KR930005148A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도의 (가)∼(라)는 이 발명에 따른 제조방법의 제1실시예를 설명하기 위한 단면도,
제4도는 이 발명의 제1실시예에 의한 와이어 본딩 상태도.
Claims (12)
- 반도체 기판상에 알루미늄 전극을 형성하고, 이 알루미늄 전극상에 베리어 금속막을 형성하며, 상기 반도체기판과 배리어 금속막상에 절연막을 도포한후 노출 및 현상하여 알루미늄 전극상에 소장의 개구를 형성하는 반도체 칩 제조단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 칩 제조단계이후, 와이어 본딩 방식으로 배리어 금속막과 리드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 칩 제조단계이후, 탭 본딩방식으로 배리어 금속막과 리드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 배리어 금속막이 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서. 상기 배리어 금속막이 100∼2000Å두께로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막이 질화 실리콘(Si3N4)으로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
- 반도체 기판상의 알루미늄 전극 형성부위에 이 전극 크기의 배리어 금속막을 형성하고, 이 배리어 금속막상에 알루미늄 전극을 형성하며, 상기 반도체 기판과 알루미늄 전극상에 절연막을 도포한 후 노출 및 현상하여 전극상에 소정의 개구를 형성하는 반도체 칩 제조단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 반도체 칩 제조단계이후, 와이어 본딩방식으로 알루미늄 전극과 리드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 반도체 칩 제조단계이후, 탭 본딩방식으로 알루미늄 전극과 리드를 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제7에 있어서, 상기 배리어 금속막이 티타늄 또는 티타늄 합금으로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 배리어 금속막이 100∼2000Å두께로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 절연막이 질화 실리콘(Si3N4)으로 이루어지는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910014614A KR930005148A (ko) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 반도체 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910014614A KR930005148A (ko) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 반도체 장치의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930005148A true KR930005148A (ko) | 1993-03-23 |
Family
ID=67310392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910014614A KR930005148A (ko) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 반도체 장치의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR930005148A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100456317B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2005-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의다층금속배선형성방법 |
-
1991
- 1991-08-23 KR KR1019910014614A patent/KR930005148A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100456317B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2005-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의다층금속배선형성방법 |
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