KR950008106B1

KR950008106B1 - 표시장치

Info

Publication number: KR950008106B1
Application number: KR1019910012760A
Authority: KR
Inventors: 히데미 마쯔다; 다께오 이또; 가즈히꼬 시미즈
Original assignee: 가부시끼가이샤 도시바; 아오이 죠이찌
Priority date: 1990-07-24
Filing date: 1991-07-24
Publication date: 1995-07-25
Also published as: DE69123094D1; DE69123094T2; US5281893A; JPH0482145A; TW208066B; EP0468423B1; EP0468423A2; KR920003396A; EP0468423A3

Abstract

내용 없음.

Description

표시장치

제1도 내지 제8도는 본 발명의 실시예에 대한 설명도.

제1도는 일 실시예인 칼라 수상관의 구성을 나타내는 도면.

제2도는 본 발명에 따른 반사방지막의 구성을 나타내는 도면.

제3도(a) 및 (b)는 본 발명에 따른 반사방지막의 화학구성을 나타내는 도면.

제4도는 본 발명에 따른 반사방지막의 시감 반사율과 MgF₂에 대한 결착제량과의 관계를 SiO₂를 결착제로 하는 반사방지막의 경우와 비교하여 나타낸 도면.

제5도는 본 발명에 따른 반사방지막의 막강도와 MgF₂에 대한 결착제량과의 관계를 나타내는 도면.

제6도는 본 발명에 따른 반사방지막의 기공률과 MgF₂에 대한 결착제량과의 관계를 나타내는 도면.

제7도는 본 발명에 따른 반사방지막의 시간경과 변화에 따른 SiO₂를 결착제로 하는 반사방지막의 경우와 비교하여 나타낸 도면.

제8도는 다른 실시예인 액정 표시장치의 구성을 나타내는 도면.

제9도는 종래의 칼라 수상관의 구성을 설명하기 위한 도면.

제10도는 종래 반사방지막의 구성을 나타내는 도면.

제11도는 종래 반사방지막의 화학구조를 나타내는 도면이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 페닐 12 : 형광체 스크린

16 : 전자총 19 : 반사방지막

21 : MgF₂미립자 22 : 결착제

31, 32 : 기판 33, 34 : 전극

34, 36 : 배향막 38 : 액정

본 발명은 음극선관이나 액정표시장치등의 표시부는 본체 외표면이 평활한 유리본체로 구성되는 것이 많고, 그 때문에 그 외표면에서 외부광선이 1차 반사가 일어나 표시부에 나타나는 영상을 보기 어렵다는 문제가 있었다. 예를들어 음극선관에 있어서는 제9도와 같이 외표면이 평활한 유리로된 페이스플레이트(1)를 본체로 하여 그 안쪽면에 스크린(2)이 형성되고, 전자총(3)에서 방출되는 전자비임(4)을 편향요크(5)가 발생하는 자계에 의해 편향시켜 상기 형광체 스크린(2)을 수평, 수직 주사하여 영상을 표시하는 구조로 형성되어 있다. 예를들어 페이스플레이트(1) 외표면에서 일어나는 외부광선의 1차 반사가 형광체 스크린(2)상의 영상과 겹쳐져서 그 영상을 보기 어렵게 만든다.

이러한 외부 반사광의 문제를 해결하기 위한 수단으로서 종래부터 다음 2가지 수단이 있었다. 그 제1수단은 일본국 특개소 61-29051호 공보에 나타나 있듯이 페이스플레이트 외표면에 미세한 요철을 형성하여 외부광선을 산란시키는 방법이다. 그러나 이러한 수단은 화면 전체가 희게 보여 명암이 나빠지고, 또 영상의 해상도도 약화된다.

제2수단은 페이스플레이트 외표면에 단층 또는 다층의 광학면을 형성시켜 외부광선의 반사를 방지하는 반사방지막을 제작하는 방법이다.

일반적으로 이 수단에 의하면 외부광선의 1차 반사를 유효하게 방지하여 명암이나 해상도의 악화를 방지할 수 있다. 특히 단층의 반사방지막인 경우에는 통상 페이스플레이트의 유리굴절율보다 낮은 물질에 의해 형성된다. 그 무반사조건은 반사방지막의 굴절율을 n₁, 공기의 굴절율 n₀, 표시부 기체의 굴절율을 n₂로 할때

n₁ ²=n₀·n₂

로 표시되고, 음극선관의 경우 표시부 본체가 유리이기 때문에

n₂=1.52

공기의 굴절율은

n_z=1.00

이기 때문에

n₁=1.23

이 된다.

이 단층의 반사방지막을 형성시키는 일반적인 방법은 불화마그네슘(MgF₂)을 진공증착하는 방법이다. 그러나 MgF₂는 그 자체의 굴절율이 1.38로서 상기 무반사 조건의 굴절율(n₁=1.23)보다 크기 때문에 이 진공증착으로 형성된 반사방지막에서는 충분한 반사방지 효과를 얻을 수 없다.

단층의 반사방지막을 형성시키는 다른 방법으로서 MgF₂미립자를 규소(Si)의 알콕시드등을 가수분해, 탈수축합시켜 얻어지는 산화규소(SiO₂)등에 의해 결착시키는 방법이 있다. 이 방법에 의하면 제10도와 같이 MgF₂미립자(6) 사이에 틈(7)을 갖는 다공질 박막으로 만들 수 있기 때문에 굴절율을 MgF₂자체의 굴절율 1.38 이하로 할 수가 있다. 그러나 이 다공질 박막의 강도를 충분한 크기로 하려고 하면 MgF₂에 대한 결착제량이 많아져 그 결과 굴절율이 크게되어 반사방지 효과가 감소된다. 더욱 문제가 되는 것은 제11도와 같이 MgF₂미립자(6)의 표면의 SiO₂나 미축합의 Si-O-H가 존재하기 때문에 수분을 흡착하기 쉬워 그 흡착수가 다공질 박막의 틈에 침입하여 굴절율을 변화시킨다. 다시말해서 반사율이 시간의 경과에 따라 변화한다는 문제가 있다. 한편 다층의 반사방지막에 대해서는 이것을 2층 구조로 형성시키면 무반사 조건을 쉽게 선정할 수 있다. 즉 2층 구조의 반사방지막의 무반사 조건은 유리로된 표시부의 본체 굴절율을 n₂로, 하층박막의 굴절율을 n₃, 상층막의 굴절율을 n₄, 공기의 굴절율을 n₀로 할때,

n₂·(n₄)₂=n₀·(n₃)₂

로 표시되고,

n₂=1.52

n₀=1.00

로 하면,

n₃/n₄=1.23

이 되기 대문에 굴절율비 n₃/n₄가 1.23이 되도록 적절한 물질을 선택하여 하층 및 상층막을 형성시키면 좋으며, 실제로는 하층막에 굴절율이 높은 물질을 사용함으로써 용이하게 형성시킬 수 있다. 이 2층 구조의 반사방지막으로서 일본국특개소 61-10043호 공보에는 하층막을 티탄(Ti) 또는 지르코늄(Zr)의 산화물계 화합물, 예를들면 Ti 또는 Zr의 알콕시드와 SiO₂계 화합물, 예를들면 Si의 알콕시드와의 공축합체로 형성하여 상층막을 폴리플루오로 알킬기를 함유하는 알콕시 실란 또는 클로루 실란에서 얻어지는 불소를 함유한 실리콘 화합물로 형성함으로써 무반사 조건을 만족시키는 반사방지막으로 만든 것이 개시되어 있다. 그러나 이 2층 구조의 반사방지막은 하층막의 굴절율이 높기 때문에 상층막에서 피복되지 않은 부분이 생기면 그 부분에서 하층막의 표면 반사가 일어나 반사율이 높여진다. 예를들어 하층막의 굴절율이 1.7이라면 이 하층막의 반사율은 10%가 되며, 굴절율이 1.52인 통상의 유리로된 본체의 반사율 4.3%의 2배 이상이 된다. 이때문에 조그만 결점에서도 두드러져 단층의 반사방지막에 비해서 불량의 상태가 많아진다. 또 이 2층 구조의 반사방지막은 단층의 반사방지막에 비해서 제조공정도 복잡하다.

상기와 같이 음극선관이나 액정표시장치등의 표시부는 평활한 유리본체의 외표면에서 외부광선의 1차 반사가 일어나 이 반사가 표시부에 나타나는 영상과 겹쳐져서 영상을 보기 어렵게 한다는 문제가 있었다. 이 외부광 반사의 문제를 해결하는 수단으로서 종래부터 표시부 본체의 외표면에 단층 또는 다층의 광학막을 형성시켜 외부광선의 반사를 방지하는 반사방지막을 제작하는 방법이 있다. 그러나 이 단층의 반사방지막으로서 이것을 MgF₂의 진공증착법에 의해 형성시킨 것에는 MgF₂자체의 굴절율이 크기 때문에 충분한 반사방지 효과를 얻을 수 없다. 또 이 단층의 반사방지막을 MgF₂미립자를 Si의 알콕시드등을 가수분해, 탈수축합하여 얻어지는 SiO₂등에 의해 결착시켜 다공질 박막으로서 형성시키는 방법이 있지만, 이 다공질 박막의 강도를 충분한 크기로 하려고 하면 MgF₂에 대한 결착제량이 많아져 그 결과 굴절율이 크게되어 반사방지 효과가 감소된다. 그뿐만 아니라, MgF₂에 미립자의 표면에 SiO₂나 미축합의 Si-O-H가 존재하기 때문에 수분을 흡착하기 쉬워 그 흡착수가 다공질 박막의 틈으로 침입하여 굴절율을 변화시키는 문제가 있다.

또한 다층의 반사방지막으로서 2층 구조의 반사방지막에 있어서는 하층막의 굴절율이 높기 때문에 상층막에 도포되지 않은 부분등이 생기면 그 부분에서 하층막의 표면 반사가 일어나 조그마한 결점에도 두드러져 단층의 반사방지막에 비해서 불량 상태의 발생이 많아진다. 또 단층의 반사방지막에 비해서 제조공정도 복잡해지는 등의 문제가 있다. 본 발명은 상기 문제점을 감안하여 충분한 반사방지 효과를 가지며, 그밖에도 충분한 강도와 시간 경과에 따른 변화를 일으키지 않는 단층의 반사방지막을 구비한 표시장치를 구성하는 것을 그 목적으로 하고 있다. 표시부 본체의 외표면에 반사방지막이 형성되어 이루어지는 표시장치에 있어서, 상기 반사방지막을 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합체, 또는 이 실란화합물과 규소 또는 금속산화물계 화합물과의 공축합체를 결착제로 하여 불화 마그네슘 미립자를 결착시켜 이루어지는 다공질 박막으로 구성하였다.

상기와 같이 굴절율의 반사방지막을 형성시키면 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합에 또는 그 실란화합물과 규소 또는 금속산화물계 화합물과의 공중합체로된 결착제는 MgF₂와 거의 같은 굴절율을 갖기 때문에 MgF₂에 대한 그 결착제량을 조정하여 박막속의 기공율을 조정함으로써 충분한 반사방지 효과를 갖는 반사방지막을 만들 수 있고, 또 이 결착제는 종래의 단층 반사방지막의 결착제로서 사용된 Si의 알콕시드를 가수분해, 탈수축합하여 얻어진 SiO₂와 거의 같은 결착력을 갖기 때문에 반사방지막을 원하는 강도로 유지시킨 상태에서 충분한 반사방지 효과를 갖는 반사방지막으로 만들 수 있다. 그밖에도 소수성의 플루오로 알킬기를 갖는 실록산 결합으로 결합된 Si의 매트릭스에 의해 MgF₂가 결착되기 때문에 그 플루오로 알킬기가 다공질 박막의 틈으로 수분이 침입하는 것을 방지하고, 시간경과에 따른 변화를 일으키지 않게 한다.

이하 도면을 참조하면서 본 발명을 실시예에 따라 설명하기로 한다.

[실시예 1]

제1도에 그 일실시예인 칼라 수상관을 나타내었다. 이 칼라 수상관은 외표면이 평활한 구면형태의 유리로된 패널(10)과 이 패널(10)에 일체로 접합된 깔대기 모양의 판넬(11)로 이루어지는 진공 외각용기를 갖는다. 패널(10)은 표시부 본체를 이루며, 그 안쪽면에 청, 녹, 적색으로 발광하는 도트모양 또는 줄무늬 모양의 3개 형광체층 및 이 3색 형강체층의 사이를 채우는 광흡수층으로된 형광체 스크린(12)이 형성되고, 이 형광체 스크린(12)에 대향하여 그 내측에 다수의 전자비임통과 구멍이 형성된 새도우 마스크(13)가 장착되었다. 또 판넬(11)의 네트(14) 안에 3전자비임(15B)(15G)(15R)을 방출하는 전자총(16)이 설치되어 있다. 그리고 이 전자총(16)에서 방출되는 3전자 비임(15B)(15g)(15r)을 판넬(11)의 외측에 장착된 편향요크(17)에서 발생되는 자계에 의해 편향시키고, 형광체 스크린(12)을 수평, 수직주사 함으로써 영상을 표시하는 구조로 형성되어 있다. 또한 상기 패널(10)의 외측에는 상기 진공외각 용기의 폭축(爆縮)을 방지하기 위한 방폭밴드(18)가 감겨져 있다. 또 패널(10)의 구면형태로부터 인접하는 외부측의 외표면에 걸쳐 그 외표면에서의 외부 광선의 1차 반사를 방지하기 위한 반사방지막(19)이 설치되어 있다. 상기 반사방지막(19)은

[화학식 1]

[Rt(CH₂)₂]nRmSi(OR')4-(n+m)

(OR')₃Si(CH₂)₂Rf(CH₂)₂Si(OR')₃

단 Rf : 플루오로 알킬기

R : 알킬기 또는 페닐기

R' : 알킬기 또는 페닐기

n＋m3

n : 3 이하의 자연수

m : 0, 1, 2중의 어느 하나로 표시되는 플루오로 알킬기를 갖는 실란 화합물의 축합체, 또는 그 알콕실기(OR')를 클로로(Cl)로 치환한 것, 또는 그 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물과 Si 또는 Ti, Zr등의 금속 산화물계 화학물, 예를들면

M(OR)

단 M ; Ti, Zr등의 금속

과의 공축합체를 결착제로 하여 제2도와 같이 MgF₂미립자(21)를 상기 결착제(22)로 결착시킨 다공질 박막으로 구성되어 있다.

제3도(a) 및 (b)에 각각의 [Rf(CH₂)₂]nRmSi(OR')4-(n+m) 및 (OR')₃Si(C

H₂)₂Rf(CH₂)₂Si(OR')₃를 결착제로 하는 반사방지막(19)의 화학 구조를 나타내었다. 상기 반사방지막(19)의 막두께 d는 막(19)의 굴절율을 n, 빛의 파장을 λ로 할때

[수학식 1]

n₁·d=λ/4

로 결정되고, 파장 λ를 가장 시감도가 높은

λ=550㎚

에 대해서

d=1000Å

로 형성되어 있다. 따라서 이 박막을 구성하는 MgF₂미립자(21)의 입자직경은 1000Å 이하이지만, 입자직경은 100Å 이상되면 그 미립자가 반사방지막 도포용액속에서 응집되어 2차 입자를 만들어 균질의 반사방지막(19)을 형성할 수 없게 되기 때문에 10Å 이상이 요구된다. 이어서 상기 반사방지막(19) 형성에 사용되는 플루오로 알킬기를 갖는 실란 화합물의 축합체의 구성예를 나타내었다.

[화학식 2]

그런데 상기와 같이 반사방지막(19)을 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합체, 또는 그 알콕실기를 Cl로 치환한 것, 또는 그 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물과 Si 또는 금속산화물계 화합물과의 공축합체를 결착제(22)로서 MgF₂미립자(21)를 결착시킨 다공질 박막구조로 형성하면, 그 결착제(22)인 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합체등의 굴절율이 1.35-1.43으로 MgF₂의 굴절율(1.38)과 거의 같이 때문에 MgF₂에 대한 결착제량(결착제/MgF₂)을 변화시켜도 굴절율의 변화가 적고 반사방지막(19)의 굴절율이 주로 기공율에 의존하게 된다.

제4도 내지 제7도에 상기 MgF₂에 대한 결착제량과, 그 결과 얻어지는 반사방지막의 반사율, 막의 강고, 기공율 및 반사율의 시간경과에 따른 변화의 실험결과를 나타내었다. 제4도의 곡선(24)은 MgF₂에 대한 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합체로된 결착제량과 그 결과 얻어지는 반사방지막의 시감 반사율과의 관계이며, 곡선(2 5)은 Si의 알콕시드를 가수분해, 탈수축합하여 얻어진 SiO₂를 결착제로 하는 종래 구조인 반사방지막의 시간 경과에 따른 변화후의 안정된 상태의 시간 반사율을 나타낸 비교예이다. 반사방지막이 무반사 조건을 만족시키기 위해서는 반사율을 1.0% 이하로 하는 것이 요구되기 때문에 곡선(24)에서 MgF₂에 대한 결착제량은 11배 이하인 것이 바람직하다. 이 결착제량은 종래의 SiO₂를 결착제로 할 경우 곡선(25)에서 알 수 있듯이 0.25배 이하이기 때문에 결착제의 사용가능 범위가 넓어 다량의 결착제를 사용할 수 있음을 나타내고 있다.

또한 제5도의 곡선(2)은 MgF₂에 대한 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합체로된 동결착제의 양과 그 결과 얻어지는 반사방지막의 막강도와 관계를 나타낸다. 이 반사방지막의 막강도에 관해서는 상기 SiO₂를 결착제로 하는 종래 구조의 반사방지막에서도, 곡선(26)에서도 거의 같은 효과가 얻어지고 있다. 이 막강도에 관해서 음극선관의 외곽용기 표면에 형성되는 반사방지막의 강도로는 경험상 6H 이상이 필요하기 때문에 막의 소요강도로 되기 위해서는 MgF₂에 대해 결착제량을 0.25배 이상으로 할 필요가 있다. 따라서 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합체로된 결착제로 MgF₂미립자를 결착시켜 반사방지막을 원하는 반사율 및 막강도로 형성하기 위해서는 그 결착제량을 MgF₂에 대해 0.25-11의 범위로 하면 좋고, 더욱 바람직한 반사방지막으로서 반사율을 0.8% 이하, 막강도를 7H 이상으로 설정하여도 MgF₂에 대한 결착제량은 0.5 -11의 범위로 된다. 그러나 SiO₂를 결착제로 하는 종래 구조의 반사방지막에 대해서는 반사율과 막강도의 양쪽을 만족시키는 범위는 없다. 다시말해서 이 실시예의 반사방지막은 SiO₂를 결착제로 하는 종래구조의 반사방지막과 크게 차이가 있다.

제6도에 이 실시예의 반사방지막의 굴절율을 낮추는 최대요인이 되는 기공율과 MgF₂에 대한 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합체로된 동결착제량과의 관계를 곡선(27)으로 나타내었다. 상기한 바와같이 원하는 반사율과 막강도의 반사방지막 형성에 필요한 MgF₂에 대한 결착제량은 0.25-11, 바람직하게는 0.5-11의 범위이며, 기공율은 상기 곡선(27)에서 4.5-36%, 바람직하게 8-27%로 하면 좋다. 이 반사방지막은 SiO₂를 결착제로 하는 종래구조의 반사방지막과 다르고 굴절율의 시간 경과에 따른 변화도 없다. 즉 제7도에 온도 25℃, 상대습도 90%에서의 이 실시예의 반사방지막의 시간경과에 따른 변화를 종래구조의 반사방지막의 그것과 비교하여 나타내었듯이 SiO₂를 결착제로 하는 종래구조의 반사방지막은 곡선(28)으로 나타내었듯이 그 반사율이 크게 시간경과에 따라 변화하지만, MgF₂에 대한 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합체로된 결착제량을 0.25중량%로 한 이 실시예의 반사방지막은 직선(29)으로 나타나듯이 거의 시간경과에 따른 변화를 일으키지 않음을 나타내고 있다. 이것은 본 실시예의 반사방지막은 플루오로 알킬기를 갖는 실록산 결합으로 결합되는 Si의 매트릭스에 의해 MgF₂가 결착되고, 그 플루오로 알킬기의 강한 소수성에 의해 다공질 박막의 틈으로 수분이 침입하는 것이 방지되기 때문이라고 생각해도 좋다.

계속해서 이 실시예의 반사방지막의 구체예에 대해서 설명한다.

[구체예 a]

표 1에 A 내지 D로 나타낸 4종류의 조성이 다른 용액을 조합하고, 그 각 용액액을 교반하면서 수시간 숙성시키고 어느 정도 가수분해 및 탈수축합을 진행한후, 25인치 칼라 수상관의 패널 외표면에 스핀 코팅법에 의해 막두께가 1000Å가 되도록 회전수를 제어하여 도포한후, 200℃에서 20분 소성하에 반사방지막을 형성하였다.

[표 1]

그 결과 표 1에 병기한 바와같이 반사율이 0.06-1.05, 막강도가 5-8H의 시간경과에 따른 변화가 없는 안정된 원하는 반사율 및 막강도를 갖는 반사방지막이 얻어졌다.

또한 표 1의 결착제

CF₃(CF₂)₅(CH₂)₂Si(OCH₃)₃의 대신에

를 사용하여 조합한 용액에 의해 반사방지막을 형성하였어도 거의 같은 결과가 얻어졌다.

[구체예 b]

표 2에 결착제로서 플루오로 알킬기를 함유하는 실란화합물과 Si의 알콕시드와의 공축합체를 사용하고, E 내지 I로 나타낸 5종류의 조성이 다른 용액을 조합하여 구체예 a와 같이 그 각 용액을 교반하면서 수시간 숙성시켜 어느정도 가수분해 및 탈수축합을 진행시킨 후, 25인치 칼라 수상관의 패널 외표면에 스핀코팅법에 의해 막두께가 1000Å이 되도록 회전수를 제어하여 도포한후, 200℃에서 20분 소성하여 반사방지막을 형성하였다.

[표 2]

그 결과 E, F, G에 있어서는 반사율(시간반사율)로서 0.4% 전후의 시간경과에 따른 변화가 없는 안정된 반사율이 얻어졌지만, H 및 I에 있어서는 시간경과에 따른 변화가 일어 났으며, 최종적인 반사율(시감반사율)이 H에서는 0.75%, I에서는 1.05%가 되었다. 이것은 플루오로 알킬기를 함유하는 실란화합물과 다른 화합물과의 공축합체를 결착제로 할 경우에는 기타 화합물의 첨가량을 플루오로 알킬기 함유 실란화합물에 대해서 동량 이하로 할 필요가 있음을 나타내고 있다. 또한 막강도에 대해서는 어느쪽이나 7H였으며, 원하는 막강도로 할 수 있었다. 따라서 이 구체예 b에 있어서는 E, F, G가 반사율, 막강도 모두를 만족시키는 원하는 반사방지막이 되고 있다.

또 상기 구체예 a 및 b에 있어서 특기할 점은 불량이될 정도의 결점 발생이 종래의 2층 구조 반사방지막의 경우에 비해서 현저하게 낮다는 점이다. 즉 이 실시예의 반사방지막에 대해서는 청정도 5000클래스의 클린룸에서 형성하여도 이때 발생하는 불량 발생율이 청정도 1000클래스의 클린룸으로 형성했을때 발생하는 종래의 2층 구조 반사방지막의 불량 발생율과 거의 같고, 용이하게 원하는 반사방지막을 형성할 수 있어, 실용성, 양산성이 뛰어나다. 또한 이 구체예 b에서는 플루오로 알킬기를 함유하는 실란화합물과 고축합체 이외의 화합물로서 Si의 알콕시드를 사용하였지만, 이 Si의 알콕시드 대신에 M을 Ti이나 Zr등의 금속 알콕시드를 사용하여도 같은 반사방지막을 형성할 수가 있다. 또 이 반사방지막에 광선택 흡수 작용을 부가시키도록 염료, 안료를 함유시켜도 좋다. 또한 산화인듐이나 산화주석등의 미립자를 함유시켜 도전성을 부가할 수도 있다.

[실시예 2]

제8도에 따른 실시예로서 액정표시장치를 나타내었다. 이 액정표시장치는 서로 대향하는 한쌍의 유리로된 한쌍의 기판(31)(32)가, 이 기판(31)(32)의 각 대향면에 각각 형성된 ITO(Indium Tin Oxide)으로 된 소정패턴의 전극(33)(34), 이 각 전극( 33)(34)을 덮도록 상기 한쌍의 기판(31)(32)의 각 대향면에 각각 형성된 배향막(35 )(36)과, 상기 기판(31)(32) 사이에 배치되어 배향막(35)(36)에 고착되어 상기 한쌍 기판(31)(32) 간격을 규제하는 열경화성 수지로된 스페이서(37)와, 그 기판(31)(32) 사이에 충전된 액정(38)과, 이 액정(38)이 충전된 기판(31)(32) 테두리부를 봉하는 시일제(39)로 구성되어 있다. 그리고 그 표시부 본체를 이루는 그 한쪽의 기판(31) 외표면에 다음과 같은 반사방지막(19)이 설치되어 있다. 이 반사방지막(19)은 그 반사방지막(19) 형성부 이외의 부분을 시일하여 상기 구체예 a의 B용액에 담근후, 막두께가 1000Å가 되도록 상승속도를 제어하여 상승시켜 그 노출외표면에 도포시킨후 약 60℃의 온풍에서 40분간 소성하여 형성한 것이다. 그 결과 기판(31) 외표면에 시감 반사율이 약 0.4%이며 시간경과에 따른 변화가 없으며, 막강도가 7H인 양호한 반사방지막을 형성할 수 있었다.

표시장치의 표시부 본체 외표면에 형성되는 반사방지막을 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합체 또는 이 실란화합물의 축합체와 Si 또는 금속산화물계 공축합체를 결착제로서 MgF₂미립자를 결착시켜 이루어지는 다공질 박막으로 구성하면, 플루오로 알킬기를 갖는 실란 화합물의 축합체 또는 그 Si 또는 금속산화물계 화합물과의 공축합체로된 밀착제는 MgF₂와 거의 같은 굴절율을 갖기 때문에 MgF₂에 대한 그 결착제량을 조정하여 박막속의 기공율을 조정함으로써 충분한 반사방지 효과를 갖는 반사방지막으로 만들 수 있다. 그밖에도 이 결착제는 종래의 잔층 반사방지막의 결착제로서 사용된 Si의 알콕시드를 가수분해 및 탈수축합하여 얻어진 SiO₂와 거의 같은 결착력을 갖고 있기 때문에 반사방지막을 원하는 강도로 유지시킨 상태에서 충분한 반사방지 효과를 갖는 반사방지막으로 만들 수 있다. 그밖에도 이 반사방지막은 MgF₂가 소수성의 플루오로 알킬기를 갖는 실옥산 결합으로 결합하는 Si의 매트릭스에 의해 결착되어 그 플루오로 알킬기가 다공질 박막의 틈으로 수분이 침입하는 것을 막기 때문에 시간 경과에 따른 변화를 일으키지 않는 반사방지막으로 만들 수 있다. 또한 단층의 반사방지막이기 때문에 용이하며 값싸게 원하는 반사방지막을 형성할 수 있는 등의 효과가 있다.

Claims

표시부 본체의 외표면에 반사방지막이 형성되어 이루어지는 표시장치에 있어서, 상기 반사방지막이 플루오로 알킬기를 갖는 실란화합물의 축합체, 또는 상기 실란화합물과 규소 또는 금속산화물계 화합물과의 공축합체를 결착제로 하여 불화마그네슘 미립자를 결착시켜 이루어지는 다공질 박막으로 구성되고, 상기 불화마그네슘 미립자에 대한 상기 결착제량은 0.25 내지 11인 것을 특징으로 하는 표시장치.