KR950010230A - 반도체 레이저 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 레이저 소자에 관한 것이다.

본 발명은 그 저면에 전극이 마련되며 그 상면에는 버퍼층이 형성된 기판과, 상기 버퍼층의 상부에 형성되는 것으로 그 중앙부에는 소정의 채널이 형성되어 있으며 전류를 제한적으로 차단하는 전류제한층과, 상기 전류제한층의 상부에 형성되는 것으로 그 상, 하부에는 크래드층이 형성되며 레이저를 발진시키는 활성층과, 상기 상부 크래드층 위에 형성되는 캡층을 구비하는 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 전류제한층의 중앙부에는 그 바닥면이 편평한 V형 채널이 형성되어 있으며 그 상부로는 편평한 바닥면 양편으로 산봉우리형의 융기부를 가지는 하부크래드층이 적층형성되고, 상기 하부크래드층에 대응되어 활성층 및 상부 크래드층이 적층형성되고, 상기 하부크래드층에 대응되어 활성층 및 상부 크래드층이 순차적으로 적층형성되어 있다.

이와 같은 본 발명은 활성층에 산봉우리형의 융기가 형성된 VSIS구조로 되어 있어 굴절률도파가 이루어지며, 이에 따라 횡방향의 모드제어가 용이하고 저비점수차의 레이저빔을 얻을 수 있어 광정보처리용의 장치 및 기기에 사용될 경우 고신뢰도의 광정보재생을 기대할 수 있다.

Description

반도체 레이저 소자

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 종래의 반도체 레이저 소자의 수직 단면 구조도,

제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자의 수직 단면 구조도.

Claims (2)

1. 그 저면에 전극이 마련되며 그 상면에는 버퍼층이 형성된 기판과, 상기 버퍼층의 상부에 형성되는 것으로 그 중앙부에는 소정의 채널이 형성되어 있으며 전류를 제한적으로 차단하는 전류제한층과, 상기 전류제한층의 상부에 형성되는 것으로 그 상, 하부에는 크래드층이 형성되며 레이저를 발진시키는 활성층과, 상기 상부 크래드층 위에 형성되는 캡층을 구비하는 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 전류제한층의 중앙부에는 그 바닥면이 편평한 V형 채널이 형성되어 있으며 그 상부로는 편평한 바닥면 양편으로 산봉우리형의 융기부를 가지는 하부크래드층이 적층형성되고, 상기 하부크래드층에 대응되어 활성층 및 상부 크래드층이 순차적으로 적층형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
2. 제1항에 있어서, 상기 활성층의 하면과 접촉되는 하부 크래드층은 0.2-0.3㎛의 두께로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.