KR940001679B1 - 팔라듐 필름의 전착 - Google Patents

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아메리칸 텔리폰 앤드 텔리그라프 캄파니
오. 이. 알버
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Abstract

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Description

팔라듐 필름의 전착
제1도는 본 발명에 따라 팔라듐 및 팔라듐 합금을 전기도금 시키는데 유용한 대표적인 장치를 나타내는 도이고,
제2도는 본 발명에 따라 팔라듐이고 전기도금한 접속체 핀을 나타내는 도이다.
본 발명은 팔라듐을 포함하는 금속 및 합금을 전기도금하는데 관한 것이고 또한 상기와 같이 전기도금한 팔라듐 및 팔라듐 합금을 포함하는 제품에 관한 것이다.
팔라듐 금속 및 팔라듐을 함유하는 합금은 심미적인 목적 및 실용적인 목적을 위해 다양한 제품 및 장치상에서 보호 코팅재로 널리 사용된다. 종종, 보석, 시계등과 같은 장식제품에는 사용자의 관심을 끄는 광택과 빛나는 표면을 유발시키기 위해 팔라듐 금속 또는 팔라듐 합금 코팅재가 코팅되어 있다. 또한 상기 코팅된 표면은 팔라듐 코팅재의 화학적 불활성으로 인해 장기간에 걸쳐 광택과 윤기를 유지한다.
팔라듐 금속 및 합금의 대단히 중요한 용도는 전기접촉 장치 및 전기 접촉체에서 전기 접촉 표면재로의 용도이다. 팔라듐은 그의 높은 전기 전도율과 그의 화학적 불활성으로 인해 상기 용도에 이상적으로 적합하다. 초기에는 전기 접촉 장치 및 전기 접속체에 종종 금으로 만든 전기 접촉품의 대용품으로 팔라듐 금속 및 팔라듐 합금을 세공한 금속 또는 합금 또는 클래드 인레이(clad inlay) 형태로 사용했다. 전기 접촉 장치 및 전기 접속체의 제조방법으로 전착이 보다 편리하고 비용이 덜 드는 방법이기 때문에 보다 최근에는 팔라듐 금속 및 팔라듐 합금을 전착시키므로써 전기 접촉 장치를 조립하는데 상당히 중점을 두어 왔다.
만족스러운 팔라듐 금속 및 팔라듐 합금의 전착방법 개발은 용이하지 않은 것으로 밝혀졌다. 이 기법에 대한 광범위한 실험에도 불구하고, 전착된 팔라듐은 일반적으로 접착되지 않으며 다공성인 경향이 있고, 종종 균열이 나타나 일반적으로 완전히 부서진다. 이러한 제품은 전기장치에서 전기 접촉품으로 사용하는 것이 만족스럽지 못했으며 종종 장식제품에 사용하는데 무리가 많았다.
팔라듐 전착시 대부분의 문제가 팔라듐에 수소가 혼입되는 것에 기인한다는 사실을 곧 밝혀냈다. 물을 전기분해하는 전위가 팔라듐을 전기도금하는 도금 전위에 아주 근접하기 때문에 수소는 종종 팔라듐 전기도금의 부산물이다. 팔라듐에 수소를 혼입하면 팔라듐 금속의 바람직한 성질(예를 들면 연성, 접착성 등)의 대부분이 저하된다. 실지로, 많은 팔라듐 전기도금법이 도금 전위가 정밀하게 제어될 수 있고 도금 속도가 비교적 낮은 실험실에서는 잘 되는 듯하다. 그러나, 상업적인 제조 조건하에서 상기 방법은 도금 전위가 정밀하게 제어되지 않기 때문에 또는 상업적인 전기도금 방법에서 요구하는 속도로 도금 속도를 증가시키면 전기도금 공정시 수소 방출을 야기시키는 도금 전위가 필요하기 때문에 신뢰할 수 없는 것으로 밝혀졌다.
팔라듐 전기도금 기법에 대한 주요한 발전은 특정 팔라듐 착이온이 수소 방출 전위와는 거리가 있는 전기 도금 전위를 나타낸다는 발견에서 나타났다. 착화제는 특정 지방족 폴리아민을 포함하며 1,3-디아미노프로판인 경우 가장 우수한 결과를 얻는다. 이 연구는 1984년 12월 4일자로 제이.에이. 아비스(J.A. Abys)등에게 허여된 미합중국 특허 제4,486,274호에 기재되어 있다.
이러한 발견은 팔라듐 전기도금에서 주요한 상업적 효과로 발전했다. 이 방법은 미합중국 및 전세계에서 팔라듐을 전기 접속체와 같은 각종 장치의 전기 접촉 표면에 전형적으로 전기도금하는데 널리사용되어 왔다. 이는 이전에 접촉 표면에 금을 요구하는 용도에 일반적으로 사용되어 왔으며 금에 비해 팔라듐의 낮은 비용으로 인해 상당한 비용 절감이 되었다. 추가의 개발 작업은 1984년 8월 28일자로 제이.에이 아비스등에게 허여된 미합중국 특허 제4,468,296호(발명의 명칭 "replenishment compound for a palladium electroplating process") 및 1985년 1월 15일자로 제이.에이. 아비스등에게 허여된 미합중국 특허 제4,493,754호(발명의 명칭 "unique anode structure for use is palladium electroplating process")와 같은 참조 문헌에 기재된 바와 같이 수행해왔다. 종종, 마모 특성을 개선시키기 위해 접촉 표면의 팔라듐 층에 매우 얇은 금층을 덮었다.
지방족 아민을 수반하는 팔라듐 전기도금 방법의 성공으로 인해, 전기도금 공정 및 전기도금한 팔라듐의 성질 둘다에서 추가의 개선이 요구되었다. 그중에서도 특히, 팔라듐 전기도금층을 보다 더 다양하게 선택할 수 있는 것과 같은 팔라듐 전기도금 방법에서의 경비 절감이 요구되었다. 또한 전기도금한 팔라듐의 보다 큰 연성 및 접착성이 특히 비교적 두꺼운(2.5 내지 5.0㎛ 이상)층에서 요구되었다. 팔라듐 금속 및 팔라듐 합금의 상기와 같은 두꺼운 층은 장기간에 걸쳐 마모성이 필요한 장치에 대단히 유용할 것이다.
또한 대단히 큰 접착성과 연성은 스트립상 줄무늬 접속체(stripe on strip connector) 제조 공정에서 필요하다. 여기에서, 접촉 금속(예 : 팔라듐)을 폭넓은 기재(예 : 구리합금) 스트립상에 줄무늬로 전기 도금하고 접촉 금속의 줄무늬를 갖는 이 기재를 펀취(punch)하여 접속체 핀으로 제조한다. 접속체 핀을 제조한 후, 결합하는 접촉 구조와 전기 접촉하는 정확한 지점에 접촉 금속이 놓이도록 하는 위치 및 장소에서, 전기도금한 접촉 금속 줄무늬를 스트립에 놓는다.
전기 접촉품에 사용하기 위한 스트립상 줄무늬 제조공정은 다수의 잇점을 갖는다. 우선, 고속 도금법을 사용하여 도금된 스트립을 재빨리 값싸게 제조할 수 있다. 종종 비교적 낮은 비용으로 많은 처리량을 산출하는 릴 대 릴(reel-to-reel) 연속식 스트립 도금법을 사용할 수 있다. 또한 상기와 동일한 도금 스트립을 상이한 많은 접속체 및 접속체 핀에 사용할 수 있다.
도금된 스트립에 대한 스탬프(stamping) 작업에 의해, 전기도금된 팔라듐 또는 팔라듐 합금은 기재 재료에 대해 대단히 접착성이 있어야 하고 대단히 유연해야 하고 스탬프 작업이후에 균열이 없고 다공성이 없는 채로 남아야 한다.
1984년 12월 11일자로 케이.비. 미쏘쏘(K.B. Miscioscio)등에게 허여된 미합중국 특허 제4,487,665호; 1985년 1월 1일자로 쥐. 헤르클로쯔(G. Herklotz)등에게 허여된 미합중국 특허 제4,491,507호 및 1985년 10월 5일자로 아이. 골드만(I. Goldman)에게 허여된 미합중국 특허 제4,545,869호와 같은 다수의 참조문헌에 팔라듐 전기도금 방법이 기재되어 있다. 다수의 팔라듐 전기 도금법에서는 팔라듐 공급원으로 팔라듐 테트라아민 착체를 사용한다[1986년 11월 11일자로 제이.엘. 마틴(J.L. Martin)등에게 허여된 미합중국 특허 제4,622,110호; 1985년 11월 12일자로 제이. 윌콕스(J. Wilcox)에게 허여된 미합중국 특허 제4,552,628호 및 1986년 12월 9일자로 에프.아이. 노벨(F.I. Nobel)에게 허여된 미합중국 특허 제4,628,165호].
본 발명은 전기도금욕이 팔라듐 공급원이외에 일반적으로 계면활성제 및 광택제로 생각되는 특정 유기 첨가제를 포함하는 팔라듐 및 팔라듐 합금의 전기도금법에 관한 것이다. 상기 욕은 적어도 하나의 계면활성제와 적어도 하나의 광택제를 함유한다. 계면활성제는 전형적으로 탄소수 4 내지 35개의 알킬암모늄 염화물, 바람직하게는 알킬트리메틸암모늄 염화물(옥틸트리메틸 암모늄 염화물 내지 옥타데실트리메틸암모늄 염화물)중에서 선택한다. 계면활성제 분자내의 너무 작은 탄소원자는 화합물의 계면활성을 저하시키고(예를 들면 액상의 화합물은 강력한 표면 막을 형성하지 않는다) ; 계면활성제 화합물 구조내의 너무 많은 탄소원자는 많은 용도에서 화합물이 전기도금욕에서 불충분하게 용해되도록 한다. 가장 바람직한 계면활성제는 도데실트리메틸암모늄 염화물이다.
다양한 광택제를 본 발명의 실행시에 사용할 수도 있다. 다양한 유기 황 화합물, 예를들면 설폰 및 설폰산과 황-질소 화합물, 예를들면 각종 설파미드가 광택제 목록에 포함된다. 본 발명에 따라 제조한 도금 필름은 탁월한 연성을 나타내고 상당한 두께(예 : 2 내지 10㎛)로 제조했을 때 조차도 균열이 없으며, 광택성 마감 표면을 갖고 탁월한 전기 접촉 특징과 마모 특징을 나타낸다.
본 발명은 팔라듐을 포함하는 금속을 전기도금하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 전기도금욕에 특정 유기 첨가제의 혼입이 전기도금 속도가 아주 높고 전기도금한 필름의 두께가 아주 클 때 조차도 전기도금한 금속(팔라듐 또는 팔라듐 합금)의 성질을 대단히 우수하게 만든다는 발견에 근거한다. 순수한 팔라듐 및 각종 팔라듐 합금 모두를 전기도금하여 탁월한 결과를 얻는다. 전형적으로 팔라듐 합금은 팔라듐 적어도 10몰%, 나머지의 니켈, 코발트, 비소 및/또는 은으로 구성된다. 적어도 30, 50 또는 70몰%의 팔라듐, 나머지의 비소, 니켈, 코발트 및/또는 은으로 구성된 합금 조성물이 대표적이며 합금 금속으로 니켈이 바람직하다.
본 발명은 전기도금욕 조성물, 그중에서도 특히 흔히 계면활성제 및 광택제라 부르는 특정 유기 첨가제가 전기도금욕에 존재하는 조성물에 관한 것이다. 상기 욕은 적어도 하나의 계면활성제와 적어도 하나의 광택제를 함유한다. 계면활성제는 C4내지 C35의 지방족 4급 암모늄염이다. 4급 암모늄 염의 음이온은 할로겐(예 : 염소, 브롬 및 요오드)을 포함하는 다양한 이온, 잘 알려진 다른 무기 음이온(예 : 설페이트, 클로레이트등) 및 아세테이트 이온과 같은 각종 유기 음이온중에서 선택할 수 있다. 4급 암모늄 염화물 화합물의 유용성, 염화물 이온의 안정성, 유용성 및 수득한 탁월한 결과로 인해 염화물 이온이 가장 바람직하다. C8내지 C18의 쇄 길이를 갖는 지방족 직쇄 트리메틸암모늄 염화물이 바람직하다. 더욱 바람직한 것은 C11내지 C13의 쇄 길이를 갖는 4급 염(예 : 운데실트리메틸암모늄 염화물, 도데실 트리메틸암모늄 염화물 및 트리데실트리메틸암모늄 염화물)이며 가장 바람직한 것은 도데실트리메틸암모늄 염화물이다. 계면활성제의 농도는 광범위한 한도에 걸쳐 변화할 수 있지만 대표적인 농도는 0.0002 내지 0.4몰 농도 범위이며 0.004 내지 0.02몰 농도가 바람직하다.
전기도금욕은 또한 하나이상의 광택제를 함유한다. 본 발명의 실시에 유용한 전형적인 광택제는 종종 황함유 유기산 및 이들의 염이다. α-벤즈알데하이드설폰산, 1-나프탈렌 설폰산, 2-나프탈렌설폰산, 벤젠설핀산, 옥시-4,4-비스(벤젠)설핀산, p-톨루엔설핀산 및 3-트리플루오로메틸벤젠설핀산이 대표적인 예이다. 본 발명의 실시에 유용한 추가의 광택제는 알릴 페닐설폰, o-벤조산 설파미드, 벤질설포닐 프로피온아미드, 페닐설포닐아세트아미드, 3-(페닐설포닐)프로피온아미드, 벤젠 설폰아미드, 비스(페닐설포닐)메탄, 구아니딘 카보네이트, 설파구아니딘 및 니코틴산이다. 하기 광택제가 바람직하다 : 벤젠설폰산, 3-트리플루오로메틸벤젠설핀산 및 알릴 페닐 설폰(가장 바람직함). 광택제의 농도는 광범위한 한도에 걸쳐 변화할 수 있다 : 예를 들면 0.00005몰 농도 내지 포화농도, 바람직하게는 0.002 내지 0.05몰 농도, 가장 바람직하게는 0.001 내지 0.01몰 농도, 일부 광택제는 보통 도금 작업시에 소모된다.
계면활성제로 도데실트리메틸암모늄 염화물과 광택제로 알릴 페닐 설폰이 각각 0.01몰 농도 및 0.0005몰 농도로 조합된 것이 가장 바람직하다.
전기도금욕 조성물의 다른 면은 통상적이다. 팔라듐은 전기도금법에 사용하기 적합한 가용성 종류의 형태로 수성 욕에 함유되어 있다. 특히 Pd(NH3)2Cl2와 같은 팔라듐 착이온 화합물 및 상응하는 브롬화물 및 요오드화물 뿐 아니라 다른 안정한 음이온(예 : 설페이트, 니트레이트 등), Pd(NH3)4Cl2와 같은 팔라듐 테트라아민 염 및 상응하는 브롬화물 및 요오드화물 뿐 아니라 다른 안정한 음이온(예 : 설페이트등)과, 착화제가 아민과 같은 유기 화합물인 각종 팔라듐 착체(예를들면 본 발명에 참고로 인용한 미합중국 특허 제4,486,274호를 참조하시오)가 특히 유용하다. 또한 팔라듐 공급원으로 유용한 것은 각종 유기 화합물(예 : 유기 아민 및 폴리아민)로 착화된 팔라듐 수산화물과 암모니아로 착화된 팔라듐 수산화물(예 : 디-u-하이드록소-비스-[시스-디아민 팔라듐(Ⅱ)]과 같은 팔라듐 착체 수산화물이다.
또한 팔라듐 공급원으로 간단한 여러 팔라듐 화합물(예 : PdCl2) 및 상응하는 브롬화물 및 요오드화물, PdSO4, Pd(NO3)2등도 유용하다.
팔라듐의 농도는 매우 광범위한 한도에 걸쳐 변화할 수 있다. 예를 들면, 팔라듐 공급원의 0.00005M 만큼 낮은 농도가 포화 농도와 마찬가지로 유용하다. 0.005 내지 1.0M의 농도범위에서 탁월한 결과를 얻으며 0.28±0.05M의 농도 범위가 가장 우수한 결과를 산출한다. 매우 낮은 팔라듐 농도는 자주 보충해야 하고 또한 알맞은 도금속도에서 조차도 존재하는 모든 팔라듐이 매우 단시간내에 소비된다는 점에서 불편하다. 팔라듐 농도가 높으면 높을수록 보통 전기도금 속도가 높아진다. 매우 높은 농도의 팔라듐은 도금된 필름의 품질에 유해하지 않지만 종종 팔라듐 공급원의 불편한 침전을 막기 위해 피한다. 상기 사실은 다른 이온의 농도가 욕의 수명기간중에 상당히 변화할 수 있고 팔라듐 공급원의 가용성에 영향을 미칠 수 있기 때문에 특히 중요하다. 팔라듐 할라이드 착화합물염(특히 염화물)을 포함하는 할라이드 팔라듐염이 안정성 및 높은 용해도에 의해 설페이트 팔라듐과 마찬가지로 바람직하다. 또한 암모니아가 비용, 유용성, 용해도 및 욕으로부터 암모니아가 제거되는 용이함으로 인해 착화제(팔라듐 아민 염)로 바람직하다. 비용, 높은 용해도 및 안정성면에서 가장 바람직한 것은 팔라듐 테트라아민 염화물 Pd(NH3)4Cl2이다.
팔라듐 합금을 전기도금하는 동안, 팔라듐 일부가 니켈, 코발트, 은 및 비소와 같은 합금 금속 하나이상으로 치환된다. 니켈 및 비소를 가지고 가장 우수한 결과를 얻는다. 여러 가지 금속 착제 화합물 및 여러 가지 금속 염을 포함하여 전기도금 욕 및 전기도금법과 양립하는 어떤 화합물도 사용할 수 있다. 안정성 및 높은 용해도에 의해 황산염 및 염화물이 보통 바람직하다. 니켈 합금의 대표적인 예는 NiCl2및 NiSO4이고 비소 합금의 경우 As2O3및 As2O5이다.
전류 밀도로 나타낸 도금속도도 또한 광범위한 한도에 걸쳐, 전형적으로 ㎠ 당 0.01 내지 종종 500 밀리암페아 또는 더 한층 1000 밀리암페아 이상으로 변화할 수 있다. 전형적인 속도는 ㎠ 당 50 내지 200밀리암페아이다.
욕의 온도는 욕의 냉동 온도에서 욕의 비등 온도까지 변할 수 있고 종종 편의상 실온이 바람직하거나 또는 특정 상황(예 : 고속도금, 욕에서 높은 염 농도)하에서는 이보다 약간 더 높은 온도(25 내지 55℃)가 바람직하다. 전형적으로는 종종 40℃에서 욕을 작동시킨다.
pH는 광범위한 한도(예 : 6.0 내지 13.5)에 걸쳐 다양할 수 있지만 일반적으로 알칼리성 또는 약산성값이 바람직하고, 6.5 내지 8.5가 가장 흔히 사용된다. 7.0 내지 8.0의 범위가 보다 더 바람직하고, 약 7.5±0.2 범위가 가장 바람직하다. 도금욕의 매우 높은 pH 값은 암모니아를 과량 소모하고, 너무 낮은 pH는 욕의 일부 성분을 침전시키거나 또는 전기도금한 표면상에 원치 않는 화학적 공격을 일으킬 것이다.
욕의 전기적 성질을 개선시키고, 팔라듐 공급원을 안정화시키거나 또는 욕의 산 농도를 안정화시키기 위해 욕에 다른 성분이 존재할 수도 있다. 예를 들면, 전도성 염을 욕에 첨가하여 전도율을 증가시키고 전류 및 전기도금 분포를 개선시키고 전기도금 속도를 증가시킬 수도 있다. 어떤 안정한 가용성 염도 사용할 수 있다. 특히 편리한 염은 0.01 내지 5.0몰(또는 포화) 농도 범위의(1.0±0.5몰 농도가 바람직함) 염화암모늄 이다.
또한 완충제가 욕의 pH를 조절하고 부수적으로 용액의 전도율을 증가시키는데 유용하다. 용액의 원하는 pH와 일치하는 완충제를 사용할 수도 있다. 중요한 pH 값의 대표적인 완충제는 인산염 시스템, 즉 K2HPO4이다. 대표적인 농도는 0.01 내지 2.0몰 농도, 바람직하게는 0.5±0.2이다. 보통 산(예 : HCl) 또는 염기(예 : 수성 NH4)를 첨가하여 pH를 조절한다.
본 발명을 예시하기 위해 몇몇 실시예를 나타낸다.
[실시예 1]
수성 전기도금욕은 Pd(NH3)4Cl20.0005몰, NH4Cl 0.01몰 및 K2HPO40.01몰을 사용하여 제조한다. 이 용액에 계면활성제(도데실트리메틸 암모늄 염화물) 및 광택제(알릴페닐설폰) 각각 0.0002몰 및 0.00005몰을 첨가한다. 이 욕은 10-3mho-㎝ 이상의 전도율을 갖는다. 전도성 표면(예 : 구리, 니켈, 팔라듐등과 같은 금속성 표면)상에서 전기도금할 때 탁월한 결과를 얻는다.
[실시예 2]
0.004M, 0.01M, 0.02M, 0.4M 및 포화 농도의 계면활성제를 사용하여 탁월한 결과를 얻는다.
[실시예 3]
0.005M, 0.01M, 0.03M; 0.05M, 0.2M 및 포화 농도의 광택제를 사용하여 탁월한 결과를 얻는다.
[실시예 4]
탄소수 8 내지 18의 쇄 길이를 갖는 지방족, 직쇄 트리메틸암모늄 염화물중에서 선택한 계면활성제를 사용하여 탁월한 결과를 얻는다.
[실시예 5]
o-벤즈알데하이드설폰산, 1-나프탈렌설폰산, 2-나프탈렌설폰산, 벤젠설핀산, 옥시-4,4-비스(벤젠) 설핀산, p-톨루엔설핀산, 3-트리틀루오로메틸벤젠설핀산, 알릴 페닐 설폰, o-벤조산 설파미드, 벤질설포닐 프로피온아미드 페닐설포닐 아세트아미드, 3-(페닐설포닐)프로피온아미드, 벤젠 설포아미드, 비스(페닐 설포닐)메탄, 구아니딘 카보네이트, 설파구아니딘 및 니코틴산을 포함하는 다양한 광택제 화합물을 가지고 탁월한 결과를 얻는다.
[실시예 6]
0.005M, 0.1M, 0.2M, 0.3M, 1.0M 및 포화 농도의 팔라듐 공급원을 가지고 탁월한 결과를 얻는다.
[실시예 7]
Pd(NH3)4Br2, Pd(NH3)4I2, Pd(NH3)4SO4, Pd(NH3)2Cl2및 상응하는 브롬화물, 요오드화물, 설페이트등, 수산화 팔라듐 착체 및 각종 유기 화합물(예 : 유기 아민 및 폴리아민)로 착화된 팔라듐을 포함하는 다양한 팔라듐 공급원을 가지고 탁월한 결과를 얻는다.
[실시예 8]
팔라듐 화합물(예 : PdCl2, PdBr2, PdI2, PdSO4, Pd(NO3)2등)과 같은 팔라듐 공급원을 가지고 탁월한 결과를 얻는다.
[실시예 9]
니켈, 코발트, 은 및 비소와 같은 금속을 함유한 팔라듐 합금을 전기도금하는데도 탁월한 결과를 얻는다. 합금 금속의 공급원으로 각종 화합물 예를들면 염화물, 설페이트, 산화물, 수산화물 등을 사용한다. 30몰%의 합금 금속, 나머지 양의 팔라듐, 50몰%의 합금 금속, 나머지 양의 팔라듐 및 70%의 합금 금속, 나머지 양의 팔라듐을 포함하는 각종 합금 조성물을 얻을 수 있다.
[실시예 10]
6.0, 6.5, 7.0, 7.5, 8.0, 8.5, 9.0, 10.0, 11.0, 12.0, 13.0 및 13.5를 포함하는 욕의 여러 pH값에서 탁월한 결과를 얻는다.
제1도는 본 발명의 실시에 유용한 장치(10)을 나타낸다. 도금될 표면(11)은 전해 공정에서 음극을 구성한다. 양극(12)은 편리하게 백금입힌 티탄으로 제조하거나 또는 백금족 금속의 산화물, 결합 금속 산화물등과 같은 각종 기타 재료로 제조할 수 있다. 음극과 양극 모두를 본 발명에 따르는 팔라듐 공급원, 계면활성제 및 광택제를 함유하는 전기도금욕(13)에 부분적으로 침지시킨다. 컨테이너는 팔라듐 도금 용액을 수용하는데 사용하고 양극(12)과 음극(11)을 전기 에너지 공급원(15)에 전기적으로 연결한다. 전류계(16)과 전압계(17)를 사용하여 전류 및 전압을 측정한다. 전압 및 전류는 전기 에너지 공급원(15)의 내부에서 제어된다.
팔라듐 전기도금법을 사용하여 다양한 종류의 제품 및 장치상에 팔라듐 금속 및 팔라듐 합금을 전기도금 할 수도 있다. 제2도는 팔라듐(21)으로 전기도금되고 작은 접촉면(22)이 금박층으로 또한 코팅된 접촉 핀(20)을 도시한다.

Claims (17)

  1. 탄소원자 4 내지 35개를 갖는 알킬 암모늄 염화물로 구성된 그룹중에서 선택된 계면활성제와 o-벤즈알데하이드설폰산, 1-나프탈렌설폰산, 2-나프탈렌설폰산, 벤젠설핀산, 옥시-4,4-비스(벤젠)설핀산, p-톨루엔설핀산, 3-트리틀루오로메틸벤젠설핀산, 알릴 페닐 설폰, o-벤조산 설파미드, 벤질설포닐 프로피온아미드, 페닐설포닐아세트아미드, 3-(페닐설포닐)프로피온아미드, 벤젠설포아미드, 비스(페닐설포닐)메탄, 구아니딘 카보네이트, 설파구아니딘 및 니코틴산으로 구성된 그룹중에서 선택된 광택제를 추가로 포함함을 특징으로 하는, 10-3mho-㎝ 이상의 전도율을 갖고 팔라듐 공급원을 포함하는 전기도금욕, 음극 및 양극에 팔라듐을 전기도금하기에 충분히 큰 음극 전위로 전류를 통과시킴을 포함하는, 팔라듐을 포함하는 금속성 물질을 표면에 전기도금하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 계면활성제가 탄소원자 8 내지 18개의 쇄 길이를 갖는 지방족 직쇄 트리에틸암모늄 염화물인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 계면활성제가 운데실트리메틸암모늄 염화물, 도데실트리메틸암모늄 염화물 및 트리데실트리메틸암모늄 염화물로 구성된 그룹중에서 선택된 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 계면활성제가 도데실트리메틸암모늄 염화물인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 계면활성제의 농도가 0.0002 내지 0.4몰 범위인 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 광택제가 벤젠설핀산, 3-트리플루오로메틸 벤젠설핀산 및 알릴 페닐 설폰으로 구성된 그룹중에서 선택된 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 광택제가 알릴 페닐 설폰인 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 계면활성제가 도데실트리메틸 암모늄 염화물인 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 팔라듐 공급원이 PdCl2, PdBr2, PdI2, PdSO4, Pd(NO3)2로 구성된 그룹중에서 선택된 팔라듐 화합물을 포함하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 팔라듐 공급원이 팔라듐 착이온 화합물인 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 팔라듐 공급원이 착화제가 암모니아인 팔라듐 착이온 화합물인 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 전기도금욕이 6.0 내지 13.5의 pH를 갖는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 pH가 6.5 내지 8.5인 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 전기도금욕이 전도성 염을 포함하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 전도성염이 염화 암모늄을 포함하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 전기도금욕이 완충제를 포함하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 완충제가 인산염 완충제인 방법.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5180482A (en) * 1991-07-22 1993-01-19 At&T Bell Laboratories Thermal annealing of palladium alloys
US20020090047A1 (en) * 1991-10-25 2002-07-11 Roger Stringham Apparatus for producing ecologically clean energy
US5135622A (en) * 1991-12-02 1992-08-04 At&T Bell Laboratories Electrochemical synthesis of palladium hydroxide compounds
US5360991A (en) * 1993-07-29 1994-11-01 At&T Bell Laboratories Integrated circuit devices with solderable lead frame
US5675177A (en) * 1995-06-26 1997-10-07 Lucent Technologies Inc. Ultra-thin noble metal coatings for electronic packaging
US5916696A (en) * 1996-06-06 1999-06-29 Lucent Technologies Inc. Conformable nickel coating and process for coating an article with a conformable nickel coating
US6139977A (en) * 1998-06-10 2000-10-31 Lucent Technologies Inc. Palladium surface coating suitable for wirebonding and process for forming palladium surface coatings
US6346222B1 (en) * 1999-06-01 2002-02-12 Agere Systems Guardian Corp. Process for synthesizing a palladium replenisher for electroplating baths
GB2382353B (en) * 1999-10-27 2004-10-27 Kojima Chemicals Co Ltd Palladium Plating Solution
EP1892320A1 (de) * 2006-08-22 2008-02-27 Enthone, Incorporated Elektrolytzusammensetzung und Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von palladiumhaltigen Schichten
TWI354716B (en) * 2007-04-13 2011-12-21 Green Hydrotec Inc Palladium-containing plating solution and its uses
US20110147225A1 (en) * 2007-07-20 2011-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc High speed method for plating palladium and palladium alloys
CN101348928B (zh) * 2007-07-20 2012-07-04 罗门哈斯电子材料有限公司 镀钯及镀钯合金之高速方法
EP2242873B1 (en) 2007-12-11 2018-09-12 MacDermid Enthone Inc. Electrolytic deposition of metal-based composite coatings comprising nano-particles
DE102010011269B4 (de) * 2009-11-10 2014-02-13 Ami Doduco Gmbh Verfahren zum Abscheiden einer für das Drahtbonden geeigneten Palladiumschicht auf Leiterbahnen einer Schaltungsträgerplatte und Verwendung eines Palladiumbades in dem Verfahren
US8801914B2 (en) * 2011-05-26 2014-08-12 Eastman Kodak Company Method of making wear-resistant printed wiring member
DE102015220688A1 (de) * 2015-10-22 2017-04-27 Zf Friedrichshafen Ag Elektrischer Stecker und Verfahren zum Herstellen
CN106400068A (zh) * 2016-11-29 2017-02-15 江苏澳光电子有限公司 一种用于接线端子表面电镀的渡液及其应用
IT202000000391A1 (it) * 2020-01-13 2021-07-13 Italfimet Srl Procedimento galvanico, e relativo bagno, di elettrodeposizione di palladio ad alta resistenza alla corrosione.

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3435844A (en) * 1966-08-22 1969-04-01 Wagner Electric Corp Control valve
US3972787A (en) * 1974-06-14 1976-08-03 Lea-Ronal, Inc. Palladium electrolyte baths utilizing quaternized pyridine compounds as brighteners
US4098656A (en) * 1976-03-11 1978-07-04 Oxy Metal Industries Corporation Bright palladium electroplating baths
JPS5858032B2 (ja) * 1977-06-15 1983-12-23 三菱電機株式会社 パルス幅測定方法
JPS56163294A (en) * 1980-05-17 1981-12-15 Nippon Mining Co Ltd Semibright palladium plating bath
US4487665A (en) * 1980-12-17 1984-12-11 Omi International Corporation Electroplating bath and process for white palladium
SE8106693L (sv) * 1980-12-17 1982-06-18 Hooker Chemicals Plastics Corp Elektropleteringsbad innehallande palladium
US4486274A (en) * 1981-02-27 1984-12-04 At&T Bell Laboratories Palladium plating prodedure
JPS586793A (ja) * 1981-07-03 1983-01-14 Hitachi Ltd ろう材
US4622110A (en) * 1981-10-06 1986-11-11 Learonal, Inc. Palladium plating
US4552628A (en) * 1982-09-09 1985-11-12 Engelhard Corporation Palladium electroplating and bath thereof
US4468296A (en) * 1982-12-10 1984-08-28 At&T Bell Laboratories Process for electroplating palladium
JPS58130297A (ja) * 1983-01-21 1983-08-03 Nippon Mining Co Ltd 半光沢パラジウムメツキ浴
DE3317493A1 (de) * 1983-05-13 1984-11-15 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Galvanische abscheidung von palladium-ueberzuegen
US4493754A (en) * 1983-12-30 1985-01-15 At&T Bell Laboratories Electrodes for palladium electroplating process
US4545869A (en) * 1985-01-29 1985-10-08 Omi International Corporation Bath and process for high speed electroplating of palladium
US4628165A (en) * 1985-09-11 1986-12-09 Learonal, Inc. Electrical contacts and methods of making contacts by electrodeposition
US4778574A (en) * 1987-09-14 1988-10-18 American Chemical & Refining Company, Inc. Amine-containing bath for electroplating palladium

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DE69008974T2 (de) 1994-09-01

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