KR950010337A - 전자회로 - Google Patents
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- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
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Abstract
게이트 접지 회로와 그 바이어스 회로를 사용하지 않은 회로 규모가 작은 커런트 미러를 포함하는 고주파 특성이 우수한 전자 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
커런트 미러 회로의 입력 전류가 흐르는 트랜지스터의 게이트에 인가되는 제어 신호에 대역 제한용의 로우 패스 필터를 구비하고 상기 커런트 미러 회로의 입력 단자와 상기 커런트 미러를 포함하는 전자 회로내의 다른 단자간의 용량에 의해 피드 포워드의 경로를 구성한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 도시하는 구성도,
제2도는 본 발명을 증폭 회로에 적용한 제2실시예를 도시한 회로도.
Claims (9)
- 커런트 미러 회로를 포함하는 전자 회로에 있어서, 상기 커런트 미러 회로의 입력부를 구성하는 트랜지스터와 출력부를 구성하는 트랜지스터의 제어 전극간에 저주파 신호 통과 수단을 배치하는 동시에 상기 커런트 미러 회로의 입력부의 입력 단자와 상기 전자 회로의 출력단과의 사이에 고주파 신호 통과 수단을 배치함으로써 저주파 신호 성분의 주된 전송 경로와 고주파 신호 성분의 주된 전송 결로를 분리한 것을 특징으로 하는 전자 회로.
- 커런트 미러 회로를 포함하는 전자 회로에 있어서, 상기 커런트 미러 회로의 적어도 입력 전류가 흐르는 트랜지스터의 게이트 전극 또는 베이스 전극에 저주파 신호 통과 수단을 접속하는 동시에 상기 전자 회로의 출력단을 구성하는 소자와 상기 커런트 미러 회로의 입력 단자를 고주파 신호 통과 수단을 개재하여 접속한 것을 특징으로 하는 전자 회로.
- 커런트 미러 회로를 포함하는 전자 회로에 있어서, 상기 커런트 미러 회로의 적어도 입력 전류가 흐르는 트랜지스터의 게이트 또는 베이스에 인가되는 제어 신호의 대역 제한 회로를 구비하고, 상기 커런트 미러 회로의 입력 단자와 상기 전자 회로내의 다른 단자와의 사이에 용량 소자에 의하여 신호 전달 경로를 구성하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
- 제3항에 있어서, 상기 대역 제한 회로는 저항과 용량에 의하여 구성되는 저역 통과 필터 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
- 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 신호 전달 경로는 상기 대역 제한 회로에 포함되는 저역 통과 필터 회로를 구성하는 용량 소자의 용량치보다 큰 용량 소자로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 저역 통과 필터 회로는 상기 커런트 미러 회로의 적어도 입력 전류가 흐르는 트랜지스터의 게이트 용량 또는 베이스 용량의 용량치에 의해 대역 제한되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 저역 통과 필터 회로는 상기 커런트 미러 회로의 적어도 입력 전류가 흐르는 트랜지스터의 게이트 용량 또는 베이스 용량의 용략치에 의해 대역 제한되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 저역 통과 필터 회로는 상기 커런트 미러 회로의 출력 전류가 흐르는 트랜지스터의 베이스 전극의 기생저항 또는 게이트 전극의 기생저항 보다 큰 저항치를 가지는 저항 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 저역 통과 필터 회로는 상기 커런트 미러 회로의 출력 전류가 흐르는 트랜지스터의 베이스 전극의 기생저항 또는 게이트 전극의 기생저항 보다 큰 저항치를 가지는 저항 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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