KR930005236B1

KR930005236B1 - 반도체소자 제조공정중의 새부리 형상 제거방법

Info

Publication number: KR930005236B1
Application number: KR1019900014384A
Authority: KR
Inventors: 김명규
Original assignee: 금성일렉트론 주식회사; 문정환
Priority date: 1990-09-12
Filing date: 1990-09-12
Publication date: 1993-06-16
Also published as: KR920007149A

Abstract

내용 없음.

Description

반도체소자 제조공정중의 새부리 형상 제거방법

제1도는 종래의 제조공정 단면도.

제2도는 본 발명의 제조공정 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : 산화막

3 : 질화막 4,5,8 : P/R

6 : 필드산화막 7 : 에피막

본 발명은 반도체 소자 제조공정중의 새부리 형상 제거방법에 관한 것으로 특히 국부격리 산화중에 발생하는 새부리(Bird′s Beak)현상을 방지하여 액티브 영역이 축소되지 않도록 하기에 적당하도록 한 것이다.

종래의 반도체소자 제조방법은 제1a도에 도시된 바와 같이 기판(1) 위에 250-300Å 정도의 산화막(2)을 성장시키고 b도와 같이 상기 산화막(2) 위에 1000-1600Å 정도의 질화막(3)을 증착시킨다.

그리고 c도와 같이 P/R (Photo Resist(4)을 입힌 후 필드영역을 노광시켜 그 부분의 P/R을 제거하고 이어 질화막(3)을 제거한다.

다음에 d도와 같이 상기 필드영역에 이온을 주입하고 e도와 같이 P/R(4)을 제거한 후 f도와 같이 필드 산화막(6)을 5000-7000Å 두께로 성장시킨다. 그러나 상기 종래기술에 있어서는 필드산화막(6) 성장시 질화막(3) 밑으로 산화막(6)이 파고들어가 액티브영역이 2Δ t만큼 줄어들게 되는 결점이 있었다.

본 발명은 이와 같은 종래의 결점을 해결하기 위한 것으로 질화막 밑으로 산화막이 파고 들어오지 못하도록 하여 액티브 영역이 축소되는 것을 방지할 수 있는 제조공정을 제공하는데 그 목적이 있다.

이하에서 본 발명을 첨부된 도면 제2도에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저 a도와 같이 기판(1) 위에 산화막(2)을 250-300Å 정도 성장시키고 그 위에 b도와 같이 질화막(3)을 1000-1200Å 정도 증착시킨다.

다음에 c도와 같이 질화막(3) 위에 P/R(4)을 입힌 후 액티브영역을 노광시켜 그 부분의 P/R을 제거하고 d도와 같이 노출된 질화막(3)과 질화막 밑의 산화막(2)을 식각한 후 기판(1)을 2000-3000Å 정도 식각한다.

그리고 e도와 같이 산화막(2)을 약 250Å 정도 다시 성장시키고 그 위에 질화막(3)을 1500-3000Å 정도 저압화학 기상증착을 한다.

또한 f도와 같이 P/R(5)을 입히고 필드영역 위의 P/R을 노광시킨 후 제거하며 이의 필드영역의 질화막(3)을 식각한 후 그 식각된 부분에 이온을 주입한다.

다음에 액티브 영역에 덮여있는 P/R을 제거하면 g도와 같이 질화막(3)이 측면 마스크 역할을 하게된다.

그 위에 h도와 같이 필드산화막(6)을 5000-7000Å 정도 성장시키는데 이때 측면 질화막(3) 마스크에 의해 새부리 형상이 생기지 않게 된다.

다음에 i도와 같이 질화막(3)과 그 밑의 산화막(2)을 습식 식각하여 제거한다.

그리고 j도와 같이 그위에 기관(1)과 같은 결정방향의 에피막(7)을 상기 d도에서 기판(1)을 식각한만큼 (2000-3000Å) 다시 성장시키고 P/R(8)을 입힌 후 필드영역의 P/R을 노광시켜 제거한다.

이어서 (4)와 같이 필드영역의 에피막(7)을 식각하고 액티브영역에 덮여있는 P/R(8)을 제거한다.

이상과 같은 본 발명에 의하면 질화막(3)을 측면 마스크로서 이용하여 격리산화 또는 필드산화시 발생하는 새부리 형상을 방지하여 액티브 영역의 축소를 제거할 수 있는 장점이 있다.

Claims

기판 위에 산화막, 질화막을 형성하고 P/R을 사용하여 액티브 영역의 산화막, 질화막 및 기판을 식각하는 공정 ; 그 위에 다시 산화막, 질화막을 형성하고 필드영역의 질화막을 식각하여 식각된 부분에 이온주입하는 공정 ; 이어 필드산화막을 성장시키고 산화막, 질화막을 제거하는 공정 ; 상기 필드산화막과 기판에 걸쳐 에피막을 형성하고 P/R을 사용하여 필드산화막 위에 에피막을 제거하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정중의 세부리 형상 제거방법.
제1항에 있어서, 질화막을 측면 격리마스크 역할을 하게 함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정중의 새부리 형상 제거방법.
제1항에 있어서, 필드산화막 형성후 질화막, 산화막 및 기판 식각시 상기 액티브 영역의 기판을 식각한 두께 이상으로 기판을 식각함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정중의 새부리 형상 제거방법.
제1항에 있어서, 에피막은 기판과 같은 결정방향의 것을 사용함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정중의 새부리 형상 제거방법.
제1항에 있어서, 액티브 영역의 기판은 2000-3000Å 식각함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정중의 새부리 형상 제거방법.
제2항에 있어서, 측면 마스크용 질화막은 1500-3000Å 저압화학 기상 증착함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정중의 새부리 형상.