KR940010098A - 워드라인 부스팅 레벨 제어 장치를 가지는 반도체 메모리 장치 - Google Patents

워드라인 부스팅 레벨 제어 장치를 가지는 반도체 메모리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR940010098A
KR940010098A KR1019920018835A KR920018835A KR940010098A KR 940010098 A KR940010098 A KR 940010098A KR 1019920018835 A KR1019920018835 A KR 1019920018835A KR 920018835 A KR920018835 A KR 920018835A KR 940010098 A KR940010098 A KR 940010098A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
semiconductor memory
memory device
output signal
address strobe
Prior art date
Application number
KR1019920018835A
Other languages
English (en)
Inventor
김규홍
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019920018835A priority Critical patent/KR940010098A/ko
Publication of KR940010098A publication Critical patent/KR940010098A/ko

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 워드라인에 인가되는 부스팅 전압의 레벨을 조절할수 있는 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 전압의 레벨에 의한 반도체 메모리 장치의 부스팅 회로는 통상적인 부스트 클럭 발생기에다가 부스팅 레벨 제어 수단을 더 구비하며, 소정의 원하는 동작시에만 워드라인의 전압레벨을 조절하여 메모리 셀의 산화층에 형성도는 전계를 감소시켜 메모리 셀의 산화층에 가해지는 스트레스를 최소화하고, 또한 로우 어드레스 스트로브 신호

Description

워드라인 부스팅 레벨 제어 장치를 가지는 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 워드라인 선택과정을 보여주는 블럭다이어그램,
제5도는 제4도는 따른 부스팅 레벨 제어 수단이 구비된 워드라인 부스트 클럭신호 발생기의 실시예,
제6도는 제4도 및 제5도에 따른 각 제어 신호의 타이밍도.

Claims (3)

  1. 로우 어드레스 스트로브 신호가 입력되는 로우 어드레스 스트로브 신호 버퍼, 다수의 메모리 셀로 이루어진 메모리 셀 어레이, 상기 로우 어드레스 스트로브 신호 버퍼의 출력 신호를 입력으로 하는 제어 회로 및 로우 어드레스 버퍼, 상기 제어 회로의 출력 신호를 입력으로 하는 부스트 클럭 발생기, 상기 부스트 클럭 발생기의 출력을 입력으로 하는 센싱 제어 회로 및 로우 디코더를 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 로우 어드레스 스트로브 신호버퍼에 출력신호와 상기 센싱 제어 회로의 출력신호를 각각 입력하고 상기 부스트클럭 발생기의 출력신호를 제어하는 부스팅 레벨 제어수단을 적어도 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부스트 클럭 발생기의 출력 신호는, 하나의 동작 사이클시에 상기 로우 어드레스 스트로브 신호의 입력에 동기되어 발생되는 제1신호와 상기 센싱제어 회로의 출력신호에 의해 상기 제1신호가 전압강하된 제2신호와, 상기 로우어드레스 스트로브 신호 버퍼의 출력신호에 의해 상기 제2신호가 상기 제1신호 레벨로 상승된 제3신호를 적어도 포함함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 부스팅 레벨 제어 수단이 배타적 논리합 회로임을 특징으로하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920018835A 1992-10-13 1992-10-13 워드라인 부스팅 레벨 제어 장치를 가지는 반도체 메모리 장치 KR940010098A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920018835A KR940010098A (ko) 1992-10-13 1992-10-13 워드라인 부스팅 레벨 제어 장치를 가지는 반도체 메모리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920018835A KR940010098A (ko) 1992-10-13 1992-10-13 워드라인 부스팅 레벨 제어 장치를 가지는 반도체 메모리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940010098A true KR940010098A (ko) 1994-05-24

Family

ID=67210315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920018835A KR940010098A (ko) 1992-10-13 1992-10-13 워드라인 부스팅 레벨 제어 장치를 가지는 반도체 메모리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR940010098A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100238868B1 (ko) * 1996-11-30 2000-01-15 윤종용 스트레스를 줄인 워드라인 구동관련회로를 구비한 반도체 메모리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100238868B1 (ko) * 1996-11-30 2000-01-15 윤종용 스트레스를 줄인 워드라인 구동관련회로를 구비한 반도체 메모리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6240035B1 (en) Semiconductor integrated circuit device and method of activating the same
KR880011799A (ko) 데이터출력 버퍼회로 및 전위변동 감축방법
KR100200922B1 (ko) 반도체 메모리장치의 펌핑전압발생기
JPS63146298A (ja) 可変語長シフトレジスタ
KR870002580A (ko) 다이나믹 반도체 메모리 장치를 리프레쉬(refreshing)하기 위한 방법 및 장치
KR900008527A (ko) 반도체 기억장치
KR900015159A (ko) 개량된 워드선 제어를 가지는 다이나믹 랜덤 억세스 메모리
KR890007296A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR940006148A (ko) 테스트 기능을 가진 메모리장치
KR890010909A (ko) 반도체 메모리 회로
KR850002637A (ko) 반도체 기억장치
KR100260477B1 (ko) 낮은 전원공급전압에서 고속동작을 하는 반도체 메모리 장치 및 반도체 액세스 방법
KR890005748A (ko) 더미셀어레이를 구비한 반도체기억장치
KR870009385A (ko) 반도체 집적회로 장치
JP2005534970A (ja) 液晶表示装置を駆動する方法及び回路
KR910014948A (ko) 반도체 기억 장치 및 데이타 처리장치
KR920006974A (ko) 다이너믹형 반도체기억장치
KR950012706A (ko) 반도체 메모리 장치
KR940010098A (ko) 워드라인 부스팅 레벨 제어 장치를 가지는 반도체 메모리 장치
KR930001230A (ko) 반도체 기억장치 및 반도체 집적회로 장치
KR970029837A (ko) 승압회로를 갖는 기억장치 및 승압회로 제어방법
KR930020470A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR960039000A (ko) 기입 사이클 시간을 감소시키기 위해 펄스 발생기를 갖는 반도체 스태틱 메모리 장치
KR960035641A (ko) 라이트 리커버리 제어회로 및 그 제어방법
JPH04331506A (ja) パルス発生器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
SUBM Submission of document of abandonment before or after decision of registration