KR940001375A - 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속 배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 호로의 ㄱ므속 도선 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 기판(1), 소자분리절연막(6), 층간도선(7), 평탄화를 위한 절연막(2), 상기 절연막(2)상에 감광막(3)을 갖고 있는 반도체 회로의 금속도선 형성 방법에 있어서, 상기 감광막(3)으로 상기 반도체 기판(1)과 상기 충간도선(7)에 콘택홀을 형성하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 증착시킬 금속 반응원으로 이온주입부(4)를 형성하고 상기 감광막(3)을 제거하는 제2단계, 및 상기 제2단계 후에 환원반응을 이용하여 금속(5)을 증착시키는 제3단계을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 금속 배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 일실시예인 금속 증착 공정도,
제4도는 본 발명에 따른 다른 실시예인 다층 금속 배선도.

Claims (4)

  1. 반도체 기판(1), 소자분리절연막(6), 층간도선(7), 평탄화를 위한 절연막(2), 상기 절연막(2)상에 감광막(3)을 갖고 있는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 있어서, 상기 감광막(3)으로 상기 반도체 기판(1)과 상기 층간도선(7)에 콘택홀을 형성하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 증착시킬 금속의 반응원(Seed)으로 이온주입부(4)를 형성하고 상기 감광막(3)을 제거하는 제2단계, 및 상기 제2단계 후에 환원반응을 이용하여 금속(5)을 증착시키는 제3단계를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2단계의 이온 주입부(4)는 실리콘층화 또는 텅스텐층화중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
  3. 다층 배선을 갖는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 있어서, 콘택을 이룰 반도체 기판(1)상에 절연막(2), 감광막(3)을 차례로 증착하고 금속배선을 마스크 패턴하여 상기 감광막(3)을 예정된 크기로 식각한 다음에 상기 절연막(2)을 식각하여 콘택홀을 형성하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 증착시킬 금속의 반응원 이온을 주입하여 이온주입부(4)를 형성하는 제2단계, 상기 제2공정 후에 환원반응을 통하여 금속(5)을 증착하는 제3단계, 및 상기 제3단계 후에 상기 반도체 기판(1)과의 콘택을 이룬 것과 동일하게 상기 금속(5)에 동일한 금속(5')으로 콘택을 이루어 다층 구조의 배선을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속 배선 형성 방법.
  4. 제5항에 있어서, 상기 금속(5,5')은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920011389A 1992-06-27 1992-06-27 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 KR950002955B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100410811B1 (ko) * 1996-06-21 2004-03-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의다층금속배선형성방법

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