KR940020693A - 클럭신호 발생회로 - Google Patents

클럭신호 발생회로 Download PDF

Info

Publication number
KR940020693A
KR940020693A KR1019930001526A KR930001526A KR940020693A KR 940020693 A KR940020693 A KR 940020693A KR 1019930001526 A KR1019930001526 A KR 1019930001526A KR 930001526 A KR930001526 A KR 930001526A KR 940020693 A KR940020693 A KR 940020693A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
clock signal
circuit
oscillator
reset
Prior art date
Application number
KR1019930001526A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950013800B1 (ko
Inventor
김정필
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930001526A priority Critical patent/KR950013800B1/ko
Publication of KR940020693A publication Critical patent/KR940020693A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950013800B1 publication Critical patent/KR950013800B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 로우-파우어 버전용 VPP, VBB전압레벨감지회로와 셀프-리프레쉬 모드 감지회로의 동작을 제어하는 클럭신호를 발생시키는 데에 하나의 발진기 출력을 이용한 클럭신호 발생회로를 사용하므로써, 불필요한 회로의 사용으로 인한 전류의 소모를 줄이고 레이아웃시의 면적을 줄일 수 있는 것에 관한 기술이다.

Description

클럭신호 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 클럭신호발생회로의 블럭도.
제5도는 본 발명의 발진기 리셋 회로도.

Claims (1)

  1. 외부핀으로부터 입력된신호를 입력으로 하여 CBR 신호를 출력하는 CBR 감지회로와, 상기 CBR 감지회로의 출력인 CBR신호를 입력으로 하여 OSCRESET신호를 출력하는 발진기 리셋회로와, 상기 발진기 리셋회로의 출력인 OSCRESET신호에 의해 제어되며, 특정 주파수를 갖는 클럭신호를 출력하는 발진기와, 상기 발진기의 출력인 클럭신호를 입력으로 하고 상기 발진기 리셋회로의 출력인 OSCRESET신호에 의해 제어되어서, 전압레벨감지 및 셀프-리프레쉬 모드 감지회로의 동작을 제어하는 특정 주파수의 CLK 신호를 출력하는 다수의 주파수 체배기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 클럭신호발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930001526A 1993-02-05 1993-02-05 클럭신호 발생회로 KR950013800B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930001526A KR950013800B1 (ko) 1993-02-05 1993-02-05 클럭신호 발생회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930001526A KR950013800B1 (ko) 1993-02-05 1993-02-05 클럭신호 발생회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940020693A true KR940020693A (ko) 1994-09-16
KR950013800B1 KR950013800B1 (ko) 1995-11-16

Family

ID=19350403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930001526A KR950013800B1 (ko) 1993-02-05 1993-02-05 클럭신호 발생회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950013800B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR950013800B1 (ko) 1995-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920001518A (ko) 반도체 집적회로
JPS6427094A (en) Mos-type semiconductor memory
KR880005746A (ko) 반도체집적회로
KR920017125A (ko) 기판 전위 조정 장치
KR960036332A (ko) 논리회로
KR0165988B1 (ko) 안정된 부성 전위를 발생시키기 위한 전압 발생기 회로
JPH0519914A (ja) 半導体装置の内部降圧回路
KR920005486A (ko) 신호지연회로 및 클록신호발생회로
KR960018901A (ko) 피이드백 래치 및 피이드백 래치의 피이드백 동작 형성 방법
KR950004271A (ko) 반도체 메모리 장치의 전원전압 감지회로
KR970003242A (ko) 위상 검출회로
KR940020693A (ko) 클럭신호 발생회로
KR960039328A (ko) 지연 시간 제어 회로
KR960025707A (ko) 반도체메모리소자의 활성싸이클에서 사용되는 승압회로
KR940012823A (ko) 클록신호 생성회로
KR950024433A (ko) 데이타 출력 회로 및 반도체 기억 장치
KR970076821A (ko) 래치회로
KR960032904A (ko) 감지된 레벨에 따라 전압을 발생하는 내부전압발생회로
KR20090074485A (ko) 차지 펌핑 회로
JPH0468650B2 (ko)
KR940019073A (ko) 플로우팅 감지 회로
JP3600817B2 (ja) 電圧比較回路
KR930022668A (ko) 배터리 전원형 전자 디바이스를 위한 전압 제어 장치
KR100186311B1 (ko) 발진기 회로
KR890009070A (ko) 증폭기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091028

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee