KR920022290A - 데이타 전송방법 및 반도체 메모리 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

데이타 전송방법 및 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 설명하기위해 사용된 장치의 블록 회로도,
제2도는 출력 인에이블 제어신호로부터 내부 제어신호를 발생하기 위한 장치의 기존 회로도.

Claims (10)

  1. 메모리 셀 어드레스가 데이타 전송을 제어 신호에 의해 규정되며, 다수의 메모리 셀과 반도체 메모리중 적어도 하나의 입/출력 단자 사이에 데이타 전송 방법에 있어서, 메모리 셀 어드레스를 규정하기위한 어드레스 제어신호 및 출력 인에이블 제어신호로 메모리 셀들간에 데이타 전송 동작을 제어하며, 상기 두개의 제어 신호들의 주어진 연계로 데이타 전송 동작을 계속해서 개시시키며, 상기 두개의 제어 신호중 다른 것을 계속되는 데이타 전송을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이타 전송방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 규정된 메모리 셀 어드레스에서 다수의 메모리셀에 하나의 데이타 엑세스를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이타 전송방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 어드레스 제어신호의 한 신호 에지로 메모리 셀 어드레스를 규정하며, 출력 인에이블 제어 신호의 한 신호 에지로 데이타 전송을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이타 전송방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 어드레스 제어 신호의 각 신호 에지로 메모리 셀 어드레스를 규정하여, 출력 인에이블 제어 신호의 각 신호 에지로 데이타 전송을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이타 전송방법.
  5. 제1항에 있어서, 어드레스 제어 신호의 한 펄스 에지로, 규정된 메모리 셀 어드레스와 관련된 데이타 전송작용을 종결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이타 전송방법.
  6. 어드레스 수단과, 메모리 셀을 규정하기 위한 수단과 메모리 셀들간에 데이타 전송을 제어하기 위한 수단을 포함하며, 다수의 메모리 셀과 적어도 하나의 입/출력 단자를 갖는 반도체 메모리에 있어서, 어드레스 제어 신호와 출력 인에이블 제어 신호로 데이타 전송 작용을 연계적으로 제어하기 위한 수단과, 상기 두개의 신호중 하나로 메모리 셀 어드레스를 규정하기 위한 수단과, 상기 두개의 신호중 다른 것으로 데이타 전송을 제어하며, 상기 두개의 제어 신호중 주어진 논리 연계로 데이타 전송작용을 개시하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  7. 제6항에 있어서, 메모리 셀을 어드레스하기 위한 상기 수단은 각각의 규정된 메모리 셀 어드레스로 다수의 메모리 셀을 엑세스 하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  8. 제6항에 있어서, 상기 어드레스 제어 신호는 메모리 셀 어드레스를 규정하고, 입력 인에이블 제어 신호는 한번에 두개의 신호 에지중 하나로 데이타 전송을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  9. 제6항에 있어서, 상기 어드레스 제어 신호는 메모리 셀 어드레스를 규정하며, 출력 인에이블 제어 신호는 각각의 신호 에지로 데이타 전송을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  10. 제6항에 있어서, 규정될 메모리 셀 어드레스와 관련된 데이타 전송 작용은 어드레스 제어 신호중 하나의 클럭 에지로 인터럽트 될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07226079A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体メモリ装置
US5598376A (en) * 1994-12-23 1997-01-28 Micron Technology, Inc. Distributed write data drivers for burst access memories
US5652724A (en) * 1994-12-23 1997-07-29 Micron Technology, Inc. Burst EDO memory device having pipelined output buffer
US5668773A (en) * 1994-12-23 1997-09-16 Micron Technology, Inc. Synchronous burst extended data out DRAM
US5721859A (en) * 1994-12-23 1998-02-24 Micron Technology, Inc. Counter control circuit in a burst memory
US5729503A (en) * 1994-12-23 1998-03-17 Micron Technology, Inc. Address transition detection on a synchronous design
US6804760B2 (en) 1994-12-23 2004-10-12 Micron Technology, Inc. Method for determining a type of memory present in a system
US5610864A (en) * 1994-12-23 1997-03-11 Micron Technology, Inc. Burst EDO memory device with maximized write cycle timing
US5675549A (en) * 1994-12-23 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Burst EDO memory device address counter
US5640364A (en) * 1994-12-23 1997-06-17 Micron Technology, Inc. Self-enabling pulse trapping circuit
US6525971B2 (en) 1995-06-30 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Distributed write data drivers for burst access memories
US5682354A (en) * 1995-11-06 1997-10-28 Micron Technology, Inc. CAS recognition in burst extended data out DRAM
US5526320A (en) * 1994-12-23 1996-06-11 Micron Technology Inc. Burst EDO memory device
US5717654A (en) * 1995-02-10 1998-02-10 Micron Technology, Inc. Burst EDO memory device with maximized write cycle timing
US5850368A (en) * 1995-06-01 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Burst EDO memory address counter
US6470405B2 (en) * 1995-10-19 2002-10-22 Rambus Inc. Protocol for communication with dynamic memory
US6810449B1 (en) 1995-10-19 2004-10-26 Rambus, Inc. Protocol for communication with dynamic memory
US5729504A (en) * 1995-12-14 1998-03-17 Micron Technology, Inc. Continuous burst edo memory device
US7681005B1 (en) 1996-01-11 2010-03-16 Micron Technology, Inc. Asynchronously-accessible memory device with mode selection circuitry for burst or pipelined operation
US5966724A (en) * 1996-01-11 1999-10-12 Micron Technology, Inc. Synchronous memory device with dual page and burst mode operations
US6981126B1 (en) 1996-07-03 2005-12-27 Micron Technology, Inc. Continuous interleave burst access
US6401186B1 (en) 1996-07-03 2002-06-04 Micron Technology, Inc. Continuous burst memory which anticipates a next requested start address
JPH10124447A (ja) * 1996-10-18 1998-05-15 Fujitsu Ltd データ転送制御方法及び装置
US7103742B1 (en) 1997-12-03 2006-09-05 Micron Technology, Inc. Burst/pipelined edo memory device
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
CN108327042B (zh) * 2018-03-22 2023-09-15 昆明理工大学 一种陶瓷颗粒增强金属基复合材料预制体的自动化制备装置
US11630785B2 (en) 2020-11-03 2023-04-18 Western Digital Technologies, Inc. Data storage with improved data transfer

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4344156A (en) * 1980-10-10 1982-08-10 Inmos Corporation High speed data transfer for a semiconductor memory
JPS60136086A (ja) * 1983-12-23 1985-07-19 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
US4897818A (en) * 1983-12-30 1990-01-30 Texas Instruments Incorporated Dual-port memory with inhibited random access during transfer cycles
JPS6167154A (ja) * 1984-09-11 1986-04-07 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS6180597A (ja) * 1984-09-26 1986-04-24 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPH0652632B2 (ja) * 1985-01-23 1994-07-06 株式会社日立製作所 ダイナミツク型ram
JPH079751B2 (ja) * 1985-06-17 1995-02-01 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JPH01205788A (ja) * 1988-02-12 1989-08-18 Toshiba Corp 半導体集積回路
US5150327A (en) * 1988-10-31 1992-09-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory and video signal processing circuit having the same
KR920000962B1 (ko) * 1989-05-26 1992-01-31 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치의 데이터 출력단 전압레벨 조절회로
US4998222A (en) * 1989-12-04 1991-03-05 Nec Electronics Inc. Dynamic random access memory with internally gated RAS

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Publication number Publication date
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US5357469A (en) 1994-10-18
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