KR930005028A - 리드/라이트 멀티플렉싱 수단을 가지는 반도체 메모리 장치 - Google Patents

리드/라이트 멀티플렉싱 수단을 가지는 반도체 메모리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR930005028A
KR930005028A KR1019910014273A KR910014273A KR930005028A KR 930005028 A KR930005028 A KR 930005028A KR 1019910014273 A KR1019910014273 A KR 1019910014273A KR 910014273 A KR910014273 A KR 910014273A KR 930005028 A KR930005028 A KR 930005028A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
input
data
output
line
multiplexing means
Prior art date
Application number
KR1019910014273A
Other languages
English (en)
Inventor
이철규
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019910014273A priority Critical patent/KR930005028A/ko
Priority to JP4324392A priority patent/JPH0547187A/ja
Publication of KR930005028A publication Critical patent/KR930005028A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Time-Division Multiplex Systems (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

리드/라이트 멀티플렉싱 수단을 가지는 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 리드/라이트 멀티플렉싱 수단의 일실시예,
제5도는 제4도의 동작 타이밍도,
제6도는 본 발명에 의한 리드/라이트 멀티 플렉싱 수단의 다른 실시예.

Claims (5)

  1. 메모리 셀에 접속되고 상기 메모리 셀로의 또는 상기 메모리 셀로부터의 소정의 데이타를 전송하는 쌍으로 이루어진 비트라인 BL와 상기 비트라인 BL에 각각 연결되고 상기 데이타의 입출력을 전송하는 쌍으로 이루어진 입출력 라인 I/O,과, 상기 입출력라인 I/O,에 연결되어 상기 입출력라인 I/O,를 칩외부와 연결하기 위한쌍으로 이루어진 데이타 라인 D,을 구비하고 상기 비트라인 BL와 상기 입출력 라인 I/O, I/O 상기 데이타 라인 D,가 서로 전기적인 접속이 이루어질 시에 상기 데이타와 칩 외부와의 입출력이 구동되는 반도에 메모리 장치에 있어서, 상기 입출력라인 I/O,상에 설치되어 상기 데이타와 칩외부와의 입출력이 구동되지 아닐시에는 상기 입출력 라인 I/O, I/O및 데이타 라인 D,를 서로 동일한 레벨로 유지케하고 상기 데이타와 칩외부와의 입출력이 구동될 시에는 그 전송 경로가 단일 경로로 이루어지게 함을 특징으로 하는 리드/라이트 멀티플렉싱 수단.
  2. 제1항에 있어서, 상기 멀티플렉싱 수단이, 게이트가 소정의 제어신호에 접속되고 채널의 양단이 소정의 프리차아지 전압이 걸리는 단자 및 상기 입출력 라인의 하나의 사이에 접속된 제1프리차아지 트랜지스터와, 게이트가 상기 제어신호에 접속되고 채널의 양단이 상기 프리차아지 전압이 걸리는 단자 및 상기 입출력 라인의 다른 하나 사이에 접속된 제2프리차아지 트랜지스터와, 게이트가 상기 제어신호에 접속되고 채널의 양단이 상기 입출력 라인 사이에 접속된 이퀼라이즈 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 리드/라이트 멀티플렉싱 수단.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어신호가 칩의 이네이블에 상관없이 계속 액티브 신호로서 인가되며 상기의 데이타를 메모리 셀에 라이트하는 멀티플렉싱 수단.
  4. 제2항에 있어서, 상기 프리차아지 전압이 VCC/2레벨의 전압으로 인가됨을 특징으로 하는 리드/라이트 멀티플렉싱 수단.
  5. 제2항에 있어서, 상기 데이타라인 D,의 전위가 라이트 데이타 및 리드데이타가 실리는 경우 외에는 항시 상기 프리차아지 전압으로 유지됨을 특징으로 하는 리드/라이트 멀티플렉싱 수단.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910014273A 1991-08-19 1991-08-19 리드/라이트 멀티플렉싱 수단을 가지는 반도체 메모리 장치 KR930005028A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910014273A KR930005028A (ko) 1991-08-19 1991-08-19 리드/라이트 멀티플렉싱 수단을 가지는 반도체 메모리 장치
JP4324392A JPH0547187A (ja) 1991-08-19 1992-02-28 リード動作時短いアクセスタイムを持つ半導体メモリ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910014273A KR930005028A (ko) 1991-08-19 1991-08-19 리드/라이트 멀티플렉싱 수단을 가지는 반도체 메모리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930005028A true KR930005028A (ko) 1993-03-23

Family

ID=19318759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910014273A KR930005028A (ko) 1991-08-19 1991-08-19 리드/라이트 멀티플렉싱 수단을 가지는 반도체 메모리 장치

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH0547187A (ko)
KR (1) KR930005028A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020061668A (ko) * 2001-01-17 2002-07-25 (주)아해 그라프트 폴리아민 고분자응집제 및 이를 이용한 폐수처리방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5703109B2 (ja) * 2011-04-23 2015-04-15 国立大学法人東北大学 メモリデータ読み出し回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020061668A (ko) * 2001-01-17 2002-07-25 (주)아해 그라프트 폴리아민 고분자응집제 및 이를 이용한 폐수처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0547187A (ja) 1993-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930003153A (ko) 반도체집적 회로장치
KR910008733A (ko) 비휘발성 반도체 기억장치
KR970017616A (ko) 고속액세스를 위한 데이타 출력패스를 구비하는 반도체 메모리장치
KR870009396A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR890001093A (ko) 반도체 메모리장치의 충전 및 등화회로
KR920006975A (ko) 반도체 메모리 회로
KR870008320A (ko) 상이형 메모리셀로 구성되는 반도체 메모리장치
KR920001528A (ko) 동기형 데이터전송회로를 갖춘 다이나믹형 반도체기억장치
KR850002636A (ko) 전하전송형 전압증폭부를 가진 반도체 메모리
KR910004733B1 (ko) 데이타 버스 리셋트 회로를 지닌 반도체 기억장치
KR900008520A (ko) 불휘발성 메모리
KR930005028A (ko) 리드/라이트 멀티플렉싱 수단을 가지는 반도체 메모리 장치
US4931992A (en) Semiconductor memory having barrier transistors connected between sense and restore circuits
KR870007511A (ko) 데이타 판독회로
KR900008523A (ko) 반도체 메모리 소자
KR900005442A (ko) 반도체 기억장치
KR900005467A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR930001210A (ko) 비트 클리어 및 레지스터 초기화 기능을 갖는 반도체 기억 회로
KR920001526A (ko) 반도체 메모리 장치
KR19990016994A (ko) 반도체 메모리장치
EP0230385A2 (en) Semiconductor memory
KR870006575A (ko) 반도체 기억장치
KR960012725A (ko) 반도체 메모리 장치의 출력 버퍼 회로용 제어 회로
KR930008857A (ko) 데이타 전송 회로
KR930005024A (ko) 공통 입출력선을 가지는 데이타 전송회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
SUBM Submission of document of abandonment before or after decision of registration