KR930009014A - 반도체 소자의 격리방법 - Google Patents

반도체 소자의 격리방법 Download PDF

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문정환
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 격리 방법에 관한 것으로, 특히 고집적 및 고품질 IC 제조에 적합하도록 한 반도체 소자 격리방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, 반도체 소자의 격리방법에서, 실리콘 기판위에 SRO(Stress Relief Oxide)를 형성하고, 질화막을 소정의 두께로 형성하는 단계(a)와, 액티브 패턴을 형성하고 상기 질화막, SRO 및 실리콘 기판을 에치하는 단계(b)와, 에치된 실리콘기판 측벽을 소정의 두께로 라이트 산화(Light Oxidation)시키고, 필드 이온 주입을 실시하는 단계(C)와, 웨이퍼 표면에 수직으로 로우에너지(Low Energy) 질소(N2)이온 주입을 실시하는 단계(d)와, 아닐링하므로 이온 주입된 질소(N2)와 산화막(SiO2) 또는 실리콘 기판을 반응시켜 SixNyOz의 옥시나이트라이드(Oxynitride)를 형성시키고 HF에 딥핑시키는 단계(e)와, 액티브 영역의 1/4두께로 필드 산화를 실시하는 단계(f)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리방법.

Description

반도체 소자의 격리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 소자의 격리공정도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 격리방법에 있어서, 실리콘 기판위에 SRO(Stress Relief Oxide)를 형성하고, 질화막을 소정의 두께로 형성하는 단계(a)와, 액티브 패턴을 형성하고 상기 질화막, SRO 및 실리콘 기판을 에치하는 단계(b)와, 에치된 실리콘기판 측벽을 소정의 두께로 라이트 산화(Light Oxidation)시키고, 필드 이온 주입을 실시하는 단계(C)와, 웨이퍼 표면에 수직으로 로우에너지(Low Energy) 질소(N2)이온 주입을 실시하는 단계(d)와, 아닐링하므로 이온 주입된 질소(N2)와 산화막(SiO2) 또는 실리콘 기판을 반응시켜 SixNyOz의 옥시나이트라이드(Oxynitride)를 형성시키고 HF에 딥핑시키는 단계(e)와, 액티브 영역의 1/4두께로 필드 산화를 실시하는 단계(f)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리방법.
  2. 제1항에 있어서, 단계(C)중 에치된 실리콘 기판 측벽의 라이트 산화(Light Oxidation) 막은 50 내지 100Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910017941A 1991-10-12 1991-10-12 반도체 소자의 격리방법 KR940003224B1 (ko)

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KR100197651B1 (ko) * 1995-11-03 1999-06-15 김영환 반도체 소자의 소자 분리막 제조방법

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