less
xyleneol
cresol
compound
Prior art date
Application number
KR1019940026770A
Other languages
English (en)
Inventor
유지 요시다
하루요시 오사끼
가즈히꼬 하시모또
구니시게 에다마쓰
Original Assignee
고오사이 아끼오
스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고오사이 아끼오, 스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 고오사이 아끼오
Publication of KR950012147A publication Critical patent/KR950012147A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

m-크레졸 및 p-크레졸로 구성된 혼합 크레졸 성분, 3,5-크실렌올 및 3,5-크실렌을 이외의 크실렌올로 구성된 혼합 크실렌을 성분 및 알데히드 화합물의 축합반응을 통해 수득된 노볼렉 수치 ; 1,2-퀴논디아지드 화합물 ; 및 분자량이 900 미만인 알칼리-가용성 화합물을 함유하며, 상기 축합반응에서, 혼합 크레졸 및 혼합 크실렌올의 합계 기준 혼합 크실렌올의 비 α가 1O몰% 이상 및 25몰% 이하이고, 혼합 크실렌올중 3,5-크실렌올의 비 β가 2O몰% 이상 및 6O몰% 이하이고, 해상도, 프로필 등과 같은 특성이 우수하며 감도가 양호한 포지티브 포토레지스트 조성물.

Description

포지티브 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. m-크레졸 및 p-크레졸로 구성된 혼합 크레졸 성분, 3,5-크실렌올 및 3,5-크실렌을 이외의 크실렌올로 구성된 혼합 크실렌을 성분 및 알데히드 화합물의 축합반응을 통해 수득된 노볼렉 수치 ; 1,2-퀴논디아지드 화합물 ; 및 분자량이 900 미만인 알칼리-가용성 화합물을 함유하며, 상기 축합반응에서, 혼합 크레졸 및 혼합 크실렌올의 합계 기준 혼합 크실렌올의 비 α가 1O몰% 이상 및 25몰% 이하이고, 혼합 크실렌올중 3,5-크실렌올의 비 β가 2O몰% 이상 및 6O몰% 이하인 포지티브 포토레지스트 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 폴리스티렌으로 변환된 화합물의 분자량이 900 이하인 범위의 노블랙수지의 GPC 패턴 면적이, 미반응 혼합 크레졸 및 혼합 크실렌올의 패턴 면적을 제외한 총 패턴 면적을 기준으로 35% 이하인 포지티브 포토레지스트 조성물,
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 3,5-크실렌올 이외의 크실렌올이 2,5-크실렌올인 포지티브 포토레지스트 조성물.
  4. 제 1항 또는 제2항에 있어서, 분자량이 900 미만인 알칼리-가용성 화합물이 2개 이상의 페놀계 히드록실기를 갖는 화합물인 포지티브 포토레지스트 조성물.
  5. 제 1 항 또는 제2항에 있어서, 분자량이 900 미만인 알칼리-가용성 화합물의 함량이 노볼랙 수지, 1, 2-퀴논디아지드 화합물 및 분자량이 900 미만인 알칼리-가용성 화합물의 합계의 100중량부당 3~4O중량부인 포지티브 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940026770A 1993-10-19 1994-10-19 포지티브 포토레지스트 조성물 KR950012147A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-261381 1993-10-19
JP26138193A JP3329026B2 (ja) 1993-10-19 1993-10-19 ポジ型フォトレジスト組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950012147A true KR950012147A (ko) 1995-05-16

Family

ID=17361063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940026770A KR950012147A (ko) 1993-10-19 1994-10-19 포지티브 포토레지스트 조성물

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0650091B1 (ko)
JP (1) JP3329026B2 (ko)
KR (1) KR950012147A (ko)
CA (1) CA2118192A1 (ko)
DE (1) DE69416927T2 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3943058B2 (ja) 2003-07-16 2007-07-11 東京応化工業株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
WO2005007719A2 (en) 2003-07-16 2005-01-27 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive photoresist composition and method of forming resist pattern
JP6221316B2 (ja) * 2012-05-11 2017-11-01 住友ベークライト株式会社 フォトレジスト用樹脂組成物の製造方法、フォトレジストの製造方法および液晶デバイスの製造方法
CN112034687B (zh) * 2020-09-08 2021-08-10 江苏艾森半导体材料股份有限公司 一种光刻胶组合物及其应用

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63234249A (ja) * 1987-03-23 1988-09-29 Nippon Zeon Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JP2693472B2 (ja) * 1987-11-26 1997-12-24 株式会社東芝 レジスト
CA2023791A1 (en) * 1989-08-24 1991-02-25 Ayako Ida Radiation-sensitive positive resist composition
JP3063148B2 (ja) * 1989-12-27 2000-07-12 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
TW202504B (ko) * 1990-02-23 1993-03-21 Sumitomo Chemical Co
US5130225A (en) * 1990-05-24 1992-07-14 Sumitomo Chemical Co. Ltd. Positive resist composition comprising a cyclic dimer of isopropenyl phenol, also known as a 1,1,3 trimethyl-3-hydroxyphenyl indane
JPH05204144A (ja) * 1991-08-21 1993-08-13 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP3391471B2 (ja) * 1992-02-25 2003-03-31 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
DE69416927D1 (de) 1999-04-15
JPH07114179A (ja) 1995-05-02
EP0650091A1 (en) 1995-04-26
EP0650091B1 (en) 1999-03-10
DE69416927T2 (de) 1999-10-14
CA2118192A1 (en) 1995-04-20
JP3329026B2 (ja) 2002-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890005563A (ko) 포지티브 감광성내식막용 노볼락 수지
KR890015070A (ko) 감광성 수지 조성물
DE69628996D1 (de) Polymerzusammensetzung und Rezistmaterial
KR930013869A (ko) 양화 내성 조성물
KR900002123A (ko) 감방사선성 양성 내식막 조성물
TW200627070A (en) Photosensitive resin composition
KR910005098A (ko) 방사선 민감성 포지티브 레지스트 조성물
KR900014516A (ko) 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물
KR880000824A (ko) 포지티브형 감광성조성물
KR940022180A (ko) 양성 감광성 조성물
KR870007446A (ko) 감광성 조성물
KR930024120A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR930010615A (ko) 포지티브형 감방사선 레지스트 조성물
KR950012147A (ko) 포지티브 포토레지스트 조성물
KR940704014A (ko) 선택된 노볼락 수지 및 선택된 방사선 민감성 조성물(Selected novolak resins and selected radiation-sensitive compositions)
KR920000010A (ko) 방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물
KR930020225A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR910012818A (ko) 방사선-민감성 포지티브 레지스트 조성물
KR920001243A (ko) 포지티브 감 방사선성 레지스트 조성물
KR900701936A (ko) 코폴리(아릴렌 설파이드)와 폴리(아릴렌 설파이드)의 혼합물
KR970071133A (ko) 광저항 조성물
KR910006779A (ko) 감방사선성 포지티브 레지스트 조성물
KR900018186A (ko) 광저항물에 있어서 다 분기(多 分岐)된 노볼랙(highly branched novolak)의 사용법
KR930004806A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR950014985A (ko) 포지티브 레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid