KR940004821A - 반도체집적회로장치 - Google Patents

반도체집적회로장치 Download PDF

Info

Publication number
KR940004821A
KR940004821A KR1019930016165A KR930016165A KR940004821A KR 940004821 A KR940004821 A KR 940004821A KR 1019930016165 A KR1019930016165 A KR 1019930016165A KR 930016165 A KR930016165 A KR 930016165A KR 940004821 A KR940004821 A KR 940004821A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
film thickness
semiconductor layer
semiconductor
bipolar transistor
Prior art date
Application number
KR1019930016165A
Other languages
English (en)
Inventor
고사부로 구리따
Original Assignee
가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 쯔또무, 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 filed Critical 가나이 쯔또무
Publication of KR940004821A publication Critical patent/KR940004821A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

동일 기판상에 바이폴라트랜지스터 및 MISFET를 탑재한 혼재형 반도체집적회로장치에 관한 것으로써, 방열 효율을 향상하며, 또한 기생용량을 감소하여 회로의 동작속도의 고속화를 도모하기 위해, 반도체기판의 표면상에 절연층을 개재해서 반도체층이 구성되고, 이 반도체층에 바이폴라트랜지스터가 구성됨과 동시에 MISFET가 구성되는 혼재형 반도체집적회로장치에 있어서 반도체층의 바이폴라트랜지스터의 바닥의 절연층의 막두께가 얇게 구성되며, 반도체층의 MISFET의 바닥의 절연층이 두껍게 구성된다.
이러한 장치를 이용하는 것에 의해, 회로의 동작속도의 고속화, 바이폴라트랜지스터의 차단주파수를 향상할 수 있으며, 소자표면의 평탄화를 도모할 수 있다.

Description

반도체집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1인 혼재형 반도체집적회로장치의 단면도,
제2도(A)는 인버터회로도,
제2도(B)는 ECL회로도,
제2도(C) 및 제2도(D)는 입출력전압 파형도,
제2도(E) 및 제2도(F)는 전원전류 파형도.

Claims (10)

  1. 기판의 표면상에 절연층을 개재해서 반도체층이 구성되고 이 반도체층의 제1영역에 바이폴라트랜지스터가 구성됨과 동시에 상기 반도체층의 상기 제1영역과 다른 제2영역에 MISFET가 구성되는 반도체집적회로장치에 있어서, 상기 반도체층의 제1영역에 구성된 바이폴라트랜지스터의 바닥의 절연층의 막두께가 얇게 구성됨과 동시에 상기 반도체층의 제2영역에 구성된 MISFET의 바닥의 절연층이 상기 제1영역의 바닥의 절연층의 막두께에 비해서 두껍게 구성되는 반도체집적회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 반도체층의 제1영역의 막두께는 두껍게 구성됨과 동시에 상기 반도체층의 제2영역의 막두께는 상기 반도체층의 제1영역의 막두께에 비해서 얇게 구성되고, 상기 반도체층의 제1영역에 상기 반도체층의 막두께방향에 따라서 컬렉터영역, 베이스영역, 에미터영역의 각각의 동작영역이 순차로 배열되는 종형구조의 바이폴라트랜지스터가 구성되고, 상기 반도체층의 제2영역에, 게이트전극에 전압이 인가되었을때 완전히 공핍화되는 채널형성영역이 배치되는 MISFET가 구성되는 반도체집적회로장치.
  3. 제2항에 있어서, 반도체층의 바이폴라트랜지스터가 구성된 제1영역의 막두께와 이 제1영역의 절연층의 막두께의 합계의 막두께는 상기 반도체층의 MISFET가 구성된 제2영역의 막두께와 이 제2영역의 절연층의 막두께의 합계의 막두께와 동일한 치수로 구성되는 반도체집적회로장치.
  4. 반도체기판, 제1영역과 제2영역을 갖고, 상기 반도체기판상에 형성된 제1절연막 및 각각 제1영역과 제2영역상에 형성된 제1과 제2반도체층, 제2영역상에 형성된 MISFET의 게이트절연막 및 상기 제2영역상에 형성된 상기 MISFET의 게이트전극을 포함하며, 상기 제2영역의 막두께는 상기 제1영역의 막두께보다 두껍고, 바이폴라트랜지스터의 컬렉터, 베이스 에디터영역은 상기 제1영역내에 형성되고 상기 MISFET의 소오스, 드레인, 채널영역은 제2영역내에 형성되는 반도체집적회로장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1반도체층의 막두께는 상기 제2반도체층보다 두꺼운 반도체집적회로장치.
  6. SOI구조를 채용하는 반도집적회로에 있어서, 실리콘기판, 제1영역과 제2영역을 갖고, 상기 실리콘기판상에 형성된 실리콘 산화막, 각각 제1영역과 제2영역상에 형성된 제1과 제2반도체층, 상기 제2영역상에 형성된 MISFET의 게이트절연막 및 상기 게이트절연막에 형성된 상기 MISFET의 게이트전극을 포함하며, 상기 제2영역의 막두께는 상기 제1영역의 막두께보다 두껍고 상기 제1과 제2반도체층은 실리콘재로 구성되고, 종형구조의 바이폴라트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스영역은 제1영역내에 형성되고, 상기 MISFET의 소오스, 드레인, 채널영역은 제2영역내에 형성되고, 상기 제1반도체층의 막두께는 상기 제2의 반도체층의 막두께보다 두껍고, 상기 제1영역의 막두께방향에 따라서 상기 컬렉터영역, 베이스영역, 에미터영역이 차례로 배열되며, 상기 제2영역의 막두께는 상기 게이트전극에 전극이 인가되었을 때 상기 채널영역이 완전히 공핍화되는 막두께인 반도체집적회로.
  7. 제5항에 있어서, 상기 바이폴라트랜지스터는 상기 제1영역의 막두께방향에 따라서 상기 컬렉터영역, 베이스영역, 에미터영역이 순차로 배열되는 종형구조의 바이폴라트랜지스터를 구성하며, 상기 제2영역의 막두께는 상기 게이트전극에 전압이 인가되었을 때 상기 채널영역이 완전히 공핍화되는 막두께인 반도체집적회로.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1영역의 막두께와 제1반도체층의 막두께의 합계의 막두께는 상기 제2영역의 막두께와 제2반도체층의 막두께의 합계의 막두께와 같은 반도체집적회로.
  9. 제5항에 있어서, 상기 바이폴라트랜지스터를 사용해서 ECL회로가 구성되는 반도체집적회로.
  10. 제5항에 있어서, 상기 제1과 제2반도체층은 제1절연막상에 에피택셜성장기술을 이용해서 형성된 같은 층의 실리콘층으로 구성되어 있는 반도체집적회로.
KR1019930016165A 1992-08-31 1993-08-20 반도체집적회로장치 KR940004821A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-230787 1992-08-31
JP4230787A JPH0685177A (ja) 1992-08-31 1992-08-31 半導体集積回路装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940004821A true KR940004821A (ko) 1994-03-16

Family

ID=16913266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930016165A KR940004821A (ko) 1992-08-31 1993-08-20 반도체집적회로장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5371401A (ko)
JP (1) JPH0685177A (ko)
KR (1) KR940004821A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100437478B1 (ko) * 2000-08-22 2004-06-23 삼성에스디아이 주식회사 개선된 방열 구조물이 있는 유기 전기 발광 소자

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2654607B2 (ja) * 1994-09-22 1997-09-17 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH08162472A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Mitsubishi Electric Corp バイポーラトランジスタ，バイポーラトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法
JP2806286B2 (ja) * 1995-02-07 1998-09-30 日本電気株式会社 半導体装置
JP3600335B2 (ja) * 1995-03-27 2004-12-15 株式会社東芝 半導体装置
US5708287A (en) * 1995-11-29 1998-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor device having an active layer
US5792678A (en) * 1996-05-02 1998-08-11 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor on insulator device
DE69738012T2 (de) * 1996-11-26 2007-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
JP3075204B2 (ja) * 1997-02-28 2000-08-14 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5952695A (en) * 1997-03-05 1999-09-14 International Business Machines Corporation Silicon-on-insulator and CMOS-on-SOI double film structures
US5889293A (en) * 1997-04-04 1999-03-30 International Business Machines Corporation Electrical contact to buried SOI structures
KR100281907B1 (ko) * 1998-10-29 2001-02-15 김덕중 인텔리전트 전력 집적 회로 및 이를 제조하는 방법
US6365465B1 (en) 1999-03-19 2002-04-02 International Business Machines Corporation Self-aligned double-gate MOSFET by selective epitaxy and silicon wafer bonding techniques
JP4202563B2 (ja) * 1999-11-18 2008-12-24 株式会社東芝 半導体装置
US6642115B1 (en) 2000-05-15 2003-11-04 International Business Machines Corporation Double-gate FET with planarized surfaces and self-aligned silicides
US6982460B1 (en) * 2000-07-07 2006-01-03 International Business Machines Corporation Self-aligned gate MOSFET with separate gates
JP2002299591A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Toshiba Corp 半導体装置
DE10151132A1 (de) * 2001-10-17 2003-05-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterstruktur mit einem von dem Substrat kapazitiv entkoppelten Bauelementen
DE10151203A1 (de) * 2001-10-17 2003-08-07 Infineon Technologies Ag Halbleiterstruktur mit verringerter kapazitiver Kopplung zwischen Bauelementen
US6936910B2 (en) * 2003-05-09 2005-08-30 International Business Machines Corporation BiCMOS technology on SOI substrates
US20040222436A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 International Business Machines Corporation Bicmos technology on soi substrates
EP1782463A1 (en) 2004-06-30 2007-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Technique for forming a substrate having crystalline semiconductor regions of different characteristics
DE102004031708B4 (de) * 2004-06-30 2008-02-07 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Herstellen eines Substrats mit kristallinen Halbleitergebieten unterschiedlicher Eigenschaften
DE102004057764B4 (de) * 2004-11-30 2013-05-16 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit kristallinen Halbleitergebieten mit unterschiedlichen Eigenschaften, die über einem kristallinen Vollsubstrat angeordnet sind und damit hergestelltes Halbleiterbauelement
US9520486B2 (en) 2009-11-04 2016-12-13 Analog Devices, Inc. Electrostatic protection device
US8476684B2 (en) * 2010-09-29 2013-07-02 Analog Devices, Inc. Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same
US10199482B2 (en) 2010-11-29 2019-02-05 Analog Devices, Inc. Apparatus for electrostatic discharge protection
US8816389B2 (en) 2011-10-21 2014-08-26 Analog Devices, Inc. Overvoltage and/or electrostatic discharge protection device
US8803193B2 (en) 2011-05-11 2014-08-12 Analog Devices, Inc. Overvoltage and/or electrostatic discharge protection device
US10181719B2 (en) 2015-03-16 2019-01-15 Analog Devices Global Overvoltage blocking protection device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5107321A (en) * 1990-04-02 1992-04-21 National Semiconductor Corporation Interconnect method for semiconductor devices
JPH0469966A (ja) * 1990-07-10 1992-03-05 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100437478B1 (ko) * 2000-08-22 2004-06-23 삼성에스디아이 주식회사 개선된 방열 구조물이 있는 유기 전기 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0685177A (ja) 1994-03-25
US5371401A (en) 1994-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940004821A (ko) 반도체집적회로장치
US5444272A (en) Three-terminal thyristor with single MOS-gate controlled characteristics
JPH0575110A (ja) 半導体装置
US5240865A (en) Method of forming a thyristor on an SOI substrate
US5608238A (en) Semiconductor device having two insulated gates and capable of thyristor function and method for operating the same
JPS638624B2 (ko)
TW200514257A (en) Semiconductor device and driving circuit for semiconductor device
JP3694918B2 (ja) 半導体装置
JP2003243548A (ja) 半導体回路及び半導体装置
TW371355B (en) High voltage metal insulator semiconductor field effect transistor and semiconductor integrated circuit device
JP3199857B2 (ja) 伝導度変調型ｍｏｓｆｅｔ
JPS59181561A (ja) 高電圧ｍｏｓ・バイポ−ラパワ−トランジスタ装置
US5172208A (en) Thyristor
JPH047592B2 (ko)
JP2682088B2 (ja) 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JPS54148388A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS6244698B2 (ko)
JP3071819B2 (ja) 絶縁ゲート型半導体装置
JPH0344425B2 (ko)
JPS6156431A (ja) 高圧半導体集積回路
JPS6346587B2 (ko)
JP2687638B2 (ja) 半導体装置
KR940001387A (ko) 에미터 커플드 논리 반도체 장치
JPH03203380A (ja) 縦型ｍｏｓ電界効果トランジスタの保護装置
JPH02270377A (ja) スイツチング素子

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid