KR940004717A - 열처리장치 - Google Patents

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Abstract

프로세스 튜브 따위의 처리용 용기내에 열처리용 보우트에 수납된 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 로우드하고, 이 처리용 용기의 정상부로부터 아래를 향해서 수증기를 공급하여 피처리체를 열처리하는 열처리장치에 있어서, 처리용 용기의 정상부와 열처리용 보우트의 상단면과의 사이에 수증기의 통과를 허용하는 가령 30개의 유통구멍을 가지는 가스분산판을 설치하고, 또한, 가스 분산판 아래방향에 열처리공간을 구획형성한다. 그리고, 이들 유통구멍은, 주로 열처리용 보우트에 유지된 피처리체의 외부둘레와 처리용 용기의 내측과의 사이의 빈 틈새부에, 그 둘레 방향으로 균등하게 분산해서 배열설치한다. 이와 같은 구성에 의해서 열처리장치의 세로방향으로 수직방향애서 등간격으로 수납한 다수의 피처리체에 대하여 처리용 용기내에서 처리용 가스(수증기)를 단시간내에 가스치환해서 피처리체 전체에 걸쳐 신속하게 처리용 가스를 퍼지게하여 모든 수납된 피처리체를 단시간에, 그리고 균일하게 처리할 수 있다.

Description

열처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 말명의 열처리장치의 제1실시예의 열처리부 종단면도,
제2도는 제1도에 도시한 열처리장치의 가스분산판 부분의 Ⅱ-Ⅱ 화살표 방향에서 본 단면도,
제3도는 제1도에 도시한 열처리장치의 배기가스압 조정장치의 한 실시예의 요부 단면도,
제4도는 배기가스압 조정장치의 다른 실시예의 구성도.

Claims (15)

  1. 처리용 용기내에 유지체에 유지된 피처리체를 로우드하고, 그 처리용 용기의 정상부로부터 아래쪽을 향해서 처리용가스를 공급하여 퍼처리체를 열처리하는 열처리장치에 있어서, 상기 정상부와 상기 유지체의 상단면과의 사이에 설치한 가스분산판과, 그 가스분산판의 아래쪽에 구획형성한 열처리공간과, 상기 가스분산판에 상기 유지체에 유지된 피처리체의 외부둘레와 상기 처리용 용기의 내측과의 사이의 빈 틈새부에 그 둘레방향으로 균등하게 분산해서 배열설치된 유통구멍으로 이루어지는 열처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리용 용기를 각각의 정상부가 막힌 내부통과 외부통을 서로 틈새를 사이에 두고 동심으로 배열 설치해서 구성하며, 또한, 상기 틈새를 각각의 하단부에서 봉하고, 상기 틈새의 하단부에 처리용 가스를 그 틈새에 공급하는 가스공급부와, 상기 내부통 정상부에 상기 가스공급부로부터의 처리용 가스를 상기 열처리공간내로 도입하는 가스도입부를 형성하고, 이에 의해서 처리용 가스가 상기 가스공급부로부터 상기 가스도입부에 도달하는 동안에 처리용 가스를 가열하도록 한 열처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유통구멍의 개구지름을 3㎜로 하고,10∼40개를 상기 가스분산판에 형성한 열처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유통구멍으로부터의 처리용 가스의 분출속도를 17m/분 이상으로 한 열처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유통구멍을 상기 빈 틈새부에만 배열 설치한 열처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 빈 틈새부에는 60∼90%, 또한, 상기 유지체의 상단면에는 40∼10%의 처리용 가스가 분출하도록 상기 유통구멍을 배열 설치한 열처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 정상부 중심에 가스도입구멍을 형성한 열처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 처리용 가스가 수증기인 열처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 유지체가 반도체 웨이퍼 보우트인 열처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 처리용 용기의 하단부에 배기배관을 접속해서 공장 배기함과 동시에, 그 배기배관에 분기관을 배열설치하고 그 분리관 내에 자중에 의해서 자리를 잡는 가동밸브를 배열설치한 배기가스압 조절장치를 설치한 열처리장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 처리용 용기의 하단부에 배기배관을 접속해서 공장 배기함과 동시에, 그 배기배관에 분기관을 배열하고, 그 분리관에 배기가스의 압력을 검출하는 압력센서를 배열설치하며, 그 압력센서의 검출압력에 의하여 모터를 구동해서 상기 배기배관중의 밸브 열림정도를 조절하여 상기 배기배관중의 압력을 제어하도록한 열처리장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 열처리장치가 산화장치인 열처리장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 열처리장치가 CVD 장치인 열처리장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 열처리장치가 확산장치인 열처리장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 열처리장치가 종형 열처리로인 열처리창치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930015628A 1992-08-12 1993-08-12 열처리장치 KR100289136B1 (ko)

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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
JP3971810B2 (ja) * 1995-11-30 2007-09-05 三星電子株式会社 縦型拡散炉
US5902103A (en) * 1995-12-29 1999-05-11 Kokusai Electric Co., Ltd. Vertical furnace of a semiconductor manufacturing apparatus and a boat cover thereof
USD424024S (en) * 1997-01-31 2000-05-02 Tokyo Electron Limited Quartz process tube
USD423463S (en) * 1997-01-31 2000-04-25 Tokyo Electron Limited Quartz process tube
US5948300A (en) * 1997-09-12 1999-09-07 Kokusai Bti Corporation Process tube with in-situ gas preheating
US5800616A (en) * 1997-12-15 1998-09-01 Sony Corporation Vertical LPCVD furnace with reversible manifold collar and method of retrofitting same
US6291868B1 (en) 1998-02-26 2001-09-18 Micron Technology, Inc. Forming a conductive structure in a semiconductor device
KR100363158B1 (ko) * 1998-10-09 2003-01-24 삼성전자 주식회사 폐쇄형반도체습식열산화장치
US6630053B2 (en) * 2000-08-22 2003-10-07 Asm Japan K.K. Semiconductor processing module and apparatus
US6902546B2 (en) * 2001-03-15 2005-06-07 Specialized Health Products, Inc. Safety shield for medical needles
JP2002334868A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
TW578198B (en) * 2001-08-24 2004-03-01 Asml Us Inc Atmospheric pressure wafer processing reactor having an internal pressure control system and method
JP3965167B2 (ja) * 2003-07-04 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
KR100825356B1 (ko) * 2004-09-16 2008-04-28 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 열처리장치 및 기판의 제조방법
US7467916B2 (en) * 2005-03-08 2008-12-23 Asm Japan K.K. Semiconductor-manufacturing apparatus equipped with cooling stage and semiconductor-manufacturing method using same
KR100782484B1 (ko) * 2006-07-13 2007-12-05 삼성전자주식회사 열처리 설비
US7632354B2 (en) * 2006-08-08 2009-12-15 Tokyo Electron Limited Thermal processing system with improved process gas flow and method for injecting a process gas into a thermal processing system
JP5051875B2 (ja) * 2006-12-25 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
US20090035463A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Tokyo Electron Limited Thermal processing system and method for forming an oxide layer on substrates
KR101022060B1 (ko) * 2008-09-30 2011-03-16 주식회사 테라세미콘 퍼니스
KR20110112074A (ko) * 2010-04-06 2011-10-12 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP5645718B2 (ja) * 2011-03-07 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR101923087B1 (ko) * 2011-04-07 2018-11-28 피코순 오와이 플라즈마 소오스를 갖는 퇴적 반응기
KR101879175B1 (ko) * 2011-10-20 2018-08-20 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치
CN108364877B (zh) * 2017-12-29 2020-05-29 通富微电子股份有限公司 回流炉及回流时防止基板变形的方法
JP7216537B2 (ja) * 2018-12-13 2023-02-01 オリンパス株式会社 加熱炉
CN111755359B (zh) * 2019-03-26 2024-04-12 株式会社国际电气 基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法
FI130545B (en) * 2021-09-14 2023-11-08 Picosun Oy SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT AND METHOD

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55167041A (en) * 1979-06-14 1980-12-26 Toshiba Corp Vertical type gaseous phase growth device
JPH0758696B2 (ja) * 1984-11-09 1995-06-21 株式会社日立製作所 半導体ウエハ加熱装置
US4798165A (en) * 1985-10-07 1989-01-17 Epsilon Apparatus for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow
US4891335A (en) * 1986-10-15 1990-01-02 Advantage Production Technology Inc. Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus
JPS63227011A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 Fujitsu Ltd 化学気相成長装置
JP2502661B2 (ja) * 1988-03-04 1996-05-29 松下電器産業株式会社 気相成長装置
JP2654996B2 (ja) * 1988-08-17 1997-09-17 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
KR0147044B1 (ko) * 1990-01-23 1998-11-02 카자마 젠쥬 배기 시스템을 가지는 열처리장치
US5279670A (en) * 1990-03-31 1994-01-18 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical type diffusion apparatus
US5268034A (en) * 1991-06-25 1993-12-07 Lsi Logic Corporation Fluid dispersion head for CVD appratus
US5303671A (en) * 1992-02-07 1994-04-19 Tokyo Electron Limited System for continuously washing and film-forming a semiconductor wafer

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Publication number Publication date
US5458685A (en) 1995-10-17
TW239164B (ko) 1995-01-21
KR100289136B1 (ko) 2001-05-02

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