KR930003840B1 - 반도체장치의 부식방지 배선형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래 반도체장치의 배선층 형성방법을 설명하기 위한 도면으로서, (a)도는 다층 배선인 경우 1차 배선층을 도시한 반도체장치의 단면도, (b)도는 단층 배선인 경우 배선층을 도시한 반도체장치의 단면도이다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체장치의 배선층 형성방법을 설명하기 위한 도면으로서, (a)도는 다층배선인 경우 1차배선층을 도시한 반도체장치의 단면도, (b)도는 단층배선인 경우 배선층을 도시한 반도체장치의 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘기판 2 : 실리콘산화막
3 : AlSiCu막(배선층) 4 : AlSi막(배선층보호막)
본 발명은 반도체장치의 배선형성 방법에 관한 것으로서, 특히 배선층의 부식을 방지하기 위해 배선층 위에 대략 배선층 두께의 1%의 해당하는 배선층 보호막을 증착시켜 배선층의 부식을 방지하는 반도체장치의 부식방지 배선형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체장치의 집적도가 증가함에 따라 전자이동 및 히럭(Hillock)등의 불량을 방지하기 위해 배선재료로서 알루미늄(Al)과 실리콘(Si) 및 구리(Cu)의 합금인 AlSiCu 재질이 많이 사용되고 있다. 이러한 AlSiCu를 단층 및 다층 배선의 배선재료로서 사용하는 경우 종래에는 제1(a) 및 (b)도에 도시한 바와같이 실리콘 기판(1)상의 실리콘산화막(2)을 에칭하여 접촉홀을 형성한 다음 AlSiCu막(3)을 증착시켜 배선층을 형성하였다. 즉, 제1(a)도는 다층배선인 경우로서, 접촉홀 형성후 예컨대 5000Å~6000Å 두께의 AlSiCu막(3)을 증착시켜 다층배선의 1차 배선층을 형성하고, 이어 절연층을 매개하여 2중, 3중의 배선층을 형성하게 된다. 그런데 상기 1차 배선층의 재료인 AlSiCu는 부식성이 강한 Cu가 함유되어 있어서, 금속층의 식각시나 후속공정 진행시 웨트스트립퍼(Wet Stripper)에 의한 부식이나 금속배선층에 구멍이 생기게 되므로 소자의 특성이 열화하게 된다고 하는 결점이 있었다.
마찬가지로 제1(b)도는 단층배선인 경우로서, 이 경우도 접촉홀 형성후 예컨대 8000Å~1000Å 두께의 AlSiCu막(3)을 증착시켜 배선층을 형성하므로 배선층의 부식에 의해 소자의 특성이 열화하는 결점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래 반도체장치의 배선층 형성방법이 갖는 결점을 제거하고자 발명된 것으로서, 배선층 상에 대략 배선층 두께의 1%에 상당하는 배선층 보호막을증착시켜 배선층의 부식을 방지하는 반도체장치의 부식 방지 배선형성 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
이하 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치의 배선 형성방법을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체장치의 배선층 형성방법를 설명하기 위한 도면으로서 (a)도는 다층배선인 경우인바, 실리콘기판(1) 상의 실리콘산화막(2)을 에칭하여 접촉홀을 형성한 다음 예컨데 4000Å~5000Å 두께의 AlSiCu막(3 ; 배선층)을 증착시키고, 상기 AlSiCu막(3) 위에 대략 AlSiCu막(3) 두께의 1%에 해당하는 두께(예컨대 1000Å)의 AlSi막(4)을 배선층 보호막으로 증착시켜 배선층을 형성한다.
또한 제2(b)도는 단층배선인 경우로서, 상기 (a)도의 다층배선인 경우와 마찬가지로 접촉을 형성한 다음 예컨데 7000Å~8000Å두께의 AlSiCu막(3 ; 배선층)을 증착하고, 상기 AlSiCu막(3)위에 대략 AlSiCu막(3) 두께의 1%에 해당하는 두께(약 1000Å)의 AlSi막(4)을 배선층 보호막으로 증착시켜 배선층을 형성한다.
이상과 같이 본 발명에 따른 배선층 형성방법으로 배선층을 형성하게 되면, 배선층 보호막에 의해 배선층의 부식이 방지 되므로 배선층의 부식에 의한 소자의 특성열화를 개선할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 실리콘기판(1)상의 실리콘 산화막(2)을 에칭하여 접촉홀을 형성한 후 배선층을 형성하는 반도체장치의 배선층 형성방법에 있어서, 접촉홀 형성후 AlSiCu막(3)을 증착시켜 배선층을 형성하고, 상기 AlSiCu막(3)위에 배선층 두께의 대략 1%에 상당하는 두께로 AlSi막(4)을 배선층 보호막으로 증착함을 특징으로 하는 반도체장치의 부식방지 배선형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019900005004A KR930003840B1 (ko) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 반도체장치의 부식방지 배선형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019900005004A KR930003840B1 (ko) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 반도체장치의 부식방지 배선형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR910019193A KR910019193A (ko) | 1991-11-30 |
| KR930003840B1 true KR930003840B1 (ko) | 1993-05-13 |
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ID=19297912
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019900005004A KR930003840B1 (ko) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 반도체장치의 부식방지 배선형성방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR930003840B1 (ko) |
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1990
- 1990-04-11 KR KR1019900005004A patent/KR930003840B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR910019193A (ko) | 1991-11-30 |
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