KR940016752A - 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 SRAM 및 LCD에 사용되는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서, 폴리실리콘 박막 트렌지스터 특성을 향상시키기 위해 소오스, 드레인이 형성된 채널 폴리실리콘층 위에 예정된 두께의 SOG막을 도포하는 단계와, SOG막을 열처리할때 SOG막 내의 수소와 외부로 빠져나가는 것을 억제하기 위해 SOG막 상부에 실리콘 절연막을 증착시키는 단계와, 일정 온도에서 일정 시간동안 열처리를 행하여 SOG막 내의 수소를 채널영역으로 침투시키는 단계와, 보호층으로 증착된 실리콘 절연막과 SOG막을 제거하고 이후의 박막 트랜지스터 제조공정을 행하는 단계로 이루어지는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 제 1 실시예에 의해 저부 게이트 박막 트랜지스터를 제조하는 단계를 도시한 단면도이며, 제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 제 2 실시예에 의해 상부 게이트 박막트랜지스터를 제조하는 단계를 도시한 단면도이다.
Claims (4)
- 폴리실리콘 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서, 박막 트랜지스터 오프시 누설전류를 감소시키고, 박막 트렌지스터 동작시 구동전류를 증가시켜 폴리실리콘 박막 트랜지스터 특성을 향상시키기 위해, 소오스, 드레인 및 채널영역을 갖는 폴리실리콘층 상부에 SOG막을 도포하는 단계와, SOG막을 열처리할때 SOG막 내의 수소가 외부로 빠져나가는 것을 억제하기 위해 SOG막 상부에 실리콘 절연막을 증착시키는 단계와, 일정 온도에서 일정시간동안 열처리를 행하여 SOG막 내의 수소를 채널영역을 갖는 폴리실리콘층에 침투시키는 단계와, 실리콘 절연막과 SOG막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기의 SOG막을 열처리할떼 SOG막 상부에 실리콘 절연막을 증착시키지 않은 상태에서 열처리 하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기의 SOG막 내의 수소를 채널영역으로 침투시키는 기술을 하부 게이트 박막 트랜지스터에 적용하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기한 SOG막의 수소를 채널영역으로 침투시키는 기술을 상부 게이트 박막 트랜지스터에 적용하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR960003857B1 KR960003857B1 (ko) | 1996-03-23 |
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ID=19348203
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR960003857B1 (ko) |
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1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027054A patent/KR960003857B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| KR960003857B1 (ko) | 1996-03-23 |
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