KR930008342B1 - 무정형 중합성 할로실란 필름 및 그 성형체의 제조방법 - Google Patents

무정형 중합성 할로실란 필름 및 그 성형체의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

무정형 중합성 할로실란 필름 및 그 성형체의 제조방법
제 1 도는 본 발명의 방법을 수행하기 위한 고정 시스템의 개략도이고,
제 2 도는 본 발명의 방법을 수행하기 위한 유동 시스템의 개략도이다.
본 발명은 특정의 할로겐화 디실란 또는 할로겐화 폴리실란을 열분해시킴으로써 안정성이 높고, 반사율이 높으며, 내마모성이 높은 광전도성 필름을 기재상에 형성시키는 방법에 관한 것이다.
일반식 (SiXy)n(여기서, X는 할로겐이고, y는 2이하이다)의 분자상 할로실란 또는 저원자가의 중합체는 일반적으로 물질특성이 불량하다. 이러한 유형은 통상적으로 하기 문헌에 기재된 바와같이 할로폴리실란의 염기-촉매화된 재분배로부터 생성된다[참조 : H.J. Emeleus 및 Tufail, J. Inorg. Nucl. Chem. 29, 2081(1967) 및 G. Cooper 및 A. Gilbert, J. Am. Chem. Soc. 82, 5042(1960)]. 또한, 상기 할로실란은 규소와 할로모노실란을 고온 반응[참조 : H. Schafer 및 J.Nickl, Z. Anorg. Allgem. Chem. 274, 250(1953) 및 R. Teichmann 및 E. Wolf, Z. anorg. allgem. Chem. 347, 145(1966)] 시키거나, 요오드 모노클로라이드와 CaSi2를 완만하게 반응[참조 : E. Hengge 및 G. Scheffler, Monats. Chem. 95, 1450(1964)]시킴으로써 제조할 수 있다. 그러나, 상기한 기술 또는 이와 유사한 기타 기술로는 중합성 박필름 또는 피복물을 생성하지 못하는 것으로 알려져 있다.
폴리할로 디- 및 폴리실란은 널리 공지되어 있는데, 헥사클로로디실란이 하기 문헌에 최초로 기재된 바있다[참조 : 엘. 트루스트(L. Troost) 및 피. 하우테포우일(P. Hautefeuille), Ann. Chem. Phys. 7, 459(1871)]. 그러나, 상기한 종류의 공지된 열분해화학에는 한계가 있다. 500℃ 이상의 온도에서, 순수한 헥사클로로디실란은 원소상 규소 및 사염화규소로 전환시킬 수 있다. 헥사클로로디실란으로부터 규소를 생성시키는 또 다른 방법에는 헥사클로로디실란을 사염화규소 및 규소/염소 중합체로 촉매적으로 저온 재분배시키는 방법이 있다[참조 : 1983년 2월 15일자 허여된 가울(Gaul) 및 웨옌버그(Weyengerg)의 미합중국 특허 제 4,374,182 호]. 그런 다음, 통상적으로 공기에 민감한 고체 또는 점성 액체 상태로 존재하는 상기 중합체를 500 내지 1,450℃로 가열시키면 원소상 규소가 생성된다. 가울 및 웨옌버그 방법의 최종 생성물은 순수한 원소상 규소이다.
헥사할로디실란의 열화학의 널리 공지된 또 다른 양태는 400℃ 이상의 온도로 가열시키는 경우 디할로실릴렌(예 : SiCl2)이 생성되는 양태이다[참조 : E. Chernys-hev. N. Komalenkova 및 S. Bashkirova의 Zh. Obshch. Khim. 41, 1175(1971)]. 이 분야 공정의 취지는 반응성 실릴렌을 다른 시약으로 포획(trapping)하는 것이다. 특히, 포획제의 부재하에서는 상기 반응으로부터 생성되는 모든 고체 생성물은 충분히 특징화되지 않는다. 콜츄터(Kohlschutter) 및 매트너(mattner)[참조 : H. Kohlschtter 및 H. Mattner, Z. anorg. allgcm. Chem. 282, 169(1955)]는 재순환 반응기중에서의 헥사클로로디실란의 열분해를 연구하였다. 착색된 저원자가의 중합성 물질의 혼합물은 처리하기 어려운 고체로서 형성되며, 충분히 특징화되지 않는다.
규소 및 수소의 무정형 중합성 물질(이후로는, a-Si : H로 언급될 것이다)은 최근에 신종의 반도체류로 밝혀졌다. 이러한 물질은 하기 특히 문헌에 상세히 기술되어 있다[참조 : 1976년 12월 20일자로 특허 허여된 D. Carlson의 미합중국 특허 제 4,064,521호]. 이 물질은 전기적으로 방전된 실란(SiH4)의 분해 또는 드물게는, 1982년 9월 16일자에 국제 공개 공보 제 WO 82/03069호로 공개된 A. MacDiarmid 및 Z. Kiss의 PCT 특허원에 기재된 바와 같은 실란 또는 수소를 많이 함유하는 실란(예 : Si2H6,Si3H8등)의 열분해에 의해 박필름으로서 생성된다. 무정형 필름에 추가의 원소상 성분을 포함시킬 필요가 있을 경우, 포스핀(PH3) 또는 디보란(B2H6)과 같은 반응 보조제를 출발물질에 가한다. 불소를 무정형 필름내에 혼입시킬 경우, 테트라플루오로실란(SiF4)을 통상적으로 반응 혼합물에 가한다. 이러한 방법에 대해서는 예를 들어 1980년 8월 12일자로 특허 허여된 Ovshinsky 및 Izu의 미합중국 특허 제 4,217,374 호에 기재되어 있다.
a-Si : H를 생성시키기 위하여 출발물질로서 실란 또는 폴리실란(SinH2n+2)을 사용하는 방법의 단점은 실란/공기 혼합물이 폭발할 위험성이 높다는 것이다. 취급시의 이러한 폭발 위험성 때문에, 상기 시스템에는 종종 희석제로서 불활성 담체 기체를 사용한다. 특히, 디실란을 사용하는 방법의 단점은 디실란이 대단히 고가의 물질이라는 것이다. 실란으로부터 a-Si : H로의 방전(플라스마) 및 열분해(화학적 증기 침착 ; CVD) 경로는 불리한 특징을 갖는다. 방전 시스템은 비교적 복잡하고 고가의 장비를 필요로 한다. 반면에, 열분해 시스템은 단순하지만, 압력이 매우 낮지 않은 경우, 기체 핵형성 경향이 있다. 이러한 현상은 상기 열분해에 대해 허용할 수 있는 취급 조건의 범위를 한정한다.
본 발명은 반도체, 광학 또는 보호 피막 등으로 유용한, 착색된 무정형의 공기-안정성 중합성 필름을 생성시키는 방법을 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 "무정형"이란 용어는 미소 결정의 크기가 50Å미만이며, 입자 경계가 충분히 한정적으로 형성되도록 연결되어 있지 않은 비-결정성 및 미세결정성 물질을 둘다 포함한다. 이 필름은 브로모-, 클로로-, 플루오로-디-및 폴리실란으로 이루어진 그룹중에서 선택된 할로겐화된 디- 및 폴리실란을 250 내지 55℃의 온도에서 증기상 분해시킴으로써 형성된다. 시스템 압력은 대기압 내지 1Torr 범위이다. 고정 또는 유동 시스템을 이용할 수 있다. 오직 중요한 생성물은 무정형의 착색된 필름 및 이에 상응하는 사할로겐화규소이다. 유리, 실리카 또는 각종 금속 또는 세라믹과 같은 적절한 기재는 이들이 분해반응기내에 존재할 경우 상기 필름으로 쉽게 피복시킬 수 있다. 본 방법에 의해 생성된 필름은 원소상 규소와 완전히 유사하지는 않지만, 이 필름은 비교적 소량의 할로겐을 함유하는 무정형의 규소/할로겐 중합체이다.
편리한 출발물질인 헥사클로로디실란은 헥사플루오로- 또는 헥사브로모디실란 또는 도데카클로로네오펜타실란과 같은 기타 유용한 시약을 고수율로 제조하는데 사용할 수 있다. 헥사클로로디실란 자체는 하기 문헌에 기재된 바와같이 CaSi2와 염소를 반응시킴으로써 용이하고 저렴하게 합성될 수 있거나[참조 : E. Hengge. 및 M. Abush-aban. Allgem. U. prakt. Chem. 18, 393(1967)], 규소 및 HCl로부터 트리클로로실란을 상업적으로 합성시키는데 있어서의 공정 잔류 스트림으로부터 수득할 수 있다.
붕소, 인 또는 탄소와 같은 헤테로원자는 디실란 출발물질을 변형시키거나 삼염화붕소와 같은 반응 보조제를 사용함으로써 필름내로 혼입시킬 수 있다. 디실란 물질을 변형시키는 방법에 있어서, CH3Si2Cl5와 같은 분자를 헥사클로로디실란과 공-열분해시켜 탄소원자를 필름 생성물내로 혼입시킬 수 있다.
촉매 또는 불활성 담체 기체가 존재할 필요는 없으며, 순수한 디- 또는 폴리실란 자체로 충분하다. 테트라클로로- 또는 테트라플루오로실란과 같은 퍼할로모노실란은 본 발명에 따른 만족스런 필름을 제공하는 분해과정의 출발물질로서 사용할 수 없다.
본 발명의 또 다른 양태는 적절한 전기전도성, 반사 방지성 등의 특성을 지닌 층과 함께 무정형 필름의 하나 이상의 층으로부터 구성될 수 있는 태양열 전지, 박막 트랜지스터 또는 광학적 자료저장 매체와 같은 전자장치, 전자-광학적 및 광학적 장치의 형성에 관한 것이다. 무정형 규소-함유 필름을 부재로 하는 각종 장치는 본 분야의 숙련가에게 명백할 것이다.
본 발명은 하기의 도면에 대한 상세한 설명에 의해 보다 명료히 이해될 것이다.
가장 단순한 형태로, 본 발명의 공정은 필름 침착용 기재를 함유하며, 진공처리하여 목적하는 출발물질(들)로 충진된 밀폐된 앰플(ampoule)을 사용하여 수행할 수 있다.
통상적인 밀폐된 튜브(tube) 및 앰플 제조 공정에 있어서, 분해용기로서 보로실리케이트 유리앰플(glass ampoule)이 적절하다. 앰플은 현미경 유리 슬라이드와 같은 필름 침착용으로 적절한 기재를 함유하는데, 이것을 넣은 후 앰플을 밀폐시킨다. 기재의 선택은 대기압하의 분해온도에서 단지 분해용기의 열적 및 화학적 안정성에 의해서만 제한된다. 앰플 및 기재를 우선, 예를들어, 알칼리 세제로 모두 세척하고, 고도로 정제된 용매, 바람직하게는, 물 또는 "전자 등급(electronic grade)"의 메탄올로 세정한다. 그 다음, 앰플을 진공라인에 부착시켜 기체를 제거하고, 용기를 진공하에서 예를들어 기체-산소 불꽃으로 완전히 가열한다. 플루오로-, 클로로-, 브로모-, 디- 또는 폴리실란을 대기중에 노출되지 않도록 하는 방법으로 유리 앰플에 전이시킨다. 진공라인 또는 불활성 대기 글로브 박스(glove box)를 사용하는 적절한 방법은 본 분야의 숙련가에게 친숙하다.
그런 다음, 반응 앰플을 천연 기체-산소 불꽃을 사용하여 밀폐시키고, 일반적으로 약 10 내지 60분 동안 목적하는 온도의 오븐 또는 화로에 놓는다. 이 시간 동안 출발물질은 분해되어 기재상에 필름을 형성한다. 그때, 앰플을 다시 진공라인에 부착시킨 후 진공에 의해 반응 부산물 테트라할로실란 및, 존재하는 경우, 모든 미반응 출발물질을 편리하게 제거할 수 있다. 그때, 기재를 추가로 처리하기 위해 제거하거나 다른 용기로 이동시킨다.
필름 아래에 전도성 층 또는 접촉물이 필요한 경우에, 이들은 필름 접착에 앞서 진공증발, 스퍼터링(sputtering) 등의 공지된 방법으로 기재에 쉽게 적용할 수 있다.
피복물의 전기적 또는 광학적 성질을 개질시키기 위하여, CH3Si2F5와 같은 작용성 출발물질을 사용하거나, 반응 혼합물에 PF3또는 CH3GeF3와 같은 반응보조제를 혼입시킴으로써 도핑제(dopant) 및 혼합제 원자를 필름에 혼입시킬 수 있다. 퍼할로 디- 또는 폴리실란을 취급할 때와 같이 조심하여 공기에 민감한 도핑재를 취급한다. 따라서, 전기 특성을 이온 적용에 접합하도록 변형시킬 수 있거나, 색상을, 예를들어 최소 가공으로 광학적 적용을 위해 변화시킬 수 있다. 경우에 따라, 이온 혼입과 같은 통상적인 수단에 의하여 연속적으로 전기성질을 변화시킬 수 있다. 광학적으로 판독가능한 자료는 레이저 광선에 필름의 특정 부위를 노출시킴으로써 저장할 수 있다.
제 1 도는 본 발명의 공정을 수행하는 약간 복잡한 고정 시스템을 예시한 것이다. 보로실리케이트 유리 또는 석영 반응실(11)에는 밸브(14)로 이어지는 튜브의 벨-모양 결합기(13)와 짝을 짓도록 설계된 벨-모양 말단 커플링 부위(12)를 포함하는 고진공 시일(seal)이 장착되어 있다. 고진공 시일의 짝지은 결합기(12) 및 (13)에는 O-링(16)이 갖추어져 있어서 결합기를 조이는 클램프(15)를 조임으로써 효과적으로 밀폐되도록 한다. 진공 펌프(17)은 밸브(14)에 연결되어 있고, 밸브(19)가 장착된 반응물 공급원(18)은 라인에 연결되어 있어서 반응실(11)에의 출발물질의 제거 및 공급이 각각 이루어지도록 한다. 전원(21)은 기재(23)를 함유하는 반응실(11)의 일부를 둘러싸고 있는 저항가열기(22)에 연결된다.
상기 장치에 있어서, 기재를 적절히 세척한 후, 이 기재를 반응실에 넣고 O-링(16)상의 짝지은 결합기 (12) 및 (13)을 조여서 고진공 시일을 만든다. 밸브(14)는 열고 반응물 공급밸브(19)는 닫아서 시스템의 기체를 제거한다. 시스템이 목적하는 압력으로 되면 밸브(14)를 닫고 밸브(19)를 열어 출발물질을 공급한다. 그후, 밸브(19)를 닫고 전원을 저항 가열기(22)에 공급하여 목적하는 온도까지 목적하는 시간 동안 가열한다. 전원(21)을 끄고, 밸브(14)를 다시 열고, 진공 펌프를 다시 작동시켜, 폐기성 기체 및 비반응 기체를 제거한다. 펌프의 작동을 중단시키고 고진공 시일 클램프를 풀어 반응실을 분리시키고, 피복된 기재를 분리한다. 상기 장치는 쉽게 조립 및 분해할 수 있고, 밀봉 앰플을 사용하는 것보다 대형 기재를 더욱 쉽게 적용할 수 있으며, 경우에 따라 출발물질을 다중으로 충진시킬 수도 있다.
본 분야의 숙련가에게 의해 여러가지 변형 장치가 알려져 있지만, 제 2 도에 예시된 것 같은 유동 시스템을 사용하면 더욱 넓은 표면적의 기재를 적용할 수 있고 더욱 많은 용도를 얻을 수 있다. 제 2 도에 있어서, 반응실(31) 내부엔 기재(33)를 지지하는 지지대(32)가 적재되어 있다. 온도-조절된 전원(34)는 저항전열기(36) 또는 라디오 주파 코일(37) 또는 둘다의 장치에 의해 전기적 가열을 제공한다. 경우에 따라, 가열 코일(38)을 반응실(31)의 벽에 추가로 내장시킬 수 있고/있거나, 투명한 창(39)을 반응실에 설치하여 이것을 통하여 방사선 원(41)의 촛점이 기재에 맞추어 지도록 할 수 있다. 열 공급원의 선택은 피복될 기재의 형태 및 성질에 따라 편리한 방법으로 한다. 단, 어떤 방법으로든 기재에 공급되는 열은 실질적으로 기재 표면의 온도를 균일하게 유지시켜야 한다.
다수의 기체 공급원(42), (43), (44)는 기체를 혼합하고, 반응실(31)로 기체를 공급하는 공급 메니폴드(49)에 밸브(46), (47), (48)을 통해 연결된다. 상기한 기체 공급원은 예를 들어 반응기체 및 첨가기체의 공급원을 포함할 수 있다. 압력계 및 유량계는 메니폴드(49)의 입구 및 출구 라인에 모두 설치하는 것이 바람직하다. 제어 밸브(52)에 의해 조절되는 배기라인(51)은 폐기성 기체를 반응실(31)로부터 수거용 배기 기체 회수 시스템(53)으로 보낸다. 진공 시스템(54)는 배기 기체 회수 시스템에 연결되어 이 시스템이 진공 상태가 되도록 하며, 메니폴드 출구 반응실 입구로부터 이 시스템을 통해서 배기 기체 회수 시스템까지 유동될 수 있다.
작동시에, 피복될 기재(33)는 반응실(31)내의 받침대(32)상에 놓고, 이 시스템을 밀폐시킨다. 침착이 시작되기 전에 반응실로부터 목적하지 않는 반응이 가능한 모든 물질을 제거한다. 전원을 공급하여 목적하는 온도까지 기재를 가열시키고, 기체 공급원으로부터 제어 밸브(46), (47) 및/또는 (48)을 통해서 유동시킨다. 필요한 기체를 메니폴드(49)에서 혼합하고, 이것을 반응기체가 가열된 기재에서 분해하여 기재 표면에 침착되는 반응실내로 통과시킨다. 이 반응은 진공 제어 시스템에 의해서 목적하는 압력으로 유지시키며, 유동량은 공급 밸브(46),(47),(48) 및 배기 밸브(52)를 조절시켜 유지한다. 배기 기체 회수 시스템은 휘발성 반응부산물 및 소모되지 않은 공급 기체를 수거하고, 적절한 침착물이 형성되로록 고안되어 있다.
유동 시스템의 설명은 단지 예시적인 것이며, 이 분야의 숙련가는 각종 변형을 할 수 있을 것이다. 이의 방법 및 적용은 하기의 실시예로부터 더욱 잘 이해할 수 있을 것이다.
[실시예 1]
소다-석회 현미경 글라스를 용적이 약 50㎖인, 말단이 개방된 유리앰플에 넣고, 모든 표면을 알칼리 세제로 세척한 후, 증류여과수로 세정한다. 그후, 앰플의 말단을 기체-산소 불꽃으로 밀폐시키고, 앰플에 진공라인을 부착한다. 앰플을 10-5토르까지 진공시킨 다음, 불꽃으로 완전히 건조시킨다. 헥사플루오로디실란은 헥사클로로디실란과 불소화 안티몬(Ⅲ)의 반응으로부터 합성된다. 상기 물질 0.08mmol(13.6mg)을 진공 라인상의 저장기로부터 앰플에 옮겨 시스템을 30토르의 출발압력이 되도록 한다. 액체 질소로 냉동시킨 헥사플루오로디실란을 함유하는 앰플의 입구를 불꽃으로 밀폐시킨다. 밀폐된 앰플을 350℃의 내열성 튜브형 화로(tube furnace)에 45분 동안 놓아둔다.
반응결과, 유기 기재 및 앰플의 내벽에 두께가 약 500Å인 금빛의 반사율이 높은 필름이 균일하게 피복된다. 필름의 흡수 계수는 450㎚에서 약 105/cm으로 측정된다. 이 필름을 장기간 대기에 노출시켰을 때 외관이 변하지 않는다.
[실시예 2]
규소-함유 필름을 침착시키기 전에 동심원 형의 현미경 유리 슬라이드상에서 크롬 전극을 진공증발시키는 것을 제외하고는 실시예 1을 반복수행한다. 이 필름의 저항율은 105ohm-cm이며, 광도 14mW/㎠의 석영/할로겐 램프로 조사할 때 전기전도도는 네가지 중 하나의 인자에 의해 증가된다. 전기전도도는 예기되는 반도체 작용에 의하여 온도가 증가함에 따라 증가된다.
[실시예 3]
출발물질로서 헥사클로로디실란 0.24mmol(6.5mg)을 사용하여 450℃에서 분해시키는 것을 제외하고는 필수적으로 실시예 1을 반복수행한다. 이 필름은 실시예 1의 필름과 외관이 유사하며, 3×104ohm-cm의 저항율을 나타낸다.
[실시예 4]
헥사플루오로디실란 0.0012몰(0.203g)을 사용하는 것을 제외하고는 시스템의 출발압력을 1기압으로 하여 실시예 1을 반복 수행한다. 앰플을 270℃에서 1시간 동안 가열한다. 가열 후반부에 이 시스템은 반사성 황갈색 필름으로 피복된다.
[실시예 5]
헥사브로모디실란 약 50mg을 출발물질로 사용하고 분해 온도를 550℃하는 것을 제외하고는 실시예 1의 방법대로 필름을 형성시킨다.
[실시예 6]
도데카클로로네오펜타실란을 출발물질로 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1의 방법대로 필름을 형성시킨다. 출발물질 50mg은 사염화규소가 검출되는 생성물 및 필름과 함께 450℃에서의 반응에 사용된다. 이 필름은 실시예 1 및 2의 필름과 동등한 특성을 나타낸다.
[실시예 7]
혼합비가 4 : 1인 헥사플루오로디실란 및 디메틸디플루오로게르만의 출발 혼합물을 전술한 실시예의 방법에 사용한다. 시스템을 445℃에서 약 60분 동안 유지시킨다. 이 필름은 헥사플루오로디실란 단독으로부터 생성된 동일한 두께의 필름보다 상당히 어두웠다. ESCA를 통한 분광학적 시험에서 이 필름중에 게르마늄이 존재함이 확인되었다. 가시광선 및 UV 흡수 스펙트럼은 게르마늄-함유 물질이 게르마늄을 함유하지 않은 유사한 물질보다 낮은 광학적 흡수대 간격을 나타낸다.
[실시예 8]
전술한 실시예의 방법대로 소다-석회 현미경 글라스 슬라이드상에서 헥사플루오로디실란으로부터 425℃에서 필름을 형성시킨다. 이 필름은 금빛의 고반사율을 가지며 두께는 500Å으로 측정된다. 이 샘플에 488㎚에서 1.4mw의 출력의 아르곤 이온 레이저를 방사한다. 수 μ이하의 직경으로 촛점을 맞춘 광선에 의해 0.01 내지 1초 범위의 노출시간에서 연속적으로 방사노출시킨다. 모든 경우에, 레이저 방사에 의한 필름의 변화가 현미경으로 쉽게 검지된다. 가장 짧은 노출에서, 직경 약 5μm의 원형의 구멍이 발견된다. 따라서, 선택된 레이저 변화 및 광학적 판독에 의해서 정보를 상기의 필름에 저장시킬 수 있음은 명백하다.
[실시예 9]
제 2 도에 설명된 것과 유사한 반응기에서 필름을 형성시킨다. 출발물질로서 헥사클로로디실란이 사용된다. 코닝(Corning) 7059 유리 기재가 디실란 전구물질의 유동경로를 따라 정렬되고, 석영 화로 튜브 및 함유물을 외부의 저항 튜브형 화로를 사용하여 가열한다. 반응물은 화로 튜브 외부에서 측정된 550℃의 온도에서 500mg/시의 속도로 투입한다. 기재는 전술한 실시예에서 생성된 필름중 시각적으로 전형적인 반사 필름으로 양호하게 피복된다.
[실시예 10]
실시예 1에서 생성된 플루오로실란 필름 샘플에 대해 내마모성 및 내후성 시험을 실시한다. 이 필름은 0000 강철 섬유를 사용하는 스크래칭에 대하여 내구성을 나타내며, 이어서 이 필름을 오하이오 클리브랜드 소재의 Q. Panel Company의 제품인 순환성 자외선 내후도 시험기인 Q. U. V. 형 내후도 측정기로 지속되는 내후도 시험을 1,000시간 동안 측정한다. 노출 조건은 고온, 습기 및 자외선 조사를 포함한다. 시험 결과로부터, 본 샘플의 반사율 및 내마모성이 불변했음을 알 수 있으며, 이는 이 필름을 내후성, 내스크래칭성 피복제로서 기재에 피복시킬 수 있음을 나타낸다.

Claims (10)

  1. 브로모-, 클로로- 및 플루오로-디- 및 폴리실란으로 이루어진 그룹중에서 선택된 증기상 할로겐화 실란을 반응실의 기압하, 하기의 분해 온도에서 열적 및 화학적으로 안정한 기재를 함유하는 반응실내, 250 내지 550℃의 온도에서 분해시킴을 특징으로 하여, 기재상에 무정형 중합성 할로실란 필름을 형성시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 사용되는 디- 또는 폴리실란의 존재하에서 추가의 화합물이 분해되며, 이 화합물은 생성되는 필름의 전기적 또는 광학적 특성을 변화시키기 위하여 필름에 도핑될 원소를 함유하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 디- 및 폴리실란이 생성되는 필름에 헤테로원자를 혼입시키기 위하여 목적하는 원소가 함유된 작용그룹을 함유하는 방법.
  4. 제 1 항의 방법에 따라 무정형 중합성 할로실란 필름을 형성시키고, 이온 혼입에 의해 필름의 전기적 특성을 변화시킴을 특징으로 하여, 전자장치의 전기활성 부재를 제조하는 방법.
  5. 제 1 항의 방법에 의해 제조되는 무정형 중합성 할로실란 필름.
  6. 제 2 항의 방법에 의해 제조되는 무정형 중합성 할로실란 필름.
  7. 제 3 항의 방법에 의해 제조되는 무정형 중합성 할로실란 필름.
  8. 제 1 항의 방법에 따라 필름을 형성시키고, 이 필름을 레이저 광선에 노출시켜 필름의 일부를 선택적으로 변화시킴을 특징으로 하여, 광학적으로 판독가능한 매체를 제조하는 방법.
  9. 브로모-, 클로로- 및 플루오로-디- 및 폴리실란으로 이루어진 그룹중에서 선택된 증기상 할로겐화 실란을 반응실의 기압하, 하기의 분해온도에서 열적 및 화학적으로 안정한 기재를 함유하는 반응실내, 250 내지 550℃의 온도에서 분해시킴을 특징으로 하여, 기재상에 내-스크래칭성 보호 피막을 형성시키는 방법.
  10. 제 9 항의 방법에 의해 제조된 내-스크래칭성 피막을 함유하는 기재.
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