KR930005148A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR930005148A
KR930005148A KR1019910014614A KR910014614A KR930005148A KR 930005148 A KR930005148 A KR 930005148A KR 1019910014614 A KR1019910014614 A KR 1019910014614A KR 910014614 A KR910014614 A KR 910014614A KR 930005148 A KR930005148 A KR 930005148A
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KR
South Korea
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manufacturing
barrier metal
metal film
semiconductor device
aluminum electrode
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Application number
KR1019910014614A
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English (en)
Inventor
윤진현
오동열
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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내용 없음.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도의 (가)∼(라)는 이 발명에 따른 제조방법의 제1실시예를 설명하기 위한 단면도,
제4도는 이 발명의 제1실시예에 의한 와이어 본딩 상태도.

Claims (12)

  1. 반도체 기판상에 알루미늄 전극을 형성하고, 이 알루미늄 전극상에 베리어 금속막을 형성하며, 상기 반도체기판과 배리어 금속막상에 절연막을 도포한후 노출 및 현상하여 알루미늄 전극상에 소장의 개구를 형성하는 반도체 칩 제조단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 칩 제조단계이후, 와이어 본딩 방식으로 배리어 금속막과 리드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 칩 제조단계이후, 탭 본딩방식으로 배리어 금속막과 리드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 배리어 금속막이 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서. 상기 배리어 금속막이 100∼2000Å두께로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 절연막이 질화 실리콘(Si3N4)으로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
  7. 반도체 기판상의 알루미늄 전극 형성부위에 이 전극 크기의 배리어 금속막을 형성하고, 이 배리어 금속막상에 알루미늄 전극을 형성하며, 상기 반도체 기판과 알루미늄 전극상에 절연막을 도포한 후 노출 및 현상하여 전극상에 소정의 개구를 형성하는 반도체 칩 제조단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반도체 칩 제조단계이후, 와이어 본딩방식으로 알루미늄 전극과 리드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 반도체 칩 제조단계이후, 탭 본딩방식으로 알루미늄 전극과 리드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  10. 제7에 있어서, 상기 배리어 금속막이 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 배리어 금속막이 100∼2000Å두께로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 절연막이 질화 실리콘(Si3N4)으로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910014614A 1991-08-23 1991-08-23 반도체 장치의 제조방법 KR930005148A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100456317B1 (ko) * 1997-06-30 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의다층금속배선형성방법

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KR100456317B1 (ko) * 1997-06-30 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의다층금속배선형성방법

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