KR930002519A - 비-저온학적으로 생성된 질소를 사용하여 동일계상에서 열처리 가스체를 제조하는 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 용광로의 전이 영역 또는 냉각 영역으로서의 가스체 주입을 도시한, 조절 가스체 열 처리 용광로에 대한 도면이다,
제2도는 용량로의 고열 영역으로서의 가스체 주입을 도시한 조절 가스체 열 처리 용광로에 대한 도면이다,
제3A도는 열 처리 용광로속으로 가스체를 주입하기 위한, 본 발명에 의한 개방형 튜브 장치에 대한 도면이다,
제3B도는 열 처리 용광로속으로 가스체를 주입하기 위한 본 발명에 의한 개방형 튜브 및 배플장치에 대한 도면이다,
제3C도는 열 처리 용광로속으로 가스체를 주입하기 위한, 본 발명에 의한 반-다공성 장치에 대한 도면이다,
제3D도는 용광로속으로 가스체를 주입하는데 사용한 본 발며엥 의한 반-다공성 장치의 또 다른 배열에 대한 도면이다,
제3E도 및 제3F도는 열 처리 용광로 속으로 가스체를 주입하기 위한, 본 발명에 의한 또 다른 다공성 장치에 대한 도면이다,
제3G도는 열 처리 용광로속에서 가스체를 주입하기 위한 본 발명에 의한 다공성 장치 내부의 동심상의 다공성 장치에 대한 도면이다,
제3H도 및 제3I또는 열 처리 용광로속으로 가스체를 주입하기 위한 본 발명에 의한 동심상의 다공성 장치에 대한 도면이다.
Claims (50)
- 용광로를 550℃이상의 온도로 가열하는 단계, 5부피%이하의 탄소를 함유하는 질소가스를 환원가스와 함께 용광로 속으로 주입하되, 상기 환원 가스는 용광로내에서 가열된 처리하고자 하는 부분과 상기 가스 혼합물을 접촉시키기 이전에 상기 산소와 환원 가스를 완전히 반응시킬 수 있는 방식으로 용광로에 주입하는 단계 및 상기부분을 소정의 열 처리 및 표면 상태를 얻기에 충분한 시간동안 상기 용광로를 통해 이동시키는 단계를 포함하는 처리하고자 하는 부분을 가스체에 노출시켜 그 표면 특성을 유지시키거나 또는 처리하기 위해 연속 용광로 내부에 동일계상의 가스체를 제조하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질소가 비-저온학적 방법으로 제조된 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 용광로를 적어도 600℃의 온도로 가열하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 환원 가스가 수소인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 환원 가스가 탄화수소인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 환원 가스가 탄화수소의 혼합물인 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 환원 가스가 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 메탈올, 에탈올, 프로판올, 디메틸, 에테르, 디에틸 에테르, 메틸-에틸에테르, 천연가스, 석유가스, 취사용 가스, 코우크스 오븐가스, 도시가스, 발열 발생 가스 및 흡열 발생 가스, 해리된 암모니아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택된 탄화수소인 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 탄화수소가 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 메탈올, 에탈올, 프로판올, 디메틸, 에테르, 디에틸 에테르, 메틸-에틸에테르, 천연가스, 석유가스, 취사용 가스, 코우크스 오븐가스, 도시가스, 발열 발생 가스 및 흡열 발생 가스, 해리된 암모니아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택된 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 환원제가 잔류 산소를 수분 또는 수분과 이산화탄소의 혼합물로 완전히 전환시키는데 필요한 화학양론적 양 이상의 양으로 존재하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 환원 가스가 수소이며, 질소중의 잔류 산소를 수분으로 완전히 전환시키는데 필요한 화학양론적 양의 적어도 1.1배의 양으로 존재하는 방법.
- 적어도 700℃의 온도로 유지되는 고열 영역을 지닌 용광로 내에서 철 및 금속합금을 가열하는 단계, 5부피%이하의 산소를 함유하는 질소 가스를 환원가스와 함께 용광로 속으로 주입하되, 상기 환원 가스는 잔류 산소를 완전히 전환시키는데 필요한 화학양론적 양의 약 1.10배 내지 약 1.5배의 유속하에 상기 가스 에테르, 천연가스, 석유가스, 취사용 가스, 코우크스 오븐 가스, 도시가스, 발열 발생 가스 및 흡열 발생 가스, 해리된 암모니아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택된 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 환원제가 잔류 산소를 수분 또는 수분과 이산화탄소의 혼합물로 완전히 전환시키는데 필요한 화학양론적 양 이상의 양으로 존재하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 환원 가스가 수소이며, 질소중의 잔류 산소를 수분으로 완전히 전환시키는데 필요한 화학양론적 양의 적어도 1.1배의 양으로 존재하는 방법.
- 적어도 700℃의 온도로 유지되는 고열 영역을 지닌 용광로 내에서 철 및 금속합금을 가열하는 단계, 5부피%이하의 산소를 함유하는 질소 가스를 환원가스와 함께 용광로 속으로 주입하되, 상기 환원 가스는 잔류 산소를 완전히 전환시키는데 필요한 화학양론적 양의 약 1.10배 내지 약 1.5배의 유속하에 상기 가스 혼합물을 용광로내에서 가열된 처리하고자 하는 부분과 접촉시키기 이전에 상기 산소와 환원 가스를 완전히 반응시킬 수 있는 방식으로 상기 용광로에 주입하는 단계, 및 금속 표면상의 코우팅 및 상기 부분에 있어서의 소정의 열 처리 특성을 얻기에 충분한 시간동안, 상기 부분을 상기 용광로를 통해 이동시키는 단계를 포함하는 철 금속 및 합금을 조절 옥사이드 어니일링하는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 잔류 산소를 수분으로 전환시키는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 잔류 산소를 수분, 이산화탄소, 및 이들의 혼합물로 전환시키는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 환원가스가 수소와 탄화수소의 혼합물이며, 상기 잔류 산소를 이산화탄소, 수분, 일산화탄소 또는 이들의 혼합물로 전환시키는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 질소가 비-저온학적 방법으로 제조된 것인 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 용광로를 700℃ 내지 1,250℃의 온도로 가열하는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 환원 가스가 수소인 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 환원 가스가 탄화수소인 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 환원 가스가 탄화수소의 혼합물인 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 탄화수소가 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 메탈올, 에탈올, 프로판올, 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 메틸-에틸에테르, 천연가스, 석유가스, 취사용 가스, 코우크스 오븐가스, 도시가스, 발열 발생 가스 및 흡열 발생 가스, 해리된 암모니아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택된 것인 방법.
- 제19항에 있어서, 탄화수소가 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 메탈올, 에탈올, 프로판올, 디메틸, 에테르, 디에틸 에테르, 메틸-에틸에테르, 천연가스, 석유가스, 취사용 가스, 코우크스 오븐 가스, 도시가스, 발열 발생 가스 및 흡열 발생 가스, 해리된 암모니아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택된 것인 방법.
- 적어도 700℃의 온도로 유지되는 고열 영역을 지닌 용광로 내에서 철 및 금속합금을 가열하는 단계, 5부피%이하의 산소를 함유하는 질소 가스를 환원가스와 함께 용광로 속으로 주입하되, 상기 환원 가스는 잔류 산소를 완전히 전환시키는데 필요한 화학양론적 양의 약 1.5배 내지 약 15.0배의 유속하에 상기 가스 혼합물을 처리하고자 하는 부분과 접촉시키기 이전에 상기 산소와 환원 가스를 완전히 반응시킬 수 있는 방식으로 용광로에 주입하는 단계, 및 상기 부분에 있어서의 소정의 열 처리 특성을 얻기에 충분한 시간 동안, 상기 부분을 상기 용광로를 이동시키는 단계를 포함하는, 철 금속 및 합금을 브라이트, 옥사이드-부재 및 부분 탈탄화, 옥사이드 및 탈탄화-부재, 및 옥사이드-부재 및 부분 탄화 어니일링하는 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 잔류 산소를 수분으로 전환시키는 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 잔류 산소를 수분, 이산화탄소, 및 이들의 혼합물로 전환시키는 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 환원가스가 수소와 탄화수소의 혼합물이며, 상기 잔류 산소를 이산화탄소, 수분, 일산화탄소 또는 이들의 혼합물로 전환시키는 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 질소가 비-저온학적 방법으로 제조된 것인 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 용광로를 800℃ 내지 1,250℃의 온도로 가열하는 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 환원 가스가 수소인 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 환원 가스가 탄화수소인 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 환원 가스가 탄화수소의 혼합물인 방법.
- 제29항에 있어서, 상기 탄화수소가 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 메탈올, 에탈올, 프로판올, 디메틸, 에테르, 디에틸 에테르, 메틸-에틸에테르, 천연가스, 석유가스, 취사용 가스, 코우크스 오븐가스, 도시가스, 발열 발생 가스 및 흡열 발생 가스, 해리된 암모니아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택된 것인 방법.
- 제30항에 있어서, 상기 탄화수소가 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 메탈올, 에탈올, 프로판올, 디메틸, 에테르, 디에틸 에테르, 메틸-에틸에테르, 천연가스, 석유가스, 취사용 가스, 코우크스 오븐가스, 도시가스, 발열 발생 가스 및 흡열 발생 가스, 해리된 암모니아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택된 것인 방법.
- 600℃또는 그 이상의 온도로 유지되는 고열 영역을 지닌 용광로 내에서 구리 및 구리 합금을 가열하는 단계, 5부피%이하의 산소를 함유하는 질소가스를 환원가스와 함께 용광로 속으로 주입하되, 상기 환원 가스는 잔류 산소를 완전히 전환시키는데 필요한 화학 양론적 양의 약 1.10배 이상의 유속하에 상기 가스 혼합물을 상기 부분과 접촉시키기 이전에 상기 산소와 환원 가스를 완전히 반응시킬 수 있는 방식으로 용광로에 주입하는 단계, 및 상기 부분에 있어서의 소정의 열 처리 특성을 얻기에 충분한 시간동안, 상기 부분을 상기 용광로를 통해 이동시키는 단계를 포함하는 구리 및 구리합금을 어니일링하는 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 잔류 산소를 수분으로 전환시키는 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 잔류 산소를 이산화탄소, 수분, 일산화탄소, 또는 이들의 혼합물로 전환시키는 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 환원가스가 수소와 탄화수소의 혼합물이며, 상기 잔류 산소를 이산화탄소, 수분, 일산화탄소 또는 이들의 혼합물로 전환시키는 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 질소가 비-저온학적 방법으로 제조된 것인 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 용광로를 600℃ 내지 800℃의 온도로 가열하는 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 환원 가스가 수소인 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 환원 가스가 탄화수소인 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 환원 가스가 탄화수소의 혼합물인 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 환원가스가 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 메탈올, 에탈올, 프로판올, 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 메틸-에틸 에테르, 천연가스, 석유가스, 취사용 가스, 코우크스 오븐가스, 도시가스, 발열 발생 가스 및 흡열 발생 가스, 해리된 암모니아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택된 것인 방법.
- 제41항에 있어서, 상기 환원가스가 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 메탈올, 에탈올, 프로판올, 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 메틸-에틸에테르, 천연가스, 석유가스, 취사용 가스, 코우크스 오븐가스, 도시가스, 발열 발생 가스 및 흡열 발생 가스, 해리된 암모니아 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택된 것인 방법.
- 용광로를 600℃이상의 온도로 가열하는 단계, 5부피%이하의 산소를 함유하는 질소 가스를 환원 가스와 함께 용광로 속으로 주입하되, 상기 환원 가스는 산소를 완전히 전환시키는데 필요한 화학 양론적 양의 약 1.2배 내지 15.0배의 유속하에, 상기 가스 혼합물을 주어진 방법으로 처리하고자 하는 부분과 접촉시키기 이전에 산소와 상기 환원 가스를 완전히 반응시킬 수 있는 방식으로 용광로에 주입하는 단계 및처리 과정을 완결하기에 충분한 시간동안 상기 부분을 상기온도 및 상기 가스체에 노출시키는 단계를 포함하는, 브레이징, 금속에 대한 유리의 시일링 및 금속과 세라믹 파우더의 신터링, 또는 비-철 금속과 합금의 어니일링방법에 유용한 동일계상의 가스체를 용광로 내부에서 제조하는 방법.
- 제44항에 있어서, 상기 잔류 산소를 수분으로 전환시키는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 잔류 산소를 이산화탄소, 수분, 일산화탄소 또는 이들의 혼합물로 전환시키는 방법.
- 제44항에 있어서, 상기 환원가스가 수소와 탄화수소의 혼합물이며, 상기 잔류 산소를 이산화탄소, 수분, 일산화탄소 또는 이들의 혼합물로 전환시키는 방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US5417774A (en) * | 1992-12-22 | 1995-05-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Heat treating atmospheres |
US5302213A (en) * | 1992-12-22 | 1994-04-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Heat treating atmospheres from non-cryogenically generated nitrogen |
US5401339A (en) * | 1994-02-10 | 1995-03-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Atmospheres for decarburize annealing steels |
US5968457A (en) * | 1994-06-06 | 1999-10-19 | Praxair Technology, Inc. | Apparatus for producing heat treatment atmospheres |
US5441581A (en) | 1994-06-06 | 1995-08-15 | Praxair Technology, Inc. | Process and apparatus for producing heat treatment atmospheres |
US5613185A (en) * | 1995-06-01 | 1997-03-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Atmospheres for extending life of wire mesh belts used in sintering powder metal components |
US6531105B1 (en) | 1996-02-29 | 2003-03-11 | L'air Liquide-Societe Anonyme A'directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process and apparatus for removing carbon monoxide from a gas stream |
NZ314334A (en) * | 1996-04-19 | 1997-09-22 | Boc Group Inc | Method of heat treating a metal with nitrogen rich gas preheated and then having oxygen-reactive gas added |
DE19738653A1 (de) * | 1997-09-04 | 1999-03-11 | Messer Griesheim Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Wärmebehandlung von Teilen |
DE10050673C1 (de) * | 2000-10-04 | 2002-04-18 | Kohnle W Waermebehandlung | Verfahren zum Anlassen von Werkstücken in einem Ofen unter einer Schutzgasatmoshäre |
US6533996B2 (en) | 2001-02-02 | 2003-03-18 | The Boc Group, Inc. | Method and apparatus for metal processing |
US7514035B2 (en) * | 2005-09-26 | 2009-04-07 | Jones William R | Versatile high velocity integral vacuum furnace |
US20080149227A1 (en) * | 2006-12-26 | 2008-06-26 | Karen Anne Connery | Method for oxygen free carburization in atmospheric pressure furnaces |
US20080149226A1 (en) * | 2006-12-26 | 2008-06-26 | Karen Anne Connery | Method of optimizing an oxygen free heat treating process |
US20080149225A1 (en) * | 2006-12-26 | 2008-06-26 | Karen Anne Connery | Method for oxygen free carburization in atmospheric pressure furnaces |
FR2939448B1 (fr) * | 2008-12-09 | 2011-05-06 | Air Liquide | Procede de production d'une atmosphere gazeuse pour le traitement des metaux. |
US20100170319A1 (en) * | 2009-01-06 | 2010-07-08 | Soren Wiberg | Method for press hardening of metals |
US20120241050A1 (en) * | 2009-12-25 | 2012-09-27 | Honda Motor Co., Ltd. | Nitriding process for maraging steel |
CN102766743A (zh) * | 2011-05-06 | 2012-11-07 | 贵州汇新科技发展有限公司 | 一种铁路货车制动圆销表面可控气氛热处理 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
CN102990305B (zh) * | 2012-12-07 | 2015-06-10 | 深圳市帕玛精品制造有限公司 | 一种贵金属加工方法 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
CN103435275B (zh) * | 2013-08-01 | 2015-06-17 | 广东格斯泰气密元件有限公司 | 一种用于玻璃和金属熔封的压缩机端子封接方法 |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
KR101701328B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2017-02-13 | 한국에너지기술연구원 | Rx 가스 발생기 내장형 무산화 열처리 설비 |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
CN105586463B (zh) * | 2016-03-22 | 2018-08-03 | 北京科技大学 | 一种利用甲醇直接还原球团矿的工艺 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
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US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
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US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
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US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
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WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
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US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
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KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
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US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
EP3848657A1 (en) * | 2020-01-08 | 2021-07-14 | ASM IP Holding B.V. | Injector |
US20210215636A1 (en) * | 2020-01-14 | 2021-07-15 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Aerosol jet printed flexible graphene circuits for electrochemical sensing and biosensing |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
CN113547119B (zh) * | 2021-07-20 | 2022-07-22 | 东莞市华研新材料科技有限公司 | 一种mim316烧结工艺 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4445945A (en) * | 1981-01-14 | 1984-05-01 | Holcroft & Company | Method of controlling furnace atmospheres |
US4381955A (en) * | 1981-04-17 | 1983-05-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Gold based electrical contact materials, and method therefor |
US4415379A (en) * | 1981-09-15 | 1983-11-15 | The Boc Group, Inc. | Heat treatment processes |
JPS58113332A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-07-06 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | 温度の広範囲にわたり電気抵抗の変化の小さい合金およびその製造方法 |
US4549911A (en) * | 1984-02-02 | 1985-10-29 | The Boc Group, Inc. | Processes for heat treating ferrous material |
JPS6127964U (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-19 | 三菱自動車工業株式会社 | 燃料噴射ポンプ |
JPS6210210A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-19 | Daido Steel Co Ltd | 雰囲気炉 |
JPH0663023B2 (ja) * | 1986-01-20 | 1994-08-17 | 大同特殊鋼株式会社 | 窒素を雰囲気ガスとして用いる熱処理炉における酸素の除去装置 |
JPS62174320A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Daido Steel Co Ltd | 窒素雰囲気炉 |
JPS63310915A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | Daido Steel Co Ltd | 連続式熱処理炉の操業方法 |
JPH0232678U (ko) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | ||
FR2639249A1 (fr) * | 1988-11-24 | 1990-05-25 | Air Liquide | Procede d'elaboration d'une atmosphere de traitement thermique par separation d'air par permeation et sechage |
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