KR930011004A - 분리된 잉여(Redundancy)셀 어레이를 갖는 메모리 소자 - Google Patents

분리된 잉여(Redundancy)셀 어레이를 갖는 메모리 소자 Download PDF

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KR930011004A
KR930011004A KR1019910021108A KR910021108A KR930011004A KR 930011004 A KR930011004 A KR 930011004A KR 1019910021108 A KR1019910021108 A KR 1019910021108A KR 910021108 A KR910021108 A KR 910021108A KR 930011004 A KR930011004 A KR 930011004A
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최재명
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정몽헌
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 고밀도 메모리 소자에서 문제가 되고 있는 셀 어레이의 불규칙 장애 비트를 교정하기 위한 기능을 갖는 메모리에 관한 것으로서, 특히, 잉여(Redundancy)셀을 셀 어레이에서 분리하여 주변에 배치한 메모리 소자에 관한 것이다.
본 발명은 첫째, 잉여 셀을 서브 셀 어레이(7)와 분리시켜 주변회로의 빈공간에 위치시킬 수 있으므로 칩 면적에 대한 영향을 거의 미치지 않는다. 둘째, 장애가 발생한 셀과 잉여셀을 셀 별로 대치하므로 효율적인 장애처리가 이루어진다. 세째, 셀 교체시 잉여 셀에 의한 속도 지연이 없다. 네째, 기존의 방식 보다 장애복구성공율이 높은 특징이 있다.

Description

분리된 잉여(Redundancy)셀 어레이를 갖는 메모리 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 일실시예에 따른 구성도.

Claims (3)

  1. 메모리 셀의 장애를 복구하기 위하여 잉여 셀 어레이를 구비하는 메모리 소자에 있어서, 셀 어레이(1,1´), 상기 셀 어레이(1,1´)의 중앙에 설치되고 열 어드레스 버퍼 및 데이타 액세스 장치에 연결되는 열 디코더(4), 상기 열 디코더(4)에 의해 양분된 셀 어레이(1,1´)에 연결되고 행 어드레스 버퍼에 연결되는 두개의 행 디코더(5,5´)로 구성되는 다수의 서브 셀 어레이(7)와, 상기 다수의 셀 어레이(7)의 각각에 연결되어 상기 셀 어레이(1,1´)에 장애 비트가 발생할 경우에 장애가 발생한 셀과 예비 셀(6´)을 셀 별로(Cell-to-Cell) 교체하도록 셀 어레이와 분리되어 설치된 다수의 단위 잉여 서브 셀 어레이(8)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단위 잉여 서브 셀 어레이(8)는, 예비 셀 어레이(11,11´)와 상기 예비 셀 어레이(11,11´)의 중간에 설치되고 상기 열 디코더(4)와 병렬로 연결된 예비 열 디코더(10)와, 상기 예비 열 디코더(10)에 의해 양분된 예비 셀 어레이(11,11´)에 연결되고 상기 행 디코더(5,5´)에 병렬로 연결된 예비 행디코더(9)로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
  3. 메모리 셀의 장애를 복구하기 위하여 잉여 셀 어레이를 구비하는 메모리 소자에 있어서, 셀 어레이(1,1´), 상기 셀 어레이(1,1´)의 중앙에 설치되고 열 어드레스 버퍼 및 데이타 액세스 장치에 연결되는 열 디코더(4), 상기 열 디코더(4)에 의해 양분된 셀 어레이(1,1´)에 연결되고 행 어드레스 버퍼에 연결되는 두개의 행 디코더(5,5´)로 구성되는 다수의 서브 셀 어레이(7)와, 상기 다수의 셀 어레이(7)에 연결되는 다수의 서브 셀 어레이(7)와, 상기 다수의 셀 어레이(7)에 연결되어 상기 셀 어레이(1,1´)에 장에 비트가 발생할 경우에 장애가 발생한 셀과 예비 셀(12)을 별로(Cell-to-Cell)교체하도록 셀어레이와 분리되어 설치된 전체 잉여 서브셀 어레이(8)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910021108A 1991-11-25 1991-11-25 분리된 잉여(Redundancy) 셀 어레이를 갖는 메모리 소자 KR950000427B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443527B1 (ko) * 1999-06-30 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 로오 리던던시 회로

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