KR950003894B1 - 박막제작방법 및 박막제작장치 - Google Patents
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Description
제 1 도는 본원 발명의 일실시예를 도시한 스패터링장치에 있어서의 웨이퍼표면세정을 위한 에칭공정용 진공용기의 구성도.
제 2 도는 멀티챔버형식의 스패터링장치의 개략적 평면도.
제 3 도는 본원 발명에 의한 플라즈마를 사용한 진공용기내의 클리닝의 과정을 도시한 부분 확대도.
제 4 도는 본원 발명의 일실시예인 스패터링방법의 공정의 일부를 도시한 타이밍차트.
제 5 도는 반응성 가스의 방전전과 방전후의 잔류가스 스팩트럼을 도시한 도면.
제 6 도는 종래의 스패터링방법과 본원 발명에 의한 스패터링방법의 실시시의 파티클데이터를 도시한 그래프.
제 7 도는 종래의 스패터링장치에 있어서의 웨이퍼표면세정공정용 진공용기의 구성도.
제 8 도는 종래의 웨이퍼표면세정용 에칭에 있어서의 실리콘막 생성을 설명하기 위한 설명도.
본원 발명은 박막제작방법 및 박막제작장치에 관한 것이다. 특히, 박막제작전의 표면세정을 위한 에칭공정에서 발생하는 파티클의 양을 검사·판정하고, 발생원인이 되는 퇴적막을 제거함으로써 파티클을 적절하고 간이하게 제거하는 박막제작방법 및 파티클을 제거하는 구성을 가지는 박막제작장치에 관한 것이다.
양산용 스패터링장치에서는 주로 복수의 처리용 챔버를 구비하는 멀티챔버형식에 의한 매엽(枚葉)처리가 행해지고 있다. 멀티챔버형식 스패터링장치는 장치내에의 대기의 혼입을 방지하고, 또한 각 처리용 챔버에 있어서의 타켓재료의 상호 콘태미네이션을 방지할 수 있는 구성을 갖는다. 그러므로, 품질이 안정된 박막을 형성하는 스패터링을 실행할 수 있다. 종래, 일반적으로 웨이퍼의 표면상에 자연히 생긴 산화막 또는 오염을 제거할 목적으로 스패터링 공정전에 웨이퍼표면을 에치하는 방법이 사용되었다. 그 방법은 주로 아르곤 가스에 의한 방전을 발생함으로써, 웨이퍼표면을 에칭한다(예를 들면 일본국 특개평 2(1990)-183531호). 일반적으로 이 에칭공정을 반도체회로를 형성하기 위한 "전처리공정"이라 한다. 이 에칭공정은 일반적으로는 스패터링장치내의 에칭전용 진공챔버에서 실시된다.
스패터링공정의 전처리공정으로서 배설된 에칭공정이 실시되는 종래의 박막제작방법은 파티클에 관하여 다음과 같은 문제가 있다.
종래의 에칭방법에 의해 생기는 현상을 제 7 도 및 제 8 도에 따라 설명한다. 제 7 도에 있어서, (71)은 에칭이 행해지는 진공챔버이다. 진공챔버(71)내에는 상부에 웨이퍼홀더(72)에 지지된 웨이퍼(73)가 배치되고, 하부에 자장발생용 마그넷(74)을 내장한 대향전극(75)이 배치된다. 진공챔버(71)에는 주펌프(76)와, 아르곤 가스도입계(導入系)(77)가 배설된다. 주 펌프(76)는 크라이오펌프 또는 터보분자펌프등의 고진공용 펌프이다. 웨이퍼홀더(72)와 대향전극(75)과의 사이에는 고주파전원(79)이 접속된다. 주펌프(76)로 챔버내를 소정의 압력으로 설정한 후, 아르곤가스도입계(77)에서 아르곤(Ar)가스를 도입한다. 그후, 고주파전원(79)에 의해 고주파가 인가되면 직교(直交)전자계에 의한 마그네트론방전이 발생한다. 마그네트론방전이 발생하면, 그 셀프바이어스효과로 실리콘기판 웨이퍼(73)는 아르곤이온(80)에 의해 스패터링되며, 이로써 웨이퍼(73)의 표면은 에칭된다.
상기 에칭, 즉 전처리공정의 에칭의 상황을 제 8 도에 도시한다. 제 8 도에 있어서, 아르곤이온(80)으로 웨이퍼(73)는 에칭되고, 이 에칭에 의해 튀어나온 실리콘원자(81)는 대향전극(75)이나 진공챔버(71)의 내벽에 퇴적되어, 실리콘막을 형성한다. 이 실리콘막은 소정의 막두께로 되면 내부응력에 의해 박리가 생기고, 파티클로서 진공챔버(71)내에 대량으로 발생한다. 파티클이 대량으로 발생하면 웨이퍼(73)에 파티클이 부착하여, 미세한 배선구조에 중대한 악영향을 미친다. 이와 같은 현상은 제품수율의 저하라는 문제를 일으킨다.
상기 파티클의 발생을 방지하는 종래의 방법은 기본적인 방법으로서, 진공챔버(71)의 내벽면에 형성되는 실리콘막에 대하여는 내벽면이 근방에 실드판(82)을 배치하고, 실리콘막이 어느정도의 두께로 형성되면 실드판(82)을 교환하는 방법이 있었다. 또한, 대향전극(75)에 대하여는 실리콘막이 소정두께로 되면, 대향전극 그 자체를 직접 교환하고 있었다. 그러나, 이와 같은 종래의 방법의 일련의 작업은 프로세스를 중단하고, 진공챔버를 대기에 개방하여 행하기 때문에 박막형성(즉 반도체디바이스)의 생산효율이 나빠진다는 문제가 있다. 예를 들면 50매의 웨이퍼를 에칭하고, 그 후에 실드판과 대향전극을 교환한 경우 약 6시간의 시간이 필요하게 된다.
그리고, 진공용기의 내벽이나 전극에 퇴적한 막 및 막으로부터 발생한 파티클을 제거하기 위해 진공용기내에 클리닝용 가스를 도입하여 드라이에칭 또는 플라즈마에칭을 이용하여 진공용기내벽의 퇴적막등을 제거하는 방법이 제안되고 있다(일본국 특개평 2(1990)-94522호, 특개평 1(1989)-315137호, 특개평 2(1990)-214118호, 특개평 2(1990)-250325호). 이들 선행 문헌에 개시된 진공용기 내벽의 퇴적막등의 제거방법으로는 진공용기내의 내부의 진공상태를 유지한 채 제거작업을 행할 수 있다. 그러므로, 제거작업의 신속화 및 장치메인테넌스의 향상을 도모할 수 있다. 그러나, 이들 문헌에서는 제거작업의 실시조건이나 실시타이밍에 대해 구체적으로 설명되지 않고, 실제적용에 있어서는 더욱 개선될 필요가 있다.
기타 관련된 선행 문헌으로서는 일본국 특개평 2(1990)-39530호, 특개평 2(1990)-89313호, 특개소 63(1988)-39676호를 들 수 있다.
또한, 양산용 스패터링장치에 있어서의 문제는 유사한 다른 박막제작장치에 있어서도 마찬가지로 발생한다.
본원 발명의 목적은 박막제작프로세스중의 웨이퍼표면세정용 에칭공정에서 발생하는 파티클의 발생량을 정확하게 파악하여 진공용기내벽의 퇴적막 및 파티클을 적절한 타이밍으로 제거하고, 이로써 박막제작작업의 메인테넌스에 요하는 시간을 단축하고, 또한 메인테넌스를 간이하게 하는 동시에, 양호한 작업효율로 정확하게 진공용기내벽의 퇴적막제거작업을 행할 수 있는 박막제작방법 및 박막제작장치를 제공하는데 있다.
본원 발명에 관한 박막제작방법은 스패터링처리등에 의해 웨이퍼에 박막을 제작하는 박막제작방법이며, 또한 스패터링처리전에 웨이퍼의 표면세정을 위해 사용되는 진공용기의 하나에 웨이퍼를 반송하고, 웨이퍼 표면세정용 진공용기에서 웨이퍼를 그 피처리표면이 하향하도록 배치하고, 웨이퍼표면세정용 진공용기로 에칭용 가스를 도입하고, 또한 플라즈마를 발생시켜서 웨이퍼의 피처리표면을 클리닝하는 클리닝스텝으로서, 소정의 매수의 웨이퍼에 관하여 반복실행되는 클리닝스텝과, 소정의 매수의 웨이퍼에 대해 클리닝스텝을 실행한 후에, 웨이퍼표면세정용 진공용기에 파티클체크용의 모의 웨이퍼를 반송하여, 모의웨이퍼에 부착한 파티클을 검출하는 파티클검출스텝과, 검출된 파티클이 소정기준이상인지 여부를 판정하는 파티클발생량판정스텝과, 검출된 파티클이 소정기준이상일 때, 웨이퍼표면세정용 진공용기에 반응성 가스를 도입하여 플라즈마를 발생하고, 이 웨이퍼표면세정용 진공용기에서 발생한 퇴적막 및 파티클을 플라즈마로 기화시키는 기화스텝과, 그 기화된 가스를 웨이퍼표면세정용 진공용기의 밖으로 배기하는 배기스텝을 포함하고 있다.
본원 발명의 박막 제거방법에서는 스패터링의 전처리공정으로서 행해지는 에칭에 있어서, 에칭후 발생한 파티클의 발생정도(발생량)를 검사하고, 그후 제거할 필요가 있을 때, 웨이퍼표면세정용기에서 발생한 퇴적막 및 파티클을 기화하여 진공챔버의 외부로 배출한다. 이 퇴적막등의 기화시에는 제품웨이퍼로트는 웨이퍼용 진공용기의 외부로 취출된 상태에 있다.
그리고, 본원 발명에 의한 박막제작방법은 바람직하게는 배기스텝에서 웨이퍼표면세정용 진공용기의 내벽 및 이 내벽의 근방에 배치된 실드판을 가열하고, 웨이퍼표면세정용 진공용기내의 압력이 소정의 압력이 될때까지 배기를 행한다. 이 소정의 압력은 10-6~10-7Torr 정도이다.
본원 발명에 의한 박막제작방법은 바람직하게는 웨이퍼표면세정용 진공용기에 웨이퍼를 반입할 때 또는 웨이퍼표면세정용 진공용기로부터 웨이퍼를 반출할 때, 웨이퍼의 처리표면을 하향상태로 한다.
본원 발명에 의한 박막제작방법은 바람직하게는 파티클정도 판정스텝에 있어서의 소정기준을 6인치의 모의웨이퍼의 위에서 ø0.28㎛ 이상의 파티클이 30개이상 존재하는 것이다.
본원 발명에 관한 박막제작장치는 최소한 2개의 진공용기를 구비한 박막제작장치이며, 진공용기의 하나는 스패터링처리등을 행하는 전처리공정으로서 에칭처리가 형해지는 웨이퍼표면세정용 진공용기에 있어서, 웨이퍼표면세정용 진공용기를 진공배기하기 위한 배기수단과, 에칭용 가스를 도입하기 위한 가스도입수단과, 퇴적막 및 파티클을 기화시키기 위한 반응성 가스를 도입하기 위한 가스도입수단과, 챔버내의 상측위치에 배치된 기판지지수단과, 챔버내의 하측위치에 배치된 방전발생수단과, 챔버내벽부에 따라서 배치된 실드판과, 챔버내벽부와 실드판을 가열하기 위한 가열수단을 구비한다.
본원 발명의 박막제작장치에서는 웨이퍼표면세정을 하기 위한 진공챔버를 가지고, 이 에칭용 진공챔버에 에칭용 가스의 도입계외에, 그후 퇴적막 및 그로부터 박리된 파티클을 제거하는 클리닝을 행하기 위한 반응성 가스의 도입계를 구비한다. 이로써, 에칭후 파티클의 정도를 검사하여 적절한 타이밍으로 플라즈마를 사용하여 진공용기내의 클리닝을 행하고, 퇴적막등을 가스화하여 진공챔버의 밖으로 배출한다. 특히 가열수단으로 챔버내벽부등을 가열상태로 하기 위해 퇴적막등의 가스화를 촉진한다.
본원 발명에 관한 박막제작방법 및 박막제작장치의 일실시예에 대하여 설명한다. 또한, 이 실시예에 이용되는 각 도면은 장치의 개략구성을 도시한 것이다. 따라서, 각 구성부재의 크기, 형상, 배치관계등은 본원 발명을 이해할 수 있도록 개략적으로 도시되어 있는 것에 불과하다. 본 실시예에 의한 박막제작장치는 멀티챔버형식의 스패터링장치이다. 제 2 도에 도시한 바와같이 멀티챔버형식의 스패터링장치는 중앙에 세퍼레이션챔버(1)를 구비하고, 그 주위에 로드로크챔버(2)와 복수의 처리챔버(3)가 배치된다. 이들 챔버는 진공용기이다. 세퍼레이션챔버(1)와 주위의 챔버(2), (3)와의 사이에는 게이트밸브(4)를 설치하고 있다. 제 1 도에 도시한 장치구성은 복수의 처리챔버(3)중의 하나에 적용된 에칭전용의 진공챔버를 도시한다. 제 1 도에 도시된 진공챔버에서는 다른 스패터링용 진공챔버에서 실시되는 스패터링공정의 전처리공정으로서 웨이퍼의 표면을 세정하기 위한 에칭공정이 실시된다.
제 1 도에 도시된 장치를 설명한다. (5)는 진공챔버, (6)은 주펌프, (7)은 반응성 가스에 대해 내성을 가진 오일회전펌프이다. 주펌프(6)에는 예를 들면 터보분자펌프가 사용된다. 반응성 가스에는 예를 들면 CF4, CF4+O2, NF3, 염소계 가스등을 사용할 수 있다. 이 실시예에서는 CF4를 사용하고 있다. 또한, (8)은 아르곤(Ar)가스의 가스봄베, (9)는 반응성 가스의 가스봄베이며, 이들 가스봄베는 각각 가스를 진공챔버(1)내에 공급하기 위한 가스도입계를 가지고 있다. 진공챔버(5)내의 상부에는 웨이퍼홀더(10)에 지지된 실리콘기판 웨이퍼(11)가 배치되어 있다. 이 기판웨이퍼(11)는 그 에칭되는 표면이 항상 하향이 되도록 배치된다. 웨이퍼의 처리되는 표면을 하향으로 함으로써, 중력에 의해 파티클이 당해 표면에 내려 쌓이는 것을 방지할 수 있다. 또한, 진공챔버(5)내의 하부에는 자장발생용 마그네트(12)를 내장한 대향전극(13)이 배치된다. 웨이퍼홀더(10)와 대향전극(13)과의 사이에는 고주파전원(14)(예를 들면 RF전원)이 접속된다. 소정 조건하에서 고주파전원(14)에 의해 고주파가 인가되면, 직교전자계에 의한 마그네트론방전이 발생한다. 또한, 진공챔버(5)의 내벽면의 근방에는 제 1 도 및 제 3 도에 도시한 바와 같이 실리콘원자(15)를 퇴적시키는 실드판(16)을 배설한다. 그리고, 진공챔버(5)의 내벽부의 근방에는 소정위치에 복수의 가열히터(17)가 배설되어 있다. 가열히터(17)에 대해 급전하는 전원의 도시는 생략되어 있다.
상기 구성을 가진 스패터링장치의 동작에 대하여 설명한다. 진공챔버(5)내에 도시생략된 로보트반송기구로 소정매수(예를 들면 25~50매)의 제품웨이퍼로트를 반송한다. 제 1 도에서는 설명의 편의상 1매의 실리콘기판 웨이퍼(11)만을 도시하고 있다. 웨이퍼(11)는 스패터링공정에 세트되기 전에, 표면의 오염을 제거하기 위해 아르곤가스에 의한 에칭공정에 세트된다. 오일회전펌프(7) 및 고진공상태(초저압상태)로 배기할 수 있는 주펌프(6)이며, 진공챔버(5)내를 소정압력으로 설정한다. 그리고, 그후에 아르곤가스의 가스봄베(8)의 가스도입계를 개방하고, 진공챔버(5)내에 아르곤가스를 도입한다. 그리고, 그후 고주파전원(14) 예를 들면 RF 전원, 마이크로방전원등에 의해 고주파가 인가되면, 직교전자계에 의한 마그네트론방전이 발생한다. 마그네트론방전이 발생하면, 그 셀프바이어스효과로 소정매수의 웨이퍼(11)는 아르곤이온에 의해 스패터링되고, 그 웨이퍼(11)는 에칭된다. 이와 같이하여 웨이퍼(11)의 표면의 오염을 제거한다.
소정매수의 웨이퍼(11)에 대해 아르곤가스에 의한 에칭이 종료된 후 가스봄베(8)로부터의 아르곤가스의 도입을 정지한다. 이어서, 아르곤이온으로 에칭된 웨이퍼(11)를 도시생략한 로보트반송기구로 진공챔버(5)의 밖으로 꺼내고, 대신에 파티클체크용의 모의웨이퍼를 진공챔버(5)내에 넣는다. 그러면, 진공챔버(5)내에 발생한 파티클이 파티클체크용 모의웨이퍼의 표면에 부착한다. 그리고, 파티클체크용 모의웨이퍼를 진공챔버(5)에서 꺼내어, 이 모의웨이퍼에 부착한 파티클수를 셈으로써, 진공챔버(5)에 있어서의 파티클발생의 정도가 체크된다. 파티클의 수를 세는 장치로서 광산란방식을 이용한 시판파티클 체크카운터를 이용하였다. 파티클의 체크로는 예를 들면 6인치의 모의웨이퍼의 표면에 ø0.28㎛ 이상의 파티클이 30개 이내라고 하는 판정기준이 설정되고, 이 판정기준을 초과하면 실드판등을 클리닝하는 것으로 한다.
그리고, 파티클체크의 결과 기준을 초과하고 있다고 판단될 경우에는, 그후 반응성 가스의 가스봄베(9)의 가스도입계를 개방하고, 진공챔버(5)내에 반응성 가스를 도입한다. 반응성 가스를 도입함으로써, 진공챔버(5)내의 내벽면 및 대향전극(13)에 있어서의 실리콘퇴적막의 플라즈마를 사용한 진공챔버내를 클리닝한다(이하, "플라즈마 클리닝"이라 한다). 이 플라즈마는 마그네트론방전을 이용하여 만드는 것이 바람직하다. 마그네트론방전의 발생방법으로서는 웨이퍼(11)의 에칭의 경우와 같이 고주파전원(14)에 의해 고주파를 인가함으로써 발생하는 방법이 이용된다. 상기 플라즈마클리닝에서는 제 3 도에 도시한 바와 같이, 상기 반응성 가스 CF4의 에칭작용에 의해 실드판(16)이나 대향전극(13)의 표면에 퇴적한 실리콘(Si)막(15) 및 챔버내에 발생한 실리콘파티클을 가스화하고, 발생한 가스(SiF4)를 주펌프(6)에서 빨리 외부로 배기한다. 이 경우에 있어서, 처리효율을 높이기 위하여 가열히터(17)로 챔버내벽이나 실드판(16)을 가열하는 것이 바람직하다. 이렇게 하여, 플라즈마클리닝에 의해 실드판(16)등의 실리콘퇴적막 및 챔버내에 존재하는 파티클을 제거한다. 상기 플라즈마클리닝에 요하는 시간은 제품웨이퍼로트가 50매인 경우에는 약 30분 정도이다.
이상의 프로세스의 전체를 타이밍차트로 도시하면 제 4 도와 같이 된다. 제 4 도에 있어서, (21)은 실리콘의 에칭공정의 영역이며, 예를 들면 50매의 웨이퍼를 1매씩 에칭한다. (22)는 파티클의 정도(발생량)을 체크하는 검사공정이다. (23)은 플라즈마클리닝의 공정이다. 그후, 다음의 새로운 제품웨이퍼로트에 대하여, 아르곤가스에 의한 에칭공정(21), 파티클체크공정(22), 플라즈마클리닝공정(23)을 반복한다. 제 4 도에서는 파티클체크후, 반드시 플라즈마클리닝을 실시하는 예를 도시하고 있다.
또한, 상기 로보트반송기구에 의한 웨이퍼반송에서는 웨이퍼(11)을 에칭용 진공챔버(5)와 세퍼레이션챔버(1)와의 사이에서 웨이퍼를 주고 받음으로써, 웨이퍼에의 파티클의 부착을 저감할 수 있다. 이것은 웨이퍼(11)에 있어서 그 표면을 하향으로 하여 반송하고, 파티클과의 접촉부분을 되도록 작게할 수 있기 때문이다. 또한, 로보트반송기구의 상세한 것에 대하여는 예를 들면 국제공개번호 WO 91/07773의 PCT출원에 개시되어 있다.
상기 가열히터(17)는 CF4가스의 도입을 정지한 후에, 진공챔버(5)내를 소정압력까지 배기할 때(10-6~10-7Torr 정도), 시간단축을 도모하기 위해 진공챔버(5)의 내벽면 및 실드판(16)에 부착한 CF4분자의 이탈을 촉진하기 위한 것이다. 내벽면 및 실드판(16)의 온도는 가열히터(17)에 의해 약 100℃로 설정되어 있다. 또한, 배기의 콘덕턴스를 고려해서 실효적인 주펌프(6)의 배기성능을 향상시키도록 구성하는 것도 CF4가스의 배기에는 효과적이다.
여기서, 실험예를 도시한다. 제 5a 도, 제 5b 도는 진공챔버(5)에 CF4가스를 도입했을 때의 4중극질량분석계에 의한 잔류가스 스팩트럼의 그래프이다. 제 5 도에 있어서, 횡축은 질량수, 종축은 피크강도에 대응하는 이온전류치를 나타낸다. 제 5a 도는 CF4가스를 진공챔버(5)에 도입했을 때의 가스스팩트럼이다. 제 5b 도는 CF4가스를 방전시켰을 때의 가스스펙트럼이다. 방전시의 가스스펙트럼에서는 SiF3, SiF2, SiF라는 피크가 나타난다. 이 관찰결과에 의하면, 플라즈마 클리닝공정의 반응이 촉진되어 실드판(16)이나 대향전극(13)에 있어서의 실리콘퇴적막이 제거되고 있는 현상이 확인된다.
제 6 도는 CF4가스에 의한 플라즈마클리닝의 유무에 대응한 그래프를 도시하고 실제의 파티클수의 추이를 관찰하여, 그 결과를 그래프화한 것이다. 제 6 도에 있어서, 횡축은 총에칭량, 종축은 파티클수를 나타낸다. 종래의 에칭 즉 CF4플라즈마클리닝이 없는 경우의 특성 A에서는 Si(폴리실리콘)의 퇴적막이 증가된다. 즉, 총에칭량이 증대됨에 따라 파티클수는 급증한다. 이것에 대해서 CF4플라즈마클리닝이 있는 경우의 특성 B에서는 소정매수의 웨이퍼의 에칭마다 정기적으로 실시함으로써, 파티클발생의 증가가 억제되고, 초기치의 파티클수의 적정한 수치를 유지할 수 있다.
이상과 같이, 제품웨이퍼로트의 아르곤에칭 사이에 플라즈마클리닝을 실시하도록 구성하였다. 이와 같이 하기 위하여는 단시간에 CF4가스로부터 아르곤가스로의 전환을 가능하게 하는 진공배기계를 구비할 필요가 있다. 이로써, 스루푸트를 저하시키지 않고, 웨이퍼를 아르곤에칭할 수 있다.
또한, 플라즈마클리닝에 사용되는 반응성 가스는 실리콘과 반응하여 가스로 되어 진공챔버(5)의 밖으로 배기할 수 있는 것이면 임의의 것을 사용할 수 있다. 또한, 에칭가스로서 아르곤가스를 사용하였으나, 아르곤 이외의 기타의 에칭가스에 의한 실리콘퇴적막의 제거에 대하여도 본원 발명은 유효하다.
상기 실시예에서는 스패터링을 이용한 박막제작장치에 대하여 설명하였으나, 본원 발명은 기타 유사한 박막제작장치에 적응할 수 있다.
상기 설명과 같이, 본원 발명에 의하면 박막제작장치에 있어서, 스패터링공정의 전처리로서 행해지는 에칭공정에서 발생하는 파티클을 원하는 상태로 억제할 수 있으며, 박막제작장치에 의한 박막제작작업의 메인테넌스시간을 단축할 수 있으며, 웨이퍼의 생산성을 높게 유지할 수 있다. 또한, 클리닝을 위한 에칭을 실시하는데 있어서 챔버내의 파티클발생량을 검사하도록 하였으므로, 챔버내의 퇴적막 및 파티클을 효율적으로 적절하게 제거할 수 있다.
Claims (13)
- 최소한 2개의 진공용기(3, 5)를 가지는 박막제작장치로 실시되는 박막제작방법이며, 상기 진공용기(3, 5)의 어느것으로 진공환경에서 웨이퍼(11)에 박막을 제작하는 박막제작방법에 있어서, 상기 박막제작처리전에 상기 웨이퍼(11)의 표면세정을 위해 사용되는 상기 진공용기(5)의 하나에 상기 웨이퍼(11)를 반송하고, 상기 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)에서 상기 웨이퍼(11)를 그 처리되는 표면이 햐향하도록 배치하고, 상기 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)로 에칭용 가스를 도입하고, 또한 플라즈마를 발생시켜서 상기 웨이퍼(11)의 상기 피처리표면을 클리닝하는 클리닝스텝으로서, 소정의 매수의 상기 웨이퍼에 관하여 반복실행되는 클리닝스텝과, 상기 소정의 매수의 상기 웨이퍼에 대한 상기 클리닝스텝을 실행한 후에, 상기 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)에 파티클체크용의 모의웨이퍼를 반송하여, 상기 모의웨이퍼에 부착한 파티클을 검출하는 파티클검출스텝과, 검출된 상기 파티클이 소정기준이상인지 여부를 판정하는 파티클발생판정스템과, 검출된 상기 파티클이 상기 소정기준이상일 때, 상기 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)에 반응성 가스를 도입하여 플라즈마를 발생하고, 이 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)에서 발생한 퇴적막 및 파티클을 상기 플라즈마로 기화시키는 기화스텝과, 기화된 상기 퇴적막 및 파티클을 상기 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)의 밖으로 배기하는 배기스텝과, 를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 배기스텝에서는 상기 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)의 내벽 및 이 내벽의 근방에 배치된 실드판(16)을 가열하고, 상기 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)내의 압력이 소정의 압력이 될 때까지 상기 배기를 행하는 것을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 클리닝스텝과, 상기 파티클검출스텝과, 상기 파티클발생량판정스템과, 상기 기화스텝과, 상기 배기스텝으로 이루어지는 일련의 공정을 반복하여 실행하는 것을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)에 상기 웨이퍼(11)를 반입할 때 또는 상기 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)로부터 상기 웨이퍼(11)를 반출할 때, 상기 웨이퍼(11)의 상기 처리표면이 하향상태인 것을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 클리닝스텝과 상기 기화스텝에서 생성되는 상기 플라즈마는 마그네트론방전에 의해 만들어지는 것을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반응성 가스는 CF4가스인 것을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 상기 소정수는 50매인 것을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 파티클발생량판정에 있어서의 상기 소정기준은 6인치의 상기 모의웨이퍼의 위에서 ø0.28㎛ 이상의 파티클이 30개 이상 존재하는 것임을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 에칭용 가스는 아르곤가스인 것을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 가열된 내벽 및 이 내벽의 근방에 배치된 실드판(16)을 약 100℃의 온도로 설정하는 것을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 소정의 압력은 10-6~10-7Torr 정도인 것을 특징으로 하는 박막제작방법.
- 최소한 2개의 진공용기(3, 5)를 구비한 박막제작장치이며, 상기 진공용기(3, 5)의 하나는 박막제작처리를 행하는 전처리로서 에칭처리가 행해지는 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)에 있어서, 상기 웨이퍼표면세정용 진공용기(5)를 진공배기하기 위한 배기수단(6, 7)과, 에칭용 가스를 도입하기 위한 가스도입수단(8)과, 퇴적막 및 파티클(15)을 기화시키기 위한 반응성 가스를 도입하기 위한 가스도입수단(9)과, 상기 진공용기(5)내의 상측위치에 배치된 기판지지수단(10)과, 상기 진공용기(5)내의 하측위치에 배치된 방전발생수단(12, 13)과, 상기 진공용기(5)의 내벽부에 따라서 배치된 실드판(16)과, 상기 진공용기(5)의 내벽부와 상기 실드판(16)을 가열하기 위한 가열수단(17)과, 를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막제작장치.
- 제 12 항에 있어서, 상기 배기수단은 터보분자펌프(6)와 오일회전펌프(7)로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막제작장치.
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