JPH0794089A - 陰極線管の反射帯電防止膜形成方法 - Google Patents
陰極線管の反射帯電防止膜形成方法Info
- Publication number
- JPH0794089A JPH0794089A JP24022393A JP24022393A JPH0794089A JP H0794089 A JPH0794089 A JP H0794089A JP 24022393 A JP24022393 A JP 24022393A JP 24022393 A JP24022393 A JP 24022393A JP H0794089 A JPH0794089 A JP H0794089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- polyvinyl alcohol
- forming
- alcohol solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 陰極線管の反射帯電防止膜形成方法におい
て、フェース部20外表面に帯電防止効果をもつ高屈折率
の下層31を形成する工程と、珪酸エステルのアルコール
溶液にポリビニルアルコール溶液を混合分散し、ポリビ
ニルアルコール溶液が粒径２００μm 以下の微粒子とし
て均一に混在する分散液を造り、この分散液を帯電かつ
紫外線を照射しながら下層上にスプレーし乾燥して、珪
酸エステル中にポリビニルアルコールの微粒子47が混在
する混在層48を形成する工程と、水洗処理により混在層
中のポリビニルアルコールを除去して、表面に凹凸ピッ
チが５０〜２００μm 、凹凸の平均高さが５０〜１００
μm の凹凸を有する上層30を形成する工程とにより反射
帯電防止膜を形成するようにした。 【効果】 表示画像の解像度の低下させない所望の反射
帯電防止膜を形成することができる。
て、フェース部20外表面に帯電防止効果をもつ高屈折率
の下層31を形成する工程と、珪酸エステルのアルコール
溶液にポリビニルアルコール溶液を混合分散し、ポリビ
ニルアルコール溶液が粒径２００μm 以下の微粒子とし
て均一に混在する分散液を造り、この分散液を帯電かつ
紫外線を照射しながら下層上にスプレーし乾燥して、珪
酸エステル中にポリビニルアルコールの微粒子47が混在
する混在層48を形成する工程と、水洗処理により混在層
中のポリビニルアルコールを除去して、表面に凹凸ピッ
チが５０〜２００μm 、凹凸の平均高さが５０〜１００
μm の凹凸を有する上層30を形成する工程とにより反射
帯電防止膜を形成するようにした。 【効果】 表示画像の解像度の低下させない所望の反射
帯電防止膜を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、陰極線管のフェース
部外表面に反射帯電防止膜を形成する陰極線管の反射帯
電防止膜形成方法に関する。
部外表面に反射帯電防止膜を形成する陰極線管の反射帯
電防止膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に陰極線管は、外表面が平滑なガラ
ス製フェース部の内面に蛍光体スクリーンが形成され、
電子銃から放出される電子ビームを偏向装置の発生する
磁界により偏向して、上記蛍光体スクリーンを水平、垂
直走査するこにより、画像を表示し、この画像をフェー
ス部を通して外側から観察する構造に形成されている。
そのため、フェース部の外表面が平滑であると、その外
表面での外光の反射が表示画像と重なり、フェース部を
通して観察する画像の品質を劣化する。
ス製フェース部の内面に蛍光体スクリーンが形成され、
電子銃から放出される電子ビームを偏向装置の発生する
磁界により偏向して、上記蛍光体スクリーンを水平、垂
直走査するこにより、画像を表示し、この画像をフェー
ス部を通して外側から観察する構造に形成されている。
そのため、フェース部の外表面が平滑であると、その外
表面での外光の反射が表示画像と重なり、フェース部を
通して観察する画像の品質を劣化する。
【０００３】また陰極線管は、駆動時、蛍光体スクリー
ンに１７〜２７ kＶ程度の高電圧が印加される。そのた
め、フェース部内面の電荷が静電誘導によりフェース部
外表面に誘導されて帯電し、大気中の塵埃などの付着に
より表示画像を見にくくする。また視聴者がフェース部
外表面に触れると、衝撃を受け不快感を感ずる。
ンに１７〜２７ kＶ程度の高電圧が印加される。そのた
め、フェース部内面の電荷が静電誘導によりフェース部
外表面に誘導されて帯電し、大気中の塵埃などの付着に
より表示画像を見にくくする。また視聴者がフェース部
外表面に触れると、衝撃を受け不快感を感ずる。
【０００４】このようなフェース部外表面での外光の反
射や帯電を防止するために、従来よりフェース部の外表
面に反射帯電防止膜を形成した陰極線管がある。その反
射帯電防止膜の形成方法として、つぎの方法が知られて
いる。
射や帯電を防止するために、従来よりフェース部の外表
面に反射帯電防止膜を形成した陰極線管がある。その反
射帯電防止膜の形成方法として、つぎの方法が知られて
いる。
【０００５】（イ） フェース部外表面に研磨剤を吹付
け（サンドブラスト法）、さらに弗化水素酸により腐蝕
処理して、図５に示すように、フェース部１の外表面に
微細な凹凸を形成し、その凹凸面にＣＶＤ法によりＳｎ
Ｏ2 膜を形成して凹凸膜からなる反射帯電防止膜２とす
る方法。
け（サンドブラスト法）、さらに弗化水素酸により腐蝕
処理して、図５に示すように、フェース部１の外表面に
微細な凹凸を形成し、その凹凸面にＣＶＤ法によりＳｎ
Ｏ2 膜を形成して凹凸膜からなる反射帯電防止膜２とす
る方法。
【０００６】この方法は、ＣＶＤ法によりＳｎＯ2 膜を
形成するとき、４６０℃の高温加熱が必要である。また
完成した陰極線管に対しては加工することができない。
また陰極線管製造工程における酸処理時の腐蝕により凹
凸面が変化し、再生が不可能となる。またフェース部１
外表面に欠陥が生じた場合も、同様に再生が不可能とな
る。さらにこの場合形成される反射帯電防止膜２は、一
般に平均山間隔Ｐ、十点平均粗さＲz が、 Ｐ＝１０〜２０μm Ｒz ＝０．５〜１．５μm となり、透過光を拡散して表示画像の解像度を劣化する
などの問題がある。
形成するとき、４６０℃の高温加熱が必要である。また
完成した陰極線管に対しては加工することができない。
また陰極線管製造工程における酸処理時の腐蝕により凹
凸面が変化し、再生が不可能となる。またフェース部１
外表面に欠陥が生じた場合も、同様に再生が不可能とな
る。さらにこの場合形成される反射帯電防止膜２は、一
般に平均山間隔Ｐ、十点平均粗さＲz が、 Ｐ＝１０〜２０μm Ｒz ＝０．５〜１．５μm となり、透過光を拡散して表示画像の解像度を劣化する
などの問題がある。
【０００７】（ロ） 珪酸エステルのアルコール溶液に
Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子を分散させた
分散液を、あらかじめ５０〜６０℃に予備加熱したフェ
ース部の外表面に塗布し、１５０℃以上に加熱焼成して
アルコール成分を蒸発させ、珪酸エステルの縮合によ
り、図６に示すように、Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ
2 超微粒子３を含む凹凸膜からなる反射帯電防止膜２を
形成する方法。
Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子を分散させた
分散液を、あらかじめ５０〜６０℃に予備加熱したフェ
ース部の外表面に塗布し、１５０℃以上に加熱焼成して
アルコール成分を蒸発させ、珪酸エステルの縮合によ
り、図６に示すように、Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ
2 超微粒子３を含む凹凸膜からなる反射帯電防止膜２を
形成する方法。
【０００８】この方法は、比較的容易に反射帯電防止膜
２を形成することができる。また完成した陰極線管にも
適用可能であり、再生も可能である。しかし上記（イ）
の方法と同様に平均山間隔Ｐ、十点平均粗さＲz が、 Ｐ＝１０〜２０μm Ｒz ＝０．５〜１．５μm となり、透過光を拡散して表示画像の解像度を劣化する
という問題がある。
２を形成することができる。また完成した陰極線管にも
適用可能であり、再生も可能である。しかし上記（イ）
の方法と同様に平均山間隔Ｐ、十点平均粗さＲz が、 Ｐ＝１０〜２０μm Ｒz ＝０．５〜１．５μm となり、透過光を拡散して表示画像の解像度を劣化する
という問題がある。
【０００９】（ハ） 珪酸エステルのアルコール溶液
に、直径１０〜１０００μm のＳｉＯ2 （およびＭｇＦ
2 ）微粒子およびＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微
粒子を分散させた分散液をディッピンク法やスピン法に
よりフェース部の外表面に塗布し、１５０℃以上に加熱
焼成して、図７に示すように、ＳｉＯ2 微粒子４および
Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子３を含む凹凸
膜からなる反射帯電防止膜２を形成する方法。
に、直径１０〜１０００μm のＳｉＯ2 （およびＭｇＦ
2 ）微粒子およびＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微
粒子を分散させた分散液をディッピンク法やスピン法に
よりフェース部の外表面に塗布し、１５０℃以上に加熱
焼成して、図７に示すように、ＳｉＯ2 微粒子４および
Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子３を含む凹凸
膜からなる反射帯電防止膜２を形成する方法。
【００１０】この方法も比較的容易に反射帯電防止膜２
を形成することができる。この場合形成される反射帯電
防止膜２は、膜中に含まれるＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳ
ｎＯ2 超微粒子３により帯電防止効果が得られ、ＳｉＯ
2 微粒子４により得られる表面の微細凹凸により、空気
−膜表面間に連続的な体積比変化が発生して、膜の屈折
率が低くなり、可視光域（３８０〜６５０nm）の広範囲
で低反射スペクトルを有する反射特性をもつ。しかしこ
の反射帯電防止膜２は、ＳｉＯ2 微粒子４による拡散作
用が大きいため、膜全体が曇った状態（ヘイズ）とな
り、表示画像の解像度を劣化する。またＳｉＯ2 微粒子
４とＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子３との結
合が弱く、耐摩耗性がいちじるしく低いなどの問題があ
る。
を形成することができる。この場合形成される反射帯電
防止膜２は、膜中に含まれるＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳ
ｎＯ2 超微粒子３により帯電防止効果が得られ、ＳｉＯ
2 微粒子４により得られる表面の微細凹凸により、空気
−膜表面間に連続的な体積比変化が発生して、膜の屈折
率が低くなり、可視光域（３８０〜６５０nm）の広範囲
で低反射スペクトルを有する反射特性をもつ。しかしこ
の反射帯電防止膜２は、ＳｉＯ2 微粒子４による拡散作
用が大きいため、膜全体が曇った状態（ヘイズ）とな
り、表示画像の解像度を劣化する。またＳｉＯ2 微粒子
４とＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子３との結
合が弱く、耐摩耗性がいちじるしく低いなどの問題があ
る。
【００１１】（ニ） 蒸着によりフェース部外表面に多
層蒸着膜からなる反射帯電防止膜を形成する方法。
層蒸着膜からなる反射帯電防止膜を形成する方法。
【００１２】図８にその一例を示す。この反射帯電防止
膜２は、第１層５にＭｇＦ2 （屈折率ｎ5 ＝１．３
８）、第２層６にＴｉＯ2 ＋Ｐｒ6 Ｏ11（屈折率ｎ6 ＝
２．０６）、第３層７にＭｇＦ2 （屈折率ｎ7 ＝１．３
８）、第４層８にＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＩｎ2 Ｏ3 を
蒸着し、この第４層８のＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＩｎ2
Ｏ3 で帯電防止効果を得、第１層ないし第４層５〜８の
干渉作用により正反射率Ｒlum を０．１％以下にしてい
る。
膜２は、第１層５にＭｇＦ2 （屈折率ｎ5 ＝１．３
８）、第２層６にＴｉＯ2 ＋Ｐｒ6 Ｏ11（屈折率ｎ6 ＝
２．０６）、第３層７にＭｇＦ2 （屈折率ｎ7 ＝１．３
８）、第４層８にＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＩｎ2 Ｏ3 を
蒸着し、この第４層８のＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＩｎ2
Ｏ3 で帯電防止効果を得、第１層ないし第４層５〜８の
干渉作用により正反射率Ｒlum を０．１％以下にしてい
る。
【００１３】しかしこの方法は、これを陰極線管に適用
しようとすると、大規模な設備が必要となり、製品コス
トの上昇を招く。しかも陰極線管製造時の傷の発生や再
生にも問題がある。
しようとすると、大規模な設備が必要となり、製品コス
トの上昇を招く。しかも陰極線管製造時の傷の発生や再
生にも問題がある。
【００１４】（ホ） 珪酸エステルのアルコール溶液ま
たは金属アルコキシド溶液に酸化物超微粒子を分散させ
た分散液をスピン法によりフェース部外表面に塗布し、
加熱焼成して縮合させ（ゾル−ゲル法）、多層膜からな
る反射帯電防止膜を形成する方法。
たは金属アルコキシド溶液に酸化物超微粒子を分散させ
た分散液をスピン法によりフェース部外表面に塗布し、
加熱焼成して縮合させ（ゾル−ゲル法）、多層膜からな
る反射帯電防止膜を形成する方法。
【００１５】図９にその一例として２層構造の反射帯電
防止膜２を示す。この反射帯電防止膜２は、第１層９
（上層）がＳｉＯ2 （屈折率ｎ9 ＝１．４６）、第２層
１０（下層）を珪酸エステルのアルコール溶液とＴｉの
アルコキシド溶液にＳｂ2 Ｏ3をドープしたＳｎＯ2 超
微粒子を分散させた分散液を塗布し、Ｓｂ2 Ｏ3 をドー
プしたＳｎＯ2 超微粒子３を含むＳｉＯ2 とＴｉＯ2 と
の混在構造に形成されている。
防止膜２を示す。この反射帯電防止膜２は、第１層９
（上層）がＳｉＯ2 （屈折率ｎ9 ＝１．４６）、第２層
１０（下層）を珪酸エステルのアルコール溶液とＴｉの
アルコキシド溶液にＳｂ2 Ｏ3をドープしたＳｎＯ2 超
微粒子を分散させた分散液を塗布し、Ｓｂ2 Ｏ3 をドー
プしたＳｎＯ2 超微粒子３を含むＳｉＯ2 とＴｉＯ2 と
の混在構造に形成されている。
【００１６】この反射帯電防止膜２では、Ｓｂ2 Ｏ3 を
ドープしたＳｎＯ2 超微粒子３により帯電防止効果を
得、２層９、１０の干渉効果により反射防止効果を得て
いる。しかしこのような多層膜構造は、高屈折率または
低屈折率の酸化物超微粒子、縮合した金属アルコキシ
ド、ＳｉＯ2 の混在構造となるため、膜自体の屈折率
が、酸化物超微粒子の屈折率が縮合した金属アルコキシ
ドの屈折率よりも低い場合は高く、逆に酸化物超微粒子
の屈折率が縮合した金属アルコキシドの屈折率よりも高
い場合は低くなり、所望の反射特性が得にくい。
ドープしたＳｎＯ2 超微粒子３により帯電防止効果を
得、２層９、１０の干渉効果により反射防止効果を得て
いる。しかしこのような多層膜構造は、高屈折率または
低屈折率の酸化物超微粒子、縮合した金属アルコキシ
ド、ＳｉＯ2 の混在構造となるため、膜自体の屈折率
が、酸化物超微粒子の屈折率が縮合した金属アルコキシ
ドの屈折率よりも低い場合は高く、逆に酸化物超微粒子
の屈折率が縮合した金属アルコキシドの屈折率よりも高
い場合は低くなり、所望の反射特性が得にくい。
【００１７】一般に低反射特性を示す多層膜は、ｎを屈
折率、ｄを膜厚、λを可視光域の中心波長（５００nm）
とすると、 ｎ×ｄ＝λ／４ を満足するように低屈折率膜と高屈折率膜を組合わせて
形成される。しかし低屈折率膜の屈折率を低くするため
に低屈折率の酸化物超微粒子を混入する場合は、耐摩耗
性も含めた総合特性から、 ｎ＝１．４０ が限度となる。この場合、高屈折率膜としては、１．７
３以上の屈折率が必要となり、金属アルコキシドに高屈
折率の酸化物超微粒子を混入しても、１．７３以上の高
屈折率膜にすることは難しく、反射特性を低くすること
が困難である。図９に示した反射帯電防止膜２では、第
１層９の屈折率ｎ9 ｎ9 ＝１．４６ に対して、第２層１０の屈折率ｎ10は、 ｎ10＝１．６５ であり、２層構造の正反射率Ｒlum は、約１．０％であ
り、反射特性として不十分である。
折率、ｄを膜厚、λを可視光域の中心波長（５００nm）
とすると、 ｎ×ｄ＝λ／４ を満足するように低屈折率膜と高屈折率膜を組合わせて
形成される。しかし低屈折率膜の屈折率を低くするため
に低屈折率の酸化物超微粒子を混入する場合は、耐摩耗
性も含めた総合特性から、 ｎ＝１．４０ が限度となる。この場合、高屈折率膜としては、１．７
３以上の屈折率が必要となり、金属アルコキシドに高屈
折率の酸化物超微粒子を混入しても、１．７３以上の高
屈折率膜にすることは難しく、反射特性を低くすること
が困難である。図９に示した反射帯電防止膜２では、第
１層９の屈折率ｎ9 ｎ9 ＝１．４６ に対して、第２層１０の屈折率ｎ10は、 ｎ10＝１．６５ であり、２層構造の正反射率Ｒlum は、約１．０％であ
り、反射特性として不十分である。
【００１８】このような反射特性を改善するためには、
酸化物超微粒子あるいは金属アルコキシドを多くしなけ
ればならず、膜中でのＳｉＯ2 結合が低下して耐摩耗性
がいちじるしく劣化する。
酸化物超微粒子あるいは金属アルコキシドを多くしなけ
ればならず、膜中でのＳｉＯ2 結合が低下して耐摩耗性
がいちじるしく劣化する。
【００１９】また２層以上の多層構造とすると、低反射
率化、低反射スペクトルの広域化が実現可能である。し
かしゾル−ゲル法では、特に多層膜の場合、膜厚の制御
が難しく、膜厚の不均一に起因する色むらが発生する。
率化、低反射スペクトルの広域化が実現可能である。し
かしゾル−ゲル法では、特に多層膜の場合、膜厚の制御
が難しく、膜厚の不均一に起因する色むらが発生する。
【００２０】要するに、ゾル−ゲル法により低反射率お
よび低反射スペクトルの広域化を実現しようとすると、
製造面で膜厚の制御、特性面で反射特性および耐摩耗性
が問題となる。
よび低反射スペクトルの広域化を実現しようとすると、
製造面で膜厚の制御、特性面で反射特性および耐摩耗性
が問題となる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、陰極線
管の反射帯電防止膜形成方法として、従来より、 （イ） フェース部の外表面に微細な凹凸を形成し、そ
の凹凸面にＣＶＤ法によりＳｎＯ2 膜を形成して凹凸膜
からなる反射帯電防止膜とする方法 （ロ） 珪酸エステルのアルコール溶液にＳｂ2 Ｏ3 を
ドープしたＳｎＯ2 超微粒子を分散させた分散液を塗布
して、Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子を含む
凹凸膜からなる反射帯電防止膜を形成する方法 （ハ） 珪酸エステルのアルコール溶液にＳｉＯ2 やＭ
ｇＦ2 微粒子およびＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超
微粒子を分散させた分散液をディッピンク法やスピン法
により塗布して、ＳｉＯ2 やＭｇＦ2 微粒子およびＳｂ
2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子を含む凹凸膜から
なる反射帯電防止膜を形成する方法 （ニ） 蒸着により多層蒸着膜からなる反射帯電防止膜
を形成する方法 （ホ） 珪酸エステルのアルコール溶液または金属アル
コキシド溶液に酸化物超微粒子を分散させた分散液をス
ピン法により塗布して、ゾル−ゲル法により多層膜から
なる反射帯電防止膜を形成する方法 などの各種方法がある。しかしこれら従来の反射帯電防
止膜の形成方法は、それぞれバルブの再生、表示画像の
解像度、膜の反射特性、膜の耐摩耗性などに問題があ
り、所望の反射帯電防止膜とすることが困難である。
管の反射帯電防止膜形成方法として、従来より、 （イ） フェース部の外表面に微細な凹凸を形成し、そ
の凹凸面にＣＶＤ法によりＳｎＯ2 膜を形成して凹凸膜
からなる反射帯電防止膜とする方法 （ロ） 珪酸エステルのアルコール溶液にＳｂ2 Ｏ3 を
ドープしたＳｎＯ2 超微粒子を分散させた分散液を塗布
して、Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子を含む
凹凸膜からなる反射帯電防止膜を形成する方法 （ハ） 珪酸エステルのアルコール溶液にＳｉＯ2 やＭ
ｇＦ2 微粒子およびＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超
微粒子を分散させた分散液をディッピンク法やスピン法
により塗布して、ＳｉＯ2 やＭｇＦ2 微粒子およびＳｂ
2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子を含む凹凸膜から
なる反射帯電防止膜を形成する方法 （ニ） 蒸着により多層蒸着膜からなる反射帯電防止膜
を形成する方法 （ホ） 珪酸エステルのアルコール溶液または金属アル
コキシド溶液に酸化物超微粒子を分散させた分散液をス
ピン法により塗布して、ゾル−ゲル法により多層膜から
なる反射帯電防止膜を形成する方法 などの各種方法がある。しかしこれら従来の反射帯電防
止膜の形成方法は、それぞれバルブの再生、表示画像の
解像度、膜の反射特性、膜の耐摩耗性などに問題があ
り、所望の反射帯電防止膜とすることが困難である。
【００２２】この発明は、上記問題点に鑑みてなされた
ものであり、低屈折率化および低反射スペクトルの広域
化が可能であり、表示画像の解像度の劣化をもたらさな
い反射帯電防止膜を容易に形成する方法を得ることを目
的とする。
ものであり、低屈折率化および低反射スペクトルの広域
化が可能であり、表示画像の解像度の劣化をもたらさな
い反射帯電防止膜を容易に形成する方法を得ることを目
的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】陰極線管のフェース部外
表面に屈折率の異なる２層以上の光学膜からなる反射帯
電防止膜を積層形成する陰極線管の反射帯電防止膜形成
方法において、フェース部外表面に帯電防止効果をもつ
高屈折率の下層を形成する工程と、珪酸エステルのアル
コール溶液にポリビニルアルコール溶液を混合分散し、
そのポリビニルアルコール溶液が粒径２００μm 以下の
微粒子として均一に混在する分散液を造り、この分散液
を帯電させかつ紫外線を照射しながら下層上にスプレー
し乾燥して、珪酸エステル中にポリビニルアルコールの
微粒子が混在する混在層を形成する工程と、水洗処理に
より混在層中のポリビニルアルコールを除去して、表面
に凹凸ピッチが５０〜２００μm 、凹凸の平均高さが５
０〜１００μm の凹凸を有する上層を形成する工程とに
より反射帯電防止膜を形成するようにした。
表面に屈折率の異なる２層以上の光学膜からなる反射帯
電防止膜を積層形成する陰極線管の反射帯電防止膜形成
方法において、フェース部外表面に帯電防止効果をもつ
高屈折率の下層を形成する工程と、珪酸エステルのアル
コール溶液にポリビニルアルコール溶液を混合分散し、
そのポリビニルアルコール溶液が粒径２００μm 以下の
微粒子として均一に混在する分散液を造り、この分散液
を帯電させかつ紫外線を照射しながら下層上にスプレー
し乾燥して、珪酸エステル中にポリビニルアルコールの
微粒子が混在する混在層を形成する工程と、水洗処理に
より混在層中のポリビニルアルコールを除去して、表面
に凹凸ピッチが５０〜２００μm 、凹凸の平均高さが５
０〜１００μm の凹凸を有する上層を形成する工程とに
より反射帯電防止膜を形成するようにした。
【００２４】
【作用】上記のように上層の表面に凹凸ピッチが５０〜
２００μm 、凹凸の平均高さが５０〜１００μm の微細
凹凸を形成すると、空気と上層との連続的な体積比変化
により、上層の屈折率を通常の光学媒質では実現できな
い値まで低下させることができ、低屈折率化および低反
射スペクトルを広域化する反射防止膜とすることがで
き、この上層の反射特性により、下層を比較的低屈折率
にしても、たとえばＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超
微粒子を耐摩耗性の許される限りＳｉＯ2 膜中に含ませ
ることが可能となり、十分な帯電防止特性をもたせるこ
とができる。また上層の表面に非常に微細な凹凸を形成
することができるため、凹凸による拡散作用を低くで
き、表示画像の解像度の低下を防止できる。しかも上層
がＳｉＯ2 膜であるため、十分な耐摩耗性をもたせるこ
とができる。
２００μm 、凹凸の平均高さが５０〜１００μm の微細
凹凸を形成すると、空気と上層との連続的な体積比変化
により、上層の屈折率を通常の光学媒質では実現できな
い値まで低下させることができ、低屈折率化および低反
射スペクトルを広域化する反射防止膜とすることがで
き、この上層の反射特性により、下層を比較的低屈折率
にしても、たとえばＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超
微粒子を耐摩耗性の許される限りＳｉＯ2 膜中に含ませ
ることが可能となり、十分な帯電防止特性をもたせるこ
とができる。また上層の表面に非常に微細な凹凸を形成
することができるため、凹凸による拡散作用を低くで
き、表示画像の解像度の低下を防止できる。しかも上層
がＳｉＯ2 膜であるため、十分な耐摩耗性をもたせるこ
とができる。
【００２５】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００２６】図３にその一実施例に係るカラー受像管を
示す。このカラー受像管は、ガラス製パネル２０（フェ
ース部）およびこのパネル２０に一体に接合されたガラ
ス製ファンネル２１からなる真空外囲器を有し、そのパ
ネル２０のスカート部２２の外周には、大気圧荷重に対
して真空外囲器を補強する防爆バンド２３が装着されて
いる。上記パネル２０の内面には、ドット状またはスト
ライプ状の３色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン２４
が形成され、この蛍光体スクリーン２４に対向して、そ
の内側にシャドウマスク２５が配置されている。一方、
ファンネル２１のネック２６内に電子銃２７が配置され
ている。そして、この電子銃２７から放出される３電子
ビーム２８をファンネル２１の外側に装着された偏向装
置（図示せず）の発生する磁界により偏向して、蛍光体
スクリーン２４を水平、垂直走査することにより、蛍光
体スクリーン２４上にカラー画像を表示する構造に形成
されている。
示す。このカラー受像管は、ガラス製パネル２０（フェ
ース部）およびこのパネル２０に一体に接合されたガラ
ス製ファンネル２１からなる真空外囲器を有し、そのパ
ネル２０のスカート部２２の外周には、大気圧荷重に対
して真空外囲器を補強する防爆バンド２３が装着されて
いる。上記パネル２０の内面には、ドット状またはスト
ライプ状の３色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン２４
が形成され、この蛍光体スクリーン２４に対向して、そ
の内側にシャドウマスク２５が配置されている。一方、
ファンネル２１のネック２６内に電子銃２７が配置され
ている。そして、この電子銃２７から放出される３電子
ビーム２８をファンネル２１の外側に装着された偏向装
置（図示せず）の発生する磁界により偏向して、蛍光体
スクリーン２４を水平、垂直走査することにより、蛍光
体スクリーン２４上にカラー画像を表示する構造に形成
されている。
【００２７】さらにこのカラー受像管においては、上記
パネル２０の外表面に反射帯電防止膜２９が形成されて
いる。この反射帯電防止膜２９は、２層３０，３１の積
層構造に形成され、そのパネル２０の外表面に密着する
第２層３１（下層）は、Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ
2 超微粒子３２を含むＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混在構造に
形成され、屈折率ｎと膜厚ｄが、 ｎ×ｄ＝λ／４ の関係を満足し、Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微
粒子３２が帯電防止効果を、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 との混
在構造層が膜の高屈折率化を達成している。これに対
し、第１層３０（上層）は、表面が微細凹凸のＳｉＯ2
膜からなり、屈折率ｎと膜厚ｄが、 ｎ×ｄ＝λ／４ の関係を満足し、その表面に凹凸ピッチＰおよび平均粗
さＲa が、それぞれ Ｐ＝５０〜２００μm Ｒa ＝５０〜１００μm となっている。
パネル２０の外表面に反射帯電防止膜２９が形成されて
いる。この反射帯電防止膜２９は、２層３０，３１の積
層構造に形成され、そのパネル２０の外表面に密着する
第２層３１（下層）は、Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ
2 超微粒子３２を含むＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混在構造に
形成され、屈折率ｎと膜厚ｄが、 ｎ×ｄ＝λ／４ の関係を満足し、Ｓｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微
粒子３２が帯電防止効果を、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 との混
在構造層が膜の高屈折率化を達成している。これに対
し、第１層３０（上層）は、表面が微細凹凸のＳｉＯ2
膜からなり、屈折率ｎと膜厚ｄが、 ｎ×ｄ＝λ／４ の関係を満足し、その表面に凹凸ピッチＰおよび平均粗
さＲa が、それぞれ Ｐ＝５０〜２００μm Ｒa ＝５０〜１００μm となっている。
【００２８】上記反射帯電防止膜２９は、つぎのように
形成される。
形成される。
【００２９】まずパネルの外表面を酸化セリウムで研磨
あるいはアルカリ洗剤で洗浄して汚れを除去して活性化
する。ついで図１（ａ）に示すように、その活性化され
たパネル２０の外表面に、珪酸エステルのアルコール溶
液とＴｉのアルコキシド溶液に粒径１０μm 以下のＳｂ
2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子を分散した分散液
をスプレー法により塗布し乾燥して、Ｓｂ2 Ｏ3 をドー
プしたＳｎＯ2 超微粒子３２を含むＴｉＯ2 とＳｉＯ2
の混在構造の第２層３１を形成する。
あるいはアルカリ洗剤で洗浄して汚れを除去して活性化
する。ついで図１（ａ）に示すように、その活性化され
たパネル２０の外表面に、珪酸エステルのアルコール溶
液とＴｉのアルコキシド溶液に粒径１０μm 以下のＳｂ
2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒子を分散した分散液
をスプレー法により塗布し乾燥して、Ｓｂ2 Ｏ3 をドー
プしたＳｎＯ2 超微粒子３２を含むＴｉＯ2 とＳｉＯ2
の混在構造の第２層３１を形成する。
【００３０】つぎに図２に示すように、珪酸エステルの
アルコール溶液３３、ポリビニルアルコール溶液３４お
よびポリビニルアルコールの架橋剤を加圧タンク３５に
入れ、分散器３６により珪酸エステルのアルコール溶液
３３中にポリビニルアルコール溶液３４が微粒子状に分
離して混在する分散液を造る。この分散液を第１加圧調
整器３７、第１開閉弁３８を介して加圧し、第２加圧調
整器３９、第２開閉弁４０を介して上記分散液をフィル
ター４１に送込む。そしてこのフィルター４１でポリビ
ニルアルコール溶液が粒径５０〜２００μm の微粒子４
２として均一に混在する分散液４３とする。つぎにこの
分散液４３を高圧印加装置４４により帯電させ、スプレ
ーノズル４５から噴霧する。このとき、その噴霧液に紫
外線放射ランプ４６から１０００ mＪ／cm2 以上の紫外
線を照射し、図１（ｂ）に示すように、パネル２０の外
表面に形成された第２層３１上に塗布し乾燥して、珪酸
エステル中にポリビニルアルコールが微粒子４７として
均一に混在する混在層４８を形成する。
アルコール溶液３３、ポリビニルアルコール溶液３４お
よびポリビニルアルコールの架橋剤を加圧タンク３５に
入れ、分散器３６により珪酸エステルのアルコール溶液
３３中にポリビニルアルコール溶液３４が微粒子状に分
離して混在する分散液を造る。この分散液を第１加圧調
整器３７、第１開閉弁３８を介して加圧し、第２加圧調
整器３９、第２開閉弁４０を介して上記分散液をフィル
ター４１に送込む。そしてこのフィルター４１でポリビ
ニルアルコール溶液が粒径５０〜２００μm の微粒子４
２として均一に混在する分散液４３とする。つぎにこの
分散液４３を高圧印加装置４４により帯電させ、スプレ
ーノズル４５から噴霧する。このとき、その噴霧液に紫
外線放射ランプ４６から１０００ mＪ／cm2 以上の紫外
線を照射し、図１（ｂ）に示すように、パネル２０の外
表面に形成された第２層３１上に塗布し乾燥して、珪酸
エステル中にポリビニルアルコールが微粒子４７として
均一に混在する混在層４８を形成する。
【００３１】この場合、スプレーノズル４３から噴霧す
る分散液４１中のポリビニルアルコール溶液の微粒子４
０は、１０００ mＪ／cm2 以上の紫外線の照射により、
パネル２０の外表面に到達する前に硬化し、粒径２００
μm 以下のポリビニルアルコールの微粒子４７として混
在層４８中に均一に混在する。
る分散液４１中のポリビニルアルコール溶液の微粒子４
０は、１０００ mＪ／cm2 以上の紫外線の照射により、
パネル２０の外表面に到達する前に硬化し、粒径２００
μm 以下のポリビニルアルコールの微粒子４７として混
在層４８中に均一に混在する。
【００３２】つぎに図１（ｃ）に示すように、上記混在
層４８に水４９をスプレーして、混在層４８中のポリビ
ニルアルコールの微粒子を除去する。その後、２００℃
以上に加熱焼成して、図１（ｄ）に示すように、表面に
凹凸ピッチＰおよび平均粗さＲa が、それぞれ Ｐ＝５０〜２００μm Ｒa ＝５０〜１００μm の微細凹凸をもつ第１層３０を形成する。
層４８に水４９をスプレーして、混在層４８中のポリビ
ニルアルコールの微粒子を除去する。その後、２００℃
以上に加熱焼成して、図１（ｄ）に示すように、表面に
凹凸ピッチＰおよび平均粗さＲa が、それぞれ Ｐ＝５０〜２００μm Ｒa ＝５０〜１００μm の微細凹凸をもつ第１層３０を形成する。
【００３３】このような方法により反射帯電防止膜２９
を形成すると、ＳｉＯ2 の平滑膜の屈折率ｎが、 ｎ＝１．４６ であるのに対し、第１層３０の屈折率ｎ30は、その表面
の微細凹凸による第１層−空気間の連続的な体積比変化
により、ＳｉＯ2 膜であっても、屈折率ｎ30が、 ｎ30＝１．３５ 程度まで下がる。この場合、第２層３１の屈折率ｎ31お
よび膜厚ｄ31は、上層３０との組合わせにより、 ｎ31＝１．５５〜１．６５ ｄ31＝８０〜９０μm に形成される。このとき、第１層３０の膜厚ｄ30は、 ｄ30＝１００〜１１０μm に形成される。
を形成すると、ＳｉＯ2 の平滑膜の屈折率ｎが、 ｎ＝１．４６ であるのに対し、第１層３０の屈折率ｎ30は、その表面
の微細凹凸による第１層−空気間の連続的な体積比変化
により、ＳｉＯ2 膜であっても、屈折率ｎ30が、 ｎ30＝１．３５ 程度まで下がる。この場合、第２層３１の屈折率ｎ31お
よび膜厚ｄ31は、上層３０との組合わせにより、 ｎ31＝１．５５〜１．６５ ｄ31＝８０〜９０μm に形成される。このとき、第１層３０の膜厚ｄ30は、 ｄ30＝１００〜１１０μm に形成される。
【００３４】その結果、図４に測定光の反射帯電防止膜
への入射角θが０°の場合の正反射率Ｒlum を曲線５１
で、入射角θが３０°の場合の正反射率Ｒlum を曲線５
２で示すように、広帯域の低反射スペクトルを有し、正
反射率Ｒlum が１．０％以下という良好な反射特性を示
す。また第１層３０の表面の凹凸がきわめて微細なた
め、凹凸による拡散作用が小さく、表示画像の解像度の
劣化もほとんど生じない。また第１層３０を２００℃以
上の加熱焼成したＳｉＯ2 膜で構成されているため、耐
摩耗性にもすぐれている。さらに第１層３０を微細凹凸
構造としたため、膜厚の変化による正反射色の変化が小
さく、ゾル−ゲル法で所望の反射帯電防止膜を比較的簡
単に形成することができる。
への入射角θが０°の場合の正反射率Ｒlum を曲線５１
で、入射角θが３０°の場合の正反射率Ｒlum を曲線５
２で示すように、広帯域の低反射スペクトルを有し、正
反射率Ｒlum が１．０％以下という良好な反射特性を示
す。また第１層３０の表面の凹凸がきわめて微細なた
め、凹凸による拡散作用が小さく、表示画像の解像度の
劣化もほとんど生じない。また第１層３０を２００℃以
上の加熱焼成したＳｉＯ2 膜で構成されているため、耐
摩耗性にもすぐれている。さらに第１層３０を微細凹凸
構造としたため、膜厚の変化による正反射色の変化が小
さく、ゾル−ゲル法で所望の反射帯電防止膜を比較的簡
単に形成することができる。
【００３５】なお、上記実施例では、反射帯電防止膜の
上層をＳｉＯ2 膜で構成したが、さらに反射特性を改善
するためには、耐摩耗性の許す限りＭｇＦ2 微粒子など
の低屈折率物質を混ぜて形成すればよい。
上層をＳｉＯ2 膜で構成したが、さらに反射特性を改善
するためには、耐摩耗性の許す限りＭｇＦ2 微粒子など
の低屈折率物質を混ぜて形成すればよい。
【００３６】
【発明の効果】陰極線管のフェース部外表面に屈折率の
異なる２層以上の光学膜からなる反射帯電防止膜を積層
形成する陰極線管の反射帯電防止膜形成方法において、
フェース部外表面に帯電防止効果をもつ高屈折率の下層
を形成し、珪酸エステルのアルコール溶液にポリビニル
アルコール溶液を混合分散し、そのポリビニルアルコー
ル溶液を粒径２００μm 以下の微粒子として均一に混在
する分散液を造り、この分散液を帯電させかつ紫外線を
照射しながら下層上にスプレーし乾燥して、珪酸エステ
ル中にポリビニルアルコールが微粒子として混在する混
在層を形成し、水洗処理によりその混在層中のポリビニ
ルアルコールを除去して、表面に凹凸ピッチが５０〜２
００μm 、凹凸の平均高さが５０〜１００μm の凹凸を
有する上層形成して反射帯電防止膜とすると、その凹凸
ピッチが５０〜２００μm 、凹凸の平均高さが５０〜１
００μm の微細凹凸の上層と空気との連続的な体積比変
化により、上層の屈折率を通常の光学媒質では実現でき
ない値まで低下させることができ、低屈折率化および低
反射スペクトルを広域化する反射防止膜とするととも
に、下層を比較的低屈折率にしても、上層の反射特性に
より、たとえばＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒
子などを耐摩耗性の許される限りＳｉＯ2 膜中に含ませ
ることが可能となり、十分な帯電防止特性をもたせるこ
とができる。また上層の表面に非常に微細な凹凸を形成
することができるため、凹凸による拡散作用を低くで
き、表示画像の解像度の低下を防止できる。しかも上層
がＳｉＯ2 膜であるため、耐摩耗性も十分なものとな
り、ゾル−ゲル法で比較的簡単に所望の反射帯電防止膜
を形成することができる。
異なる２層以上の光学膜からなる反射帯電防止膜を積層
形成する陰極線管の反射帯電防止膜形成方法において、
フェース部外表面に帯電防止効果をもつ高屈折率の下層
を形成し、珪酸エステルのアルコール溶液にポリビニル
アルコール溶液を混合分散し、そのポリビニルアルコー
ル溶液を粒径２００μm 以下の微粒子として均一に混在
する分散液を造り、この分散液を帯電させかつ紫外線を
照射しながら下層上にスプレーし乾燥して、珪酸エステ
ル中にポリビニルアルコールが微粒子として混在する混
在層を形成し、水洗処理によりその混在層中のポリビニ
ルアルコールを除去して、表面に凹凸ピッチが５０〜２
００μm 、凹凸の平均高さが５０〜１００μm の凹凸を
有する上層形成して反射帯電防止膜とすると、その凹凸
ピッチが５０〜２００μm 、凹凸の平均高さが５０〜１
００μm の微細凹凸の上層と空気との連続的な体積比変
化により、上層の屈折率を通常の光学媒質では実現でき
ない値まで低下させることができ、低屈折率化および低
反射スペクトルを広域化する反射防止膜とするととも
に、下層を比較的低屈折率にしても、上層の反射特性に
より、たとえばＳｂ2 Ｏ3 をドープしたＳｎＯ2 超微粒
子などを耐摩耗性の許される限りＳｉＯ2 膜中に含ませ
ることが可能となり、十分な帯電防止特性をもたせるこ
とができる。また上層の表面に非常に微細な凹凸を形成
することができるため、凹凸による拡散作用を低くで
き、表示画像の解像度の低下を防止できる。しかも上層
がＳｉＯ2 膜であるため、耐摩耗性も十分なものとな
り、ゾル−ゲル法で比較的簡単に所望の反射帯電防止膜
を形成することができる。
【図１】図１（ａ）ないし（ｄ）はそれぞれこの発明の
一実施例であるカラー受像管のパネル外表面に反射帯電
防止膜を形成する方法を説明するための図である。
一実施例であるカラー受像管のパネル外表面に反射帯電
防止膜を形成する方法を説明するための図である。
【図２】図２（ａ）および（ｂ）はそれぞれその反射帯
電防止膜の上層の形成を説明するための図である。
電防止膜の上層の形成を説明するための図である。
【図３】図３（ａ）はこの発明の一実施例に係るカラー
受像管の構成を示す図、図３（ｂ）はそのパネルの外表
面に反射帯電防止膜の構成を示す図である。
受像管の構成を示す図、図３（ｂ）はそのパネルの外表
面に反射帯電防止膜の構成を示す図である。
【図４】上記反射帯電防止膜の反射特性を示す図であ
る。
る。
【図５】凹凸面上にＣＶＤ法によりＳｎＯ2 膜を形成し
た反射帯電防止膜の構成を示す図である。
た反射帯電防止膜の構成を示す図である。
【図６】珪酸エステルのアルコール溶液にＳｎＯ2 超微
粒子を分散した分散液を用いて形成された反射帯電防止
膜の構成を示す図である。
粒子を分散した分散液を用いて形成された反射帯電防止
膜の構成を示す図である。
【図７】珪酸エステルのアルコール溶液にＳｉＯ2 微粒
子とＳｎＯ2 超微粒子とを分散した分散液を用いて形成
された反射帯電防止膜の構成を示す図である。
子とＳｎＯ2 超微粒子とを分散した分散液を用いて形成
された反射帯電防止膜の構成を示す図である。
【図８】多層蒸着膜からなる反射帯電防止膜の構成を示
す図である。
す図である。
【図９】２層構造の反射帯電防止膜の構成を示す図であ
る。
る。
２０…パネル ２４…蛍光体スクリーン ２９…反射帯電防止膜 ３０…第１層 ３１…第２層 ３２…ＳｉＯ2 超微粒子 ４２…ポリビニルアルコール溶液の微粒子 ４３…分散液 ４４…高圧印加装置 ４５…スプレーノズル ４６…紫外線放射ランプ ４７…ポリビニルアルコールの微粒子 ４８…混在層
Claims (1)
- 【請求項１】 陰極線管のフェース部外表面に屈折率の
異なる２層以上の光学膜からなる反射帯電防止膜を積層
形成する陰極線管の反射帯電防止膜形成方法において、 上記フェース部外表面に帯電防止効果をもつ高屈折率の
下層を形成する工程と、珪酸エステルのアルコール溶液
にポリビニルアルコール溶液を混合分散し、上記ポリビ
ニルアルコール溶液が粒径２００μm 以下の微粒子とし
て均一に混在する分散液を造り、この分散液を帯電させ
かつ紫外線を照射しながら上記下層上にスプレーし乾燥
して、珪酸エステル中にポリビニルアルコールの微粒子
が混在する混在層を形成する工程と、水洗処理により上
記混在層中のポリビニルアルコールを除去して、表面に
凹凸ピッチが５０〜２００μm 、凹凸の平均高さが５０
〜１００μm の凹凸を有する上層を形成する工程とによ
り反射帯電防止膜を形成することを特徴とする陰極線管
の反射帯電防止膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24022393A JPH0794089A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 陰極線管の反射帯電防止膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24022393A JPH0794089A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 陰極線管の反射帯電防止膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794089A true JPH0794089A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17056285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24022393A Pending JPH0794089A (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 陰極線管の反射帯電防止膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794089A (ja) |
-
1993
- 1993-09-28 JP JP24022393A patent/JPH0794089A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0123789B1 (ko) | 음극선관 및 그 제조방법 | |
| US5599579A (en) | Cathode-ray tube with anti-reflective coating | |
| US5652477A (en) | Multilayer antistatic/antireflective coating for display device | |
| JPH1069866A (ja) | 陰極線管 | |
| KR20010062587A (ko) | 광-흡수성 반사방지 필터, 디스플레이 장치 및 이들의제조 방법 | |
| US5863596A (en) | Method of making a cathode ray tube with a nonglare multi-layered film | |
| JPH05299034A (ja) | 陰極線管及びその表示面用塗布液 | |
| JP3218682B2 (ja) | 超微粒子膜の形成方法、透明板並びに画像表示板 | |
| JPH07134955A (ja) | 表示装置およびその反射率調整方法 | |
| JPH11250834A (ja) | カラー陰極線管 | |
| JPH0794089A (ja) | 陰極線管の反射帯電防止膜形成方法 | |
| JPH0588001A (ja) | 陰極線管のフエース部外表面の反射防止膜形成方法 | |
| JPH07272646A (ja) | 超微粒子膜及びその形成方法、及び、透光板並びに画像表示板 | |
| CN1307354A (zh) | 彩色显像管 | |
| JPH03238740A (ja) | 表示装置の反射防止膜 | |
| US6424086B1 (en) | Color cathode-ray tube having nonglare means on internal surface of faceplate | |
| JP2677281B2 (ja) | 受像管と受像管の反射及び帯電防止処理方法 | |
| JPH0922668A (ja) | 陰極線管 | |
| JPH08279341A (ja) | 帯電防止低反射型陰極線管およびその製造方法 | |
| JPH052988A (ja) | 表示装置の反射防止膜形成方法 | |
| JPH08250044A (ja) | 画像表示装置 | |
| JPH04334852A (ja) | 表示装置の反射防止膜形成方法 | |
| JPH087796A (ja) | 陰極線管用パネル | |
| JPH0378946A (ja) | 防眩性ブラウン管 | |
| JPH06267462A (ja) | 陰極線管とその反射防止膜の製造方法 |