KR940007442B1

KR940007442B1 - 반사방지막을 구비한 표시장치

Info

Publication number: KR940007442B1
Application number: KR1019910003814A
Authority: KR
Inventors: 히데미 마쯔다; 다께오 이또; 가즈히꼬 시미즈
Original assignee: 가부시끼가이샤 도시바; 사토 후미오
Priority date: 1990-03-09
Filing date: 1991-03-07
Publication date: 1994-08-18
Also published as: US5153481A; DE69106905T2; DE69106905D1; JPH03261047A; EP0445686A3; EP0445686A2; EP0445686B1

Abstract

내용 없음.

Description

반사방지막을 구비한 표시장치

제 1 도는 본 발명의 한 실시예를 나타낸 음극선관을 표시한 부분절개도.

제 2 도는 기공율과 골절율과의 관계를 나타낸 그래프.

제 3 도는 반사율의 측정법을 나타낸 모시도.

제 4 도는 본 발명의 적용한 음극선관의 페이스 플레이트상에 형성된 하층막의 모식도.

제 5 도는 본 발명을 적용한 음극선관의 페이스 플레이트상에 형성된 반사방지막의 모식도.

제 6 도는 본 발명의 한 실시예를 나타낸 반사방지막의 필터 특성을 나타낸 특성도.

제 7 도는 기공율의 하층막만의 막강도 관계를 나타낸 그래프.

제 8 도는 반사방지막의 기공율과 막경도의 관계를 나타낸 그래프.

제 9 도는 본 발명의 한 실시예를 나타낸 액정표시장치의 개략단면도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

2 : 외곽용기 3 : 네그

4 : 콘 5 : 페이스 플레이트

6 : 텐숀밴드 7 : 전자총

8 : 형광체스크린 11 : 형광등

21, 22 : 기판 23, 24 : 전극

25, 26 : 배향막 27 : 열경화형 접착스페이서

28 : 시일제 29 : 액정

30 : 반사방지막

본 발명은 표시장치, 특히 표시면 전(前)면에 반사방지막을 구비한 표시장치에 관한 것이다.

표시장치의 표시면은 유리면인 것이 많아서 주위 빛의 일차 반사때문에 표시면의 안쪽의 영상이 보기 어렵게 되는등의 문제가 있었다.

예를들면 음극선관의 페이스플레이트 외표면은 통상 매끈매끈한 유리면이기 때문에 주위 광원에서의 1차 반사가 있으면 페이스플레이트 안쪽의 영상과 겹치게 되어서 대단히 보기 어렵게 되어 버린다.

이와같은 문제를 해결하기 위해서는 크게 나누어서 2개의 수단이 있다.

제 1 의 수단은 일본특허개소 61-29051호 공고에 나타낸 바와같이 페이스플레이트 외표면에 미세한 요철을 형성하여 주위 빛을 산란시켜 버리는 방법이 있지만 이 방법에서는 화면전체가 흰색을 띠게 되어 콘트라스트가 나빠지고, 또 화상의 해상도도 악화되어 버린다. 제 2 의 수단은 페이스플레이트 외표면에 단층 또는 다층의 광학막을 형성하여 반사를 방지하는 방법이다. 이 방법은 콘트라스트와 해상도의 악화를 초래할 수는 없다.

이와같은 광학막을 단층의 경우, 표시면인 유리보다 굴절율이 낮은 물질에 의해 형성되고 그 무반사조건은 n₁ ²=n₀n₂로 나타낸다. 여기서 n₁은 박막의 굴절율, n₀는 공기의 굴절율, n₂는 표시장치의 표시면 굴절율이다.

예를들면 음극선관에서는 표시면은 유리이기 때문에 n₂=1.52 정도이다. 공기의 굴절율은 n_{_}=1.00이기때문에 반사방지막의 굴절율은 바람직하게는 n₁=1.23으로 된다. 그런데 이와같은 굴절율을 가진 물질은 일반적으로 거의 알려져 있지 않으므로 단층에서는 무반사조건을 만족시키는 반사방사막을 얻을 수가 없다.

방사방지막을 2층 구조로 했을경우 표시면의 기판 굴절율을 n₀, 하층막의 굴절율을 n₁, 상측막의 굴절율을 n₂, 공기의 굴절율을 n₃로 하면 무반사조건은 n₀(n₂)³=(n₁)²n³로 된다. 음극선관에서는 n₀에서 유리의 굴절율 1.52, n₃에서 공기 굴절율 1.00을 대입함으로서 n₁/n₂=1.23이라고 하는 값을 얻는다. 즉 하층막과 상측막의 굴절율의 비가 1.23으로 되는 조합의 2층막을 음극선관의 페이스플레이트 외표면에 형성하면 좋다. 이와같은 박막을 형성하는 방법으로, 증착법과 스퍼터법이 잘알려져 있지만 이들 방법은 표시장치의 표시면과 같은 비교적 커다란 기판에 적용하면 장치가 대규모로 되고 또 제조조건의 제어도 대단히 곤란하게 되기 때문에 실제 이용에는 적합하지 못하다.

커다란 기판에 광학막과 같은 박막을 형성하는데에는 막형성 재료를 함유한 용액을 도포 건조하는 방법에 의한 쪽이 용이하다. 이 방법에서는 출발물질에 금속 알콕시드등을 사용하여 가수분해, 탈수 축합시킴으로서 금속산화물을 축합체로써 얻을수 있는 조루겔법이라 불리우는 방법이 자주 이용된다. 일본 특개소 61-10043호 공보에서는 유리기판상에 하층막을 Ti 또는 Zr의 산화물계 화합물(예를들면 Ti 또는 Zr의 알콕시드)과 SiO₂계 화합물(예를들면 Si의 알콕시드)의 공중합체로 형성하고 상층막을 폴리플루오로 알킬기를 함유하는 알콕시 실란 또는 크롤신란에서 얻어지는 불소를 함유한 실리콘화합물로 형성함에 따라 무반사 조건을 만족시키는 반사방지막을 얻을 수 있다는 것을 나타내고 있다.

하층막의 공축합체는 금속화합물의 가수분해 및 탈수축합의 2개 과정을 거쳐서 얻을 수 있다. 금속화합물이 알콕시드의 경우 일반식을 이하에 나타낸다.

가수분해과정 : M(OR)n+xH2 O→

M(OH) × (OR)n-x+x ROH

탈수 축합 : M-OH+HO-M→

M-O-M=H2 O

여기서 n,x는 자연수, M은 금속원소, R은 알킬기.

그런데 금속 알콕시드는 금속종류에 의해서 가수분해 속도가 현저하게 다르기 때문에 예를들면 Si의 알콕시드는 Ti,Zr에 비교하여 가수분해의 속도가 느리다.

따라서 Si와 Ti 또는 Si와 Zr의 산화물을 만들때는 출발용액중에 Ti 또는 Zr의 알콕시드가 선택적으로 빠르게 가수분해되어 버려 형성된 박막의 조성이 불균일하게 된다. 그 결과, 완성된 막의 강도를 충분히 얻을 수 없는 등의 문제점이 있었다.

이상과 같이 표시장치 표시면의 일차반사를 방지하기 위해서 표시면에 미세한 요철을 형성하면 콘트라스트와 해상도의 악화를 초래하고 또 반사방지막을 형성할 경우 단층에서는 무반사 조건을 만족시키는 굴절율을 가진 물질이 없고 2층에서도 강도등을 포함하여 간단하게 형성되는 막을 얻을 수 없다.

본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하여 용이하게 형성할 수 있고, 충분한 반사방지 효과를 가지고 또 충분한 강도를 가진 반사방지막을 구비한 표시장치를 제공하는데 있다.

본 발명은 표시장치의 표시면 외표면에 TiO₂를 주성분으로하여 기공율 30% 이상, 75% 이하, 또는 평균 작은구멍 직경은 100Å이하의 다공질 박막을 하층에, 불소함유기와 사이클록산 결합을 각각 적어도 1개 이상 가진 Si를 주성분으로 하는 박막을 상층에 형성함으로써 충분한 효과를 가진 반사방지막을 구비한 표시장치를 용이하게 얻을 수 있다.

상층막에 사용되는 불소함유기와 실록산 결합을 적어도 1개이상 가진 Si를 주성분으로 한 박막은 통상 불소함유기를 1개이상 가진 알콕시실란을 가수분해, 탈수축합함으로서 얻을 수 있다.

이와같은 화합물로서는 예를들면, CF₃CH₂CH₂Si(OMe)₃, CF₃(CF₂)₅CH₂CH₂Si(OMe)₃CF₃(CF₂)₇CH₂CH₂Si(OMe)₃CF₃(CF₂)₇CH₂CH₂Si(OMe)₂, (MeO)₃SiCH₂CH₂CH₂(CF₂)₆CH₂CH₂Si(OMe)₃(여기서 Me는 메틸기)등을 들을 수 있다.

이들 물질에 의해 형성되는 박막은 프라스틱등의 반사방지막으로써 종래에도 알려져 있지만 유리기판에서는 충분한 반사방지 효과를 얻을 수 없기 때문에 이용되지않았다. 이 박막은 발수성, 방염성에서 대단히 우수한 효과를 가지고 또 표면이 매끈하기 때문에 외관상 강도가 상승하는 등의 이점도 가지고 있다. 따라서. 여러가지 환경에 처해지는 상층막에 사용하는 데에는 최적의 특성을 가지고 있다. 그런데 이 박막의 굴절율은 불소의 함유량에 따라 다르지만, 1.3∼1.43정도이다. 이와같은 박막을 상층막으로 했을경우 표시장치의 표시면이 유리일때는 하층막의 굴절율은 적어도 1.5∼2.0일 필요가 있고, 바람직하게는 1.6∼1.8이다. 이 범위의 굴절율을 가진 박막으로서는 예를들면 TiO₂와 SiO₂의 혼합물등이 알려져 있다. 전술한 바와같이 표시장치와 같은 커다란 기판에 박막을 형성하는 데에는 스퍼터법과 증착법은 증착법은 적합하지 않기 때문에 막형성 재료를 함유한 용액을 도포, 건조하는 방법이 바람직하지만 Ti와 Si와 2개 알콕시드을 출발재료로 했을경우, 가수분해 속도의 차이등 때문에 막조성을 불균일하게 하고 강도등에서 충분한 특성을 얻을 수 없다. 또한 Ti의 알콕시드만으로 박막을 형성하면 강도는 충분하게 얻을수 있지만 굴절율이 2.5∼2.9정도 되어서 소정의 굴절율을 얻을 수 없다. 역으로 Si 알콕시드만으로 형성하면 굴절율이 1.45정도로 되어 역시 소정의 굴절율을 얻을 수 없다.

발명자들은 Ti의 알콕시드를 출발재료로 하여 일정 조건하에서 박막을 형성함에 따라 TiO₂를 주성분으로 한 박막중에서 기공을 함유시키고 굴절율을 소정의 값으로 조절할 수 있는 것을 발견했다. 제 2 도에 나타낸 바와같이 기공의 비율이 크게되면 굴절율을 낮고 기공의 비율이 작아지면 굴절율은 높아진다. 소정의 굴절율을 1.5∼2.0을 얻는데에는 기공율을 30%∼75%이면 되고, 바람직하게는 45%∼65%가 좋다.

제 7 도에서 평균 가는구멍 직경이 100Å 및 약 150Å일때 기공율과 하층막만의 막경도와의 관계를 나타낸다. 평균 가는구멍 직경이 약 100Å일 경우, 기공율이 높게되면 막경도는 낮아지지만 기공율 75%까지는 막경도가 6H이상이어서 실용적으로는 문제가 없다. 그러나, 평균 가는구멍 직경이 약 150Å일 경우, 기공율이 50% 이상에서 막경도가 급격하게 낮아지고 또한 막의 백탁화(白濁化)가 발생한다고 하는 사실을 알았다.

그런데 이 하층막에 상층막이 형성될 경우의 막경도와 하층막의 기공율은 제 8 도에 나타낸 것과 같은 관계가 있다. 하층막의 평균 가는구멍 직경이 약 100Å로 기공율이 낮은 경우 하층막만의 경도는 증가함에도 불구하고 막전체로서의 경도는 낮게되는 이유는 이하와 같다고 추정된다.

본 발명에 따른 페이스플레이트(5)상에 형성된 하층막의 모식도를 제 4 도에 나타낸다. 실제의 기공은 작은 것이지만 설명을 위해서 확대한 것이다. 이와같은 다공질막상에 상층막 형성액을 도포했을 경우 용액이 기공속으로 들어가서 소성을 행하면 제 5 도에 나타낸 바와같은 구조의 2층막을 형성한다. 하층막(12)과 상층막(13)의 경계에 하층막(12)의 성분과 상층막(13)의 성분이 혼재하는 중간층(14)이 존재한다고 생각되고 이 층이 상층막과 하층막의 접착력을 강화시킴으로써 막경도가 높아진다고 추정된다. 따라서, 하층막의 기공율이 낮아지면 막경도 특히 상층막의 경도가 저하하는 것으로 생각된다.

또 기공율이 높게되었을 경우 상층막과 하층막의 접착력을 강하게 되지만 하층막 자체의 경도가 낮아지기 때문에 막전체로의 경도도 약화되는 것으로 생각된다. 평균 가는구멍 직경이 약 100Å일 경우, 실용적인 막경도 6H이상을 얻는데에는 제 8 도에서의 기공율이 30∼80%의 범위일 필요가 있다. 또, 평균 가는구멍 직경이 약 150Å일 경우 6H이상의 막경도는 기공율이 30∼50%의 범위에 있을 경우만이고, 소정 굴절율을 얻도록 했을 경우에 충분한 막경도를 얻을 수 없는 경우가 발생한다.

따라서 가는구멍의 평균 직경은 100Å이하가 되지 않으면 안된다.

이 박막을 형성하는 용액은 Ti의 알콕시드를 주성분으로 하고 있기 때문에 가수분해 반응속도의 차이에 따른 막조성의 불균일등의 문제는 없고 평균 가는구멍 직경과 기공율을 소정의 범위로 설정한다면 충분한 강도를 얻을 수 있을 것이다. 출발재료가 되는 Ti의 알콕시드가 적어도 알콕시드기를 1개이상 가진다면 좋다. 대표적인 것으로는 Ti(O-iC₃H₇)₄, Ti(OC₂H₅)₄, Ti(O-tC₅H₁7)등을 들을 수 있다.

[실시예 1]

이하 음극선관을 사용한 실시예에 따라서 본 발명을 상세하게 설명한다.

제 1 도는 본 발명을 기초로하여 제조된 음극선관(1)을 나타낸 부분절개 측면도이다. 이 음극선관(1)은 내부가 배치되어 있는 기밀성의 유리제 외곽용기(2)를 가진다. 이 외곽용기(2)는 네크(3) 및 네크(3)에서 연속하는 콘(4)을 가진다. 또한 외곽용기(2)는 콘(4)과 프릿유리에 의해 봉하게 되는 페이스플레이트(5)를 가진다. 이 페이스플레이트(5)의 측벽외주에는 폭발방지를 위해서 금속제의 텐숀 밴드(6)가 감겨져 있다. 이 네크(3)에는 전자비임을 방사하는 전자총(7)이 배치되어 있다. 페이스플레이트(5)의 내면에는 전자총(7)에서의 전자비임에 의해 여기되어 발광하는 형광체층으로 이루어진 형광체 스크린(8)이 설치되어 있다. 또 콘(4)의 외측에는 형광체 스크린상을 주사하도록 전자비임을 편향시키는 편향장치(도시하지 않음)가 장착된다.

그런데 이 음극선관(1)의 페이스플레이트(5)의 외표면에는 반사방지 효과를 가진 2층구조의 반사방지막(9)이 형성되어 있어 페이스플레이트(5)의 일차반사가 대폭으로 저감된다. 이 박막(9)은 아래와 같이 제조된다.

이하의 조성액 A 및 B를 조정했다.

A액 티탄이소프로폭시드

(Ti(O-iC₃H₇)₄).....................................................5 wt%

이소프로필알콜...................................................95 wt%

B액(MeO)₃SiCH₂CH₂(CF₂)₆CH₂CH₂Si(OMe)₃................................1 wt%

증류수............................................................1 wt%

HCl............................................................0.05 wt%

이소프로필알콜...................................................나머지

우선 A액을 휘저어 섞어서 공기중의 수분과 반응(가수분해)시키면서 2시간 숙성을 행하였다. 그 후 A액을 상대습도 40∼50%의 분위기 속에서 입자종료후의 25인치 사이즈의 칼라음극선관의 페이스플레이트 전면에 스핀코드에 의해 도포하여 스핀시키면서 100℃정도의 온풍을 불어서 약 1분정도 건조한후 B액을 스핀코드에 의해 도포했다. 그후 200℃에서 20분 소성하고 반사방지막을 형성했다. 제 5 도에서 페이스플레이트(5)상에 형성된 막의 모식도를 나타냈다. 이때 하층막(12)은 약 1500Å, 상층막(13)은 약 1000Å의 막두께를 가지고 있다.

이 반사방지막의 경도시험을 스크래치값 시험용 연필을 이용하여 JIS 규격에 따라서 행한 결과 7H였다. 또 반사율은 제 3 도에 나타낸 바와같이 형광등(1)을 이용하여 입사각 30。에서의 정반사 휘도를 휘도계(TOPCONBM-5)를 이용하여 측정을 행한결과 반사방지막을 형성하고 있지않는 음극선관에 비해서 정반사가 27%로 감소되었다.

이 반사방지막은 하층막의 형성조건에 의해서 하층막의 굴절율이 변화하여 반사방지 효과에 차가 발생한다. 형성조건 속에서 하층막의 굴절율에 영향을 끼치는 요인은 A액의 조성, 도포시의 상대습도, B액도포후의 소성 온도이다. A액의 조성은 가수분해에 이용되는 순수물의 첨가량이 적은쪽이, 또 도포시의 상대습도는 높은쪽이, 또 소성 온도는 약 200℃이하에서 기공율이 높은 막을 얻을수가 있다. 본 실시예에 있어서는 A액의 조성에 순수물을 첨가하지 않고 공기중의 수분을 이용하여 숙성(가수분해)을 행하고 상대습도가 40∼50%의 환경하에서 도포, 200℃에서 20분간 건조함으로서 기공율의 조절을 행하였다. 이 조건하에서 형성된 B액을 도포하지 않고서 200℃로 소성했을때의 박막의 기공율은 약 55%이고, 1.7정도의 굴절율이었다. 도포시의 상대습도를 30%이하로 했을경우 B액을 도포하지 않고서 200℃로 소성했을때의 기공율은 25%정도로 되어 굴절율은 2이상이었다. 이 조건하(상대습도 30%이상)에서 A액을 스핀코드에 의해 도포하여 스핀시키면서 100℃정도의 온풍으로 1분간 건조한후 B액을 도포, 200℃에서 소성하여 반사방지막을 얻으면 반사방지 효과는 거의 얻을 수 없었다. 막경도도 5H로 저하했다. 반사방지 효과를 얻을 수 없는 이유는 하층막의 기공율이 저하하기 때문에 굴절율이 높게 되어 버리기 때문이라고 생각된다.

[실시예 2]

실시예 1에 이용된 A액에 아시드로다민 B를 1.0 wt%의 비율로 첨가하여 실시예 1과 같은 양상으로 하여 반사방지막을 형성했다. 이 칼라음극선관의 정반사를 측정한 결과, 종래의 반사방지막을 형성하고 있지 않는 칼라음극선관에 비하여 정반사가 25%로 실시예 1과 거의 같은 값을 얻을 수 있었다. 본 실시예에 의한 반사방지막은 제 6 도에 나타낸 광선택 흡수작용을 가진 광필터 기능을 구비하고 이 칼라음극선관의 BCP(Brightness Contrast Performance)는 1.25로 양호한 콘트라스트 특성 및 보디칼라를 나타낸다. 본 실시예의 칼라음극선관의 하층막은 염료를 봉입함에 따라 광선택 흡수기능이 부가된다. 광필터의 특성으로서는 시감도가 가장 낮고 형광체의 발광에너지가 커다란 450nm 부근 및 630nm부근에서 최대 투과율로서 외광흡수 효율이 최대로 되고, 또한 형광체의 발광에너지가 적은 575nm 부근에서 최소 투과율로서 시감도가 높게되고, 더구나 녹색발광용 발광피크인 530nm 부근에서 투과율이 중간이 된다. 덧붙이면 이 광필터의 특성으로서는 575nm-530nm의 사이에서는 550nm 부근은 530nm보다 외광에너지가 크고, 또 녹색발광용 형광체의 발광에너지가 적기 때문에 이 사이의 광투과율은 530nm에서의 투과율보다도 적게한다. 즉 파장이 450nm, 530nm, 550nm, 630nm 및 최대 흡수파장의 빛에 대한 투과율을 각각 T450, T530, T550, T630 및 Tmin으로 했을때, Tmin

T550〈T530, T530

T630의 관계를 만족하는 필터 특성이라 한다면 콘트라스트 개선의 최대 효율을 얻을 수 있다.

또 광필터 보디칼라의 컨트롤은 각 점에서의 투과율의 비율을 이하(1)∼(3)식을 만족하도록 규제하는 것으로 실용수준까지 개선되는 것을 확인할 수 있었다.

T450/T530=1∼2......................................................(1)

T630/T530=1∼2......................................................(2)

T450/T630=0.7∼1.43.................................................(3)

전술한 관계에 있어서 (1)식의 값이 2를 초과하든지 (3)식의 값이 1.43을 상회할 경우는 푸른빛이 강한 보디칼라로 되고, 또 (2)식의 값이 2를 초과하든지 (3)식의 값이 0.7를 하회할 경우는 붉은 빛이 강한 보디칼라로 되어 실용적으로 되지 못한다. 또한 (1),(2)식의 값이 1을 하회했을 경우는 콘트라스트의 향상이 저하하고 BCP의 값이 적게되어 실용적이 아니다.

또 상층막은 이 하층막의 보호막으로서도 작용한다. 상층막은 전술한 바와같이 발수성, 방염성에서 대단히 우수한 특성을 가지고 하층막으로 물, 광학물질의 침입을 방지하기 때문에, 하층막의 광선택 흡수기능의 내환경 특성을 대폭적으로 개선된다. 예를들면 본 실시예의 광선택 흡수기능을 가진 반사방지막을 실온의 물에 500시간 침적한 결과 광투과율 특성에서 어떠한 변화는 인정되지 않았지만 하층막만의 광선택 흡수막은 실온의 물에 48시간 침적한 결과 거의 완전하게 염료가 녹아 나와서 광선택 흡수기능을 거의 남아 있지 않았다. 또한, 시판된 차아염산 나트륨을 함유하는 표백제를 깊이 스며들게한 직물을 이용하여 러빙시험을 행한 결과 본 실시예의 필터는 변화가 없는데 비해, 하층막만 있는것은 광선택 흡수특성을 전혀 남아있지 않았다.

또 내자외선 특성에 있어서도 현저한 개선을 얻을 수 있고 메탈 할라이드 램프로 100mw/㎠의 자외선을 4시간 조사한후 광흡수 잔조율은 본 실시예의 광선택 흡수막이 93%인데 비하여 하층막만 있는것은 75%였다. 이상과 같이 주위 빛의 반사가 없고, 콘트라스트도 양호하고, 장시간에 걸쳐서 안정하게 특성을 유지할 수 있는 칼라음극선관을 얻을 수 있다.

[실시예 3]

실시예 1의 이용된 B액에 아시드로다민 B를 0.3 wt%의 비율로 첨가하여 실시예 1과 같은 양상으로 하여 반사방지막을 형성했다. 이 칼라음극선관의 정반사를 측정한 결과 종래의 반사방지막을 형성하고 있지 않은 칼라음극 선관에 비하여 27%의 정반사를 나타내어 실시예 1과 거의 같은 값을 얻을 수 있었다. 본 실시예에 의한 반사방지막은 제 6 도에 나타낸 광선택 흡수작용을 가지고 이 칼라음극선관이 BCP는 1.22로 양호한 콘트라스트 특성을 나타냈다. 또 이 막의 광선택 흡수기능은 염료를 봉입한 상층막 자신이 폐수성, 방염성에 우수한 것에서 부터 내수성, 내약품성, 내자외선 특성은 실시예 2와 같은 양상으로 현저하게 향상됐다.

[실시예 4]

실시예 1에서 이용된 A액에 흡수성 금속염으로서 질산 리튬을 0.5 wt% 첨가하여 실시예 1과 같은 양상으로 반사방지막을 형성했다. 정반사는 종래의 반사방지막을 형성하고 있지않는 칼라음극선관에 비해 28%로 되고 실시예 1과 거의 동등한 값을 얻었다. 이 반사방지막은 하층막에 흡수성 금속염으로서 질산 리튬이 포함되어 있기 때문에 도전성을 가지고 표면 저항값은 1.0×109Ω/㎠이였다.

본 실시예의 음극선관은 동작중 대전은 전혀 일어나지 않았다.

[실시예 5]

실시예 1에서 이용된 B액에 흡수성 금속염으로서 질산 리튬을 0.1 wt% 첨가하여 실시예 1과 같은 양상으로 반사방지막을 형성했다. 정반사는 종래의 반사방지막을 형성하고 있지않는 칼라음극선관과 비교하여 27%로 되고 실시예 1과 동등하였다.

이 반사방지막의 표면 저항값은 3.0×109Ω/㎠으로 대전 방지 기능을 가지고 있다.

[실시예 6]

실시예 1에서 이용된 A액에 규산 테트라에틸(Si(OC₂H₅)₄)을 0.45 wt%, 1.2 wt%, 2.1 wt%의 비율로 첨가하여 실시예 1과 같은 양상으로 하여 반사방지막을 형성했다. 정반사는 종래의 음극선관과 비교하여 26∼30%이었지만 막강도는 각각 7H,6H,5H로 첨가량이 증가하는 만큼 저하했다. 실사용 조건에 있어서, 막강도는 최저 6H이상 필요하기 때문에 하층막의 TiO₂의 비율은 80%이상인 것이 바람직하다.

[실시예 7]

제9도는 본 발명의 한 실시예에 대해서 얻어진 액정표시기(20)를 나타낸 단면도이다. 제9도에 있어서 유리로 이루어진 한쌍의 기판(21)(22)의 일주면상에 각각, 예를들면 ITO(인둠.틴. 옥사이드)로 이루어진 전극(23)(24)이 소정의 패턴으로 형성되는 동시에 폴리이미드 수지등의 배향막(25)(26)이 도포형성되어 있다. 배향막(25)(26)에는 러빙처리가 실시되었다. 기판(21)(22)중의 한쪽, 예를들면 기판(22)의 일주면상에 열경화형 접착 스페이서(27)가 살포되고 약 100℃온도에서 가열을 행함으로서 열경화형 접착 스페이서(27)는 경화하여 기판(22)에 고정된다. 그리고 기판(21)(22)은 시일제(28)에 의해서 봉착되어 있다. 그리고 기판(21)(22)사이에 액정(29)이 봉입되어 있다. 이와같은 액정표시기(20)의 기판(21) 외표면에는 본발명에 따른 상층막과 하층막으로 이루어진 반사방지막(30)이 형성되어 있다.

이 반사방지막(30)은 이하의 방법에 의해 형성되었다. 액정표시기의 기판외표면 부분을 남기고서 그외를 모두 시일하여 실시예 1에서 이용한 A액에 침적하여 수직으로 들어올려서 A액을 도포했다. 그후 상대습도 40∼50%의 분위기 속에서 약 50℃의 온풍을 불어서 약 1분간 건조한 후에, B액에 침적하여 수직으로 들어올려 B액을 도포했다. 다음으로 약 50℃ 열풍으로 20분간 소성하여 반사방지막을 형성했다. 들어올림 속도는 하층막이 약 1500Å, 상층막이 1000Å로 되도록 조절했다. 이 결정표시기의 정반사는 종래의 액정표시기에 비교하여 정반사가 약 28%로 줄어들었다.

이상 기술한 바와같이 본 발명에 의하면 용이하게 형성할 수 있고 충분한 반사방지 효과를 가지고 또 충분한 강도를 가진 반사방지막을 구비한 표시장치를 얻는것이 가능하게 된다.

Claims

표시면(5) 전면에 TiO₂를 주성분으로 하는 하층막(12)과, 전술한 박막의 표면에 불소함유기를 한 개이상, 실록산 결합을 1개이상 가진 Si를 주성분으로 한 상층막(13)을 구비한 표시장치에 있어서, 전술한 TiO₂를 주성분으로 하는 하층막(12)는 가는구멍을 가진 다공질 박막이고, 그 기공율은 30%이상, 75%이하, 또한 가는구멍 평균직경은 100Å이하인 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 1 항에 있어서, 전술한 TiO₂를 주성분으로 하는 하층막(12)은 광선택 흡수필터 작용을 가지고 또 그 흡수특성은 400∼650nm의 영역에서 575±20nm의 파장영역에서 최대 흡수파장을 가지고 더구나 파장이 450nm, 530nm, 550nm, 630nm 및 최대 흡수파장의 빛에 대한 투과율을 각각 T450, T530, T550, T630 및 Tmin으로 했을때에,

Tmin
T550〈T530

1
T450/T530
2

1
T630/T530
2

0.7
T450/T630
1.43

의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 1 항에 있어서, 전술한 불소함유기를 1개이상, 실록산 결합을 1개이상 가진 Si를 주성분으로 하는 상층막(13)은 광선택 흡입필터 작용을 가지고, 또한 그 흡수특성은 400∼650nm의 영역에서 575±20nm의 파장영역에서 최대 흡수파장을 가지고, 더구나 파장이 450nm, 530nm, 550nm, 630nm 및 최대 흡수파장의 빛에 대한 투과율을 각각 T450, T530, T550, T630 및 Tmin으로 했을때,

Tmin
T550〈T530

1
T450/T530
2

1
T630/T530
2

0.7
T450/T630
1.43

의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 1 항에 있어서, 전술한 TiO₂를 주성분으로 하는 하층막(12)은 흡수성의 금속염을 함유하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 1 항에 있어서, 전술한 불소함유기를 1개이상, 실록산 결합을 1개이상 가지는 Si를 주성분으로 한 상층막(13)은 흡수성 금속염을 함유하는 것을 특징으로 하는 표시장치.