KR930009012B1 - 반도체장치 패키지 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체장치의 단면도.
제 2 도는 제 1 도에 도시한 장치의 사시도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 방열핀(放熱 fin) 2 : 대전류통전 반도체칩
3 : 땜납재 4 : 리드프레임
5 : 논리회로 반도체칩 6 : 본딩와이어
7 : 수지 8 : 섬영역(Island Region)
[산업상의 이용분야]
본 발명은 반도체장치 패키지(Package)에 관한 것으로, 특히 통전전류가 큰 반도체칩과 통전전류가 작은 반도체칩을 동일한 패키지내에 형성하는데에 적합한 반도체장치 패키지에 관한 것이다.
[종래의 기술 및 그 문제점]
종래, 대전류를 통전시키는 반도체칩의 수지밀봉 반도체장치 패키지로서, 방열핀(放熱 fin)을 설치하고 그 상부에 통전전류가 큰 반도체칩을 탑재시키는 구조가 있다. 이와같이 방열핀상에 통전전류가 큰 반도체칩을 탑재시킨 수지밀봉 반도체 장치 패키지에 의하면, 당해 반도체칩에서 발생되는 열을 방열핀에서 방열시킬 수 있으므로, 당해 반도체칩의 기능을 안정화시키고 이상가열을 방지할 수 있게 된다.
그러나, 종래에는 방열핀상을 반도체칩의 섬영역(Island Region)으로 하여 통전전류가 큰 반도체칩만을 탑재시키고, 이와 반대로 통전전류가 작고 방열량도 적은 반도체칩은 별도의 패키지내에 형성하였다. 이들 통전전류가 큰 반도체칩과 통전전류가 작은 반도체칩을 동일 패키지내에 형성할 수 없는 이유로는 다음과 같은 것이 있다. 우선, 첫번째 이유로서, 방열핀상에서는 열전달이 빠르므로 통전전류가 작은 반도체칩이 통전전류가 큰 반도체칩의 발열의 영향을 받아서 특성이 열화 되는 것을 들 수 있다. 또한, 두번째 이유로서, 대전류를 통전시키기 않는 반도체칩기판을 고정시키기 위해서는 통상 도전성 접착재가 이용되고 있는데, 이러한 접착재는 대전류를 통전시키는 반도체칩을 고정시키는 땜납재나 AuSi공정(AuSi 共晶)등과는 달리 내열성이 나쁘다. 이점에 대해서, 통전전류가 작은 반도체칩을 땜납재 등으로 방열핀상에 고정시키는 것도 생각할 수 있으나, 통상 대전류를 통전시키지 않는 반도체칩은 미세하고 다층구조와 같은 복잡한 소자구조를 가지고 있어서 땜납재 등으로 고정시킬 때에 고열을 견디지 못하여 당해 반도체칩이 파괴되어 버릴 우려가 다분히 있다.
이상과 같은 이유에서, 통전전류가 큰 반도체칩과 통전전류가 작은 반도체칩을 방열핀상에 동시에 탑재시켜 1패키지화하는 것이 불가능하여 고밀도실장의 요구의 부응할 수 없다는 문제점이 있었다.
[발명의 목적]
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로, 통전전류가 큰 반도체칩과 통전전류가 작은 반도체칩을 동일 패키지내에 조립하는 것을 가능하게 하여 종래의 1패키지에 의한 시스템화가 불가능했던 대규모시스템화를 가능하게 한 반도체장치 패키지를 제공함에 그 목적이 있다.
[발명의 구성]
본 발명에 따른 반도체장치 패키지에 있어서는, 통전전류가 큰 반도체칩과 통전전류가 작은 반도체칩을 동일 패키지내에 수납할 때, 통전전류가 큰 반도체칩을 방열핀상에 설치하고, 통전전류가 작은 반도체칩을 통전전류가 큰 반도체칩으로 부터 사이를 두고 떨어져 있는 리드프레임상에 설치된 섬영역에 배치하도록 되어 있다.
[작용]
상기와 같은 반도체장치 패키지에 있어서는, 통전전류가 큰 반도체칩과 통전전류가 작은 반도체칩이 각각 열적으로 사이를 두고 떨어진 영역에 설치되어 있으므로, 통전전류가 작은 반도체칩이 통전전류가 큰 반도체칩의 발열의 영향을 받지 않게 되어 당해 칩의 특성이 열화되지 않게 된다.
[실시예]
이하, 본 발명의 1실시예를 제 1 도및 제 2 도를 참조하여 상세히 설명한다. 제 1 도는 본 발명의 1 실시예에 따른 반도체장치 패키지의 단면도이고, 제 2 도는 제 1 도에 도시된 반도체장치 패키지의 사시도이다.
우선, 제 1 도에 있어서, 방열핀(1 : 放熱 fin)상에는 이 방열핀(1)을 기판섬영역(基板 island region)으로 하여 대전류를 통전시키는 반도체칩(2)이 땜납재(3)에 의해, 탑재, 고정되어 있고, 또 이 반도체장치 패키지의 외부단자인출용으로서 리드프레임(4)이 설치되어 있다. 이 리드프레임(4)상에는 대전류를 통전시키지 않는 반도체칩, 예컨대 논리회로 반도체칩(5)이 탑재되어 있는 바, 이 논리회로 반도체칩(5)은 상기 대전류를 통전시키는 칩(2)으로 부터 수지(7)에 의해 열적 및 전기적으로 절연되어 있다. 또한, 전기적으로 절연되어 있는 이들 반도체칩(2, 5)을 전기적으로 접속시키는 수단으로서 본딩와이어(6)가 이용되고 있다. 더우기 이들 각 부품을 상기 수지(7)로 수지밀봉함으로써, 본 발명의 1실시예에 따른 반도체장치 패키지가 완성된다.
다음에는 제 1 도에 도시된 장치의 사시도인 제 2 도를 참조하여 본 발명의 1실시예에 따른 반도체장치 패키지에 대해 좀더 설명한다. 제 2 도에 있어서, 각 참조부호는 제 1 도의 것과 대응하는 것이다.
제 2 도에 나타난 바와 같이, 리드프레임(4)의 일부에는 방열핀(1)으로 부터 사이를 두고 떨어져 칩을 탑재시킬 수 있는 섬영역(8)이 설치되어 있고, 이 섬영역(8)에는 대전류를 통전시키지 않는 반도체칩[본 실시예에서는 논리회로 반도체칩(5)]이 탑재되어 있다.
이와 같은 구성의 반도체장치 패키지에 의하면, 방열핀(1)으로 부터 사이를 두고 떨어져 있는 리드프레임(4)상의 섬영역(8)에 논리회로 반도체칩(5)이 탑재되어 있으므로, 이 논리회로 반도체칩(5)이 대전류통전 반도체칩(2)으로 부터의 열에 의한 영향을 받지 않게 된다. 또한, 양반도체칩(2, 5)은 수지(7)에 의해 전기적으로 열적으로 절연되어 있다. 이는 각각의 반도체칩들을 절연시키기 위한 절연기판이 필요치 않다는 것을 의미하는 바, 그에 따라 제조비용을 절감할 수 있게 된다.
또, 각각의 반도체칩들이 탑재되는 장소가 다르기 때문에 방열핀(1)상과 섬영역(8)상에서의 칩의 접착방법을 변화시킬 수가 있다. 예컨대, 대전류통전 반도체칩(2)과 방열핀(1)은 땜납재(3)로 접착시키고, 논리회로 반도체칩(5)과 섬영역(8)은 도전성 접착재로 접착시킬 수가 있는데, 상기 도전성 접착재는 열의 영향을 받지 않게 된다. 이는 또한, 대전류통전 반도체칩끼리 접착방법이 다른 경우에도 응용할 수 있는 바, 예컨대 방열핀(1)상에서는 AuSi공정에 의해 접착시키고, 섬영역(8)상에서는 땜납에 의해 접착시킬 수도 있다. 이때, 섬영역(8)상의 대전류통전 반도체칩은 리드프레임(4)을 방열판(放熱板)으로서 이용하게 된다. 또 예컨대 논리회로 반도체칩(5)와 섬영역(8)의 접착방법으로서는, 리드프레임(4)이 얇은 점을 이용하여 이 리드프레임(4)과 논리회로 반도체칩(5)을 코킹(Calking)법에 의해 고정시키는 것도 가능하다. 이 경우, 제조공정에 있어서 미리 리드프레임(4)과 논리 회로칩(5)을 코킹법으로 고정시킨 것을 준비해 두면, 종래의 와이어본딩공정의 장치로 본 발명의 반도체장치를 조립할 수가 있고, 또 접착재를 사용하지 않기 때문에 접착재중의 분순물이온에 의해 패키지내의 반도체장치가 오염되지도 않게 된다.
또 섬영역(8)과 방열핀(1)이 서로 사이를 두고 떨어져 절연되어 있기 때문에, 1패키지내에 전위가 다른 반도체칩을 탑재시키는 것도 가능하게 된다. 더우기, 방열핀(1)보다 상부에 위치하는 섬영역(8)에 대한 열적인 스트레스나 기계적인 스트레스 등의 왜응력(歪應力)에 의해 예컨대 저항과 트랜지스터 및 콘덴서 등의 특성이 변동하기 쉬운 물리적 약한 반도체칩을 탑재시키면, 수지(7)의 막이 얇은 만큼 왜응력이 완화되어 특성의 변동이 억제되게 된다.
또한, 본 실시예에 있어서는 DIP(Dual In-line Package)형 반도체장치 패키지의 예에 대해서 설명하였으나, SIP(Single In-line Package)형 반도체 패키지에서도 본 발명은 유용하며, 그 밖의 리드프레임을 갖춘 반도체 패키지에서도 유용하다.
한편, 본 발명의 특허청구의 범위의 각 구성요소에 병기한 참조부호는 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것으로서, 본 발명의 기술적 범위를 도면에 도시된 실시예를 한정할 의도로 병기한 것은 아니다.
[발명의 효과]
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 방열핀(放熱 fin)으로 부터 사이를 두고 떨어져 있는 리드 프레임상에 반도체칩의 섬영역을 설치함으로써, 통전전류가 큰 반도체칩과 통전전류가 작은 반도체칩을 1패키지화한 반도체장치를 제공할 수 있으며, 1개의 반도체장치 패키지로 예컨대 모터 등과 같은 비교적 대형의 기계적 전기부품의 구동으로 부터 CPU와의 정보교환도 가능하게 되는, 특히 대규모 시스템에 유용한 반도체장치 패키지를 제공할 수 있게 된다.
또, 방열핀이 조립된 패키지가 아니라 통상적으로 이용되고 있는 기판섬영역을 갖춘 패키지에서도 사이를 두고 떨어져 있는 리드프레임상에 섬영역을 설치함으로써, 전위가 다른 반도체칩들을 동일 패키지에 탑재시킨다거나, 반도체칩의 접착방법에 변화를 줄 수 있게 된다.
또한, 수지로 반도체칩들을 서로 절연시킬 수 있기 때문에, 절연기판이 필요치 않게 되어 제조비용도 절감할 수 있게 된다.
더우기, 물리적으로 약한 반도체칩을 수지표면에 가까운 섬영역에 탑재시키면, 그 수지의 두께가 얇은 만큼 반도체칩이 받는 왜응력이 작아져서 신뢰성을 높일 수 있게 된다. 또한 비교적 발열이 적은 중전력용 반도체칩이라면, 방열핀을 사용하지 않고 리드프레임을 방열판으로 이용할 수도 있게 된다. 이처럼 본 발명에 의하면, 설계를 용이하고 자유롭게 할 수 있는 반도체장치 패키지를 제공할 수 있게 된다.
Claims (1)
- 통전전류가 큰 반도체칩(2)과, 이 반도체칩(2)이 탑재되는 기판섬유영역으로서의 방열핀(1) 및, 외부단자로 되는 리드프레임(4)을 갖춘 반도체장치 패키지에 있어서, 상기 리드프레임이(4)에 적어도 1개의 통전전류가 작은 반도체칩(5)이 탑재되는 섬영역(8)이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치 패키지.
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