KR940016446A - 포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법 - Google Patents
포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940016446A KR940016446A KR1019920026887A KR920026887A KR940016446A KR 940016446 A KR940016446 A KR 940016446A KR 1019920026887 A KR1019920026887 A KR 1019920026887A KR 920026887 A KR920026887 A KR 920026887A KR 940016446 A KR940016446 A KR 940016446A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photomask
- exposure machine
- vernier
- performance
- measurement method
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
본 발명은 포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법에 있어서, 자 버니어를 갖는 포토마스크와 모 버니어를 갖는 포토마스크를 형성하는 제 1 단계와, 상기 형성한 자 버니어와 모 버니어를 갖는 각각의 포토마스크를 중첩하여 현상하는 제 2 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 모 버니어 형성도. 제 2 도는 자 버니어 형성도, 제 3 도는 모 버니어와 자 버니어를 중첩하여 현상한 패턴 형성도, 제 4 도는 선폭 측정 패턴과 함께 자 버니어와 모 버니어 형성도.
Claims (2)
- 포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법에 있어서, 자 버니어를 갖는 포토마스크와 모 버니어를 갖는 포토마스크를 형성하는 제 1 단계와, 상기 형성한 자 버니어와 모 버니어를 갖는 각각의 포토마스크를 중첩하여 현상하는 제 2 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계의 자 버니어 및 모 버니어를 선폭 측정 패턴과 함께 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920026887A KR940016446A (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920026887A KR940016446A (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940016446A true KR940016446A (ko) | 1994-07-23 |
Family
ID=67214900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920026887A KR940016446A (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940016446A (ko) |
-
1992
- 1992-12-30 KR KR1019920026887A patent/KR940016446A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950012591A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
KR950027933A (ko) | 위상반전 마스크 | |
KR930003264A (ko) | 위상 시프트마스크를 사용한 패턴 형성방법 | |
KR910008486A (ko) | 노광마스크 | |
KR940016446A (ko) | 포토마스크를 이용한 노광기의 성능 측정방법 | |
KR950025855A (ko) | 중첩 패턴 형성용 마스크 제조방법 | |
KR960005756A (ko) | 반도체 소자 제조용 포토 마스크 제작 방법 | |
KR937000886A (ko) | 미세 레지스트 패턴의 형성 방법 | |
KR970003401A (ko) | 디스톨션 체크용 레티클 | |
KR940016578A (ko) | 노광기의 성능을 조사할 수 있는 포토마스크 | |
KR950015579A (ko) | 현상율 측정 패턴이 구비된 포토마스크 및 현상율 측정방법 | |
KR970012002A (ko) | 반도체 소자 제조용 포토마스크 | |
KR920022042A (ko) | 위상반전 마스크 제조방법 | |
KR960026517A (ko) | 중첩도 측정마크 및 그 제조방법 | |
KR970016770A (ko) | 마스크 데이터(mask data)를 감소시키는 패턴 구성 방법 | |
KR970002455A (ko) | 멀티-레이어 중첩을 위한 포토마스크 | |
KR940016646A (ko) | 얼라인먼트 테스팅 방법 | |
KR930006861A (ko) | 다층레지스트를 이용한 패턴형성방법 | |
KR950021040A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
KR920020586A (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
KR970013415A (ko) | 트랜지스터의 실제 폭 측정방법 | |
KR970022503A (ko) | 반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 | |
KR970048935A (ko) | 포토마스크 제작방법 | |
KR960042915A (ko) | 레티클(reticle) 및 그를 이용한 얼라인 키 패턴 형성방법 | |
KR960030100A (ko) | 박막자기헤드용 코어 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |