KR920011571A - 특정 술폰화 치환된 폴리술폰 중합체를 기재로 하는 반투과성 막 - Google Patents

특정 술폰화 치환된 폴리술폰 중합체를 기재로 하는 반투과성 막 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

특정 솔폰화 치환된 폴리술폰 중합체를 기재로 하는 반투과성 막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (39)

  1. 실질적으로 하기 일반식(A)의 중합체 반복단위체를 포함하는 술폰화된 비스페놀 폴리술폰, 또는 하기 일반식(B)의 중합체 반복단위체를 포함하는 술폰화된 비스페놀 폴리술폰으로 이루어진 군으로부터 선택된 술폰화 치환된 폴리술폰으로 이루어진, 좀더 높은 선택성 및 좀더 높은 투과율 인자의 조합을 갖는 유체분리막 :
    상기식에서 Ar은
    로 이루어진 군으로부터 선택된 방향족기이고, X 수소이거나 술폰그룹에 대해 오르토위치에 있는 치환그룹이고, 중합체 반복단위체당 최소한 하나의 X는 (i)알킬치환기, 또는 (ii)아릴치환기 또는 (iii)알킬티오 또는 아릴티오 그룹, 또는 (iv)할로겐원자, 또는(v)-SiR'R''R'''는 알킬 또는 아릴임)그룹이고, Ar'는
    으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고, R''''는 수소이거나 에테르 산소결합에 대해 오르토위치에 있는 치환그룹이고, 중합체 반복 단위체당 최소한 하나의 R''''는 (i)알킬치환기 또는 (ii)할로겐 원자이어야 하며, Rv는 저급알킬 그룹 또는 할로겐화된 저급알킬 그룹이고, n은 0 또는 1이고, Sm은 술폰산 그룹 또는 그의 염이며, m은 중합체의 술폰화도를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 술폰화 치환된 폴리술폰이 하기 일반식을 가짐을 특징으로 하는 유체분리막 :
    상기식에서, Ar, X, -Sm및 m은 제1항에서 정의한 바와 같다.
  3. 제2항에 있어서, 치환도(DS)가 약 0.2 내지 약 2임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  4. 제2항에 있어서, Ar이
    이고 최소한 하나의 X가 -Si(CH3)3또는 할로겐임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  5. 제4항에 있어서, 최소한 하나의 X가 브롬임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  6. 제4항에 있어서, 최소한 하나의 X가 메틸임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  7. 제2항에 있어서, Ar가
    임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  8. 제1항에 있어서, 술폰화 치환된 폴리술폰이 하기 일반식의 중합체 반복단위체를 포함하는 술폰화된 비스페놀 폴리술폰임을 특징으로 하는 유체분리 막.
    상기식에서, Ar, R'''', Rv, -Sm및 m은 제1항에서 정의한 바와같다.
  9. 제8항에 있어서, 치환도(DS)가 약 0.2 내지 약 2임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  10. 제8항에 있어서, Ar'가
    임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  11. 제10항에 있어서, 최소한 하나의 R''''가 메틸 또는 할로겐임을 특징으로 하는 유체분리막.
  12. 제1항에 있어서, 막이 필름형태임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  13. 제1항에 있어서, 막이 목합체 막임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  14. 제1항에 있어서, 막이 중공섬유 막임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  15. 제1항에 있어서, 막이 복합성 중공섬유 막임을 특징으로 하는 유체분리 막.
  16. 실질적으로 하기 일반식(A)의 중합체 반복단위체를 포함하는 술폰화된 비스페놀 폴리술폰, 또는 하기 일반식(B)의 중합체 반복단위체를 포함하는 술폰화된 비스페놀 폴리술폰으로 이루어진 군으로부터 선택된 술폰화 치환된 폴리술폰으로 이루어진, 좀더 높은 선택성 및 좀더 높은 투과율 인자의 조합을 갖는 유에 분리막의 한측부를 유체 혼합물과 접촉시키고, 상기 막의 두 측부사이의 압력차를 유지시키고, 상기 막의 다른 측부로부터 투과성분을 회수하는 것으로 이루어진 유체 혼합물로부터 성분을 분리하기 위한 방법.
    상기식에서, Ar은
    로 이루어진 군으로부터 선택된 방향족기이고, X는 수소이거나 술폰그룹에 대해 오르토위치에 있는 치환그룹이고, 중합체 반복단위체당 최소한 하나의 X는 (i)알킬치환기, 또는 (ii)아릴치환기 또는 (iii)알킬티오 또는 아릴티오 그룹, 또는 (iv)할로겐원자, 또는 (v)-SiR'R''R'''(여기서, R', R'' 및 R'''는 알킬 또는 아릴임) 그룹이고, Ar'는
    으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기이고, R''''는 수소이거나 에테르 산소결합에 대해 오르토위치에 있는 치환그룹이고, 중합체 반복 단위체당 최소한 하나의 R''''는 (i)알킬치환기 또는 (ii)할로겐 원자이어야 하며, Rv는 저급알킬 그룹 또는 할로겐화된 저급알킬 그룹이고, n은 0 또는 1이고, Sm은 술폰산 그룹 또는 그의 염이며, m은 중합체의 술폰화도를 나타낸다.
  17. 제16항에 있어서, 막 재료중 최소한 50중량%가 중합체 반복단위체(A) 또는 (B)를 포함하는 중합체 또는 공중합체를 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 술폰화 치환된 폴리술폰이 하기 일반식을 가짐을 특징으로 하는 방법.
    상기식에서, Ar, X, S 및 m은 제1항에서 정의한 바와 같다.
  19. 제18항에 있어서, 치환도(DS)가 약 0.2 내지 약 2임을 특징으로 하는 방법.
  20. 제18항에 있어서, Ar이
    이고 최소한 하나의 X가 -Si(CH3)3또는 할로겐임을 특징으로 하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 최소한 하나의 X가 브롬임을 특징으로 하는 방법.
  22. 제20항에 있어서, 최소한 하나의 X가 메틸임을 특징으로 하는 방법.
  23. 제18항에 있어서, Ar이
    임을 특징으로 하는 방법.
  24. 제16항에 있어서, 술폰화 치환된 폴리술폰이 하기의 중합체 반복단위체를 포함하는 술폰화 비스페놀 폴리술폰임을 특징으로 하는 방법.
    상기식에서, Ar, R'''', Rv, -Sm및 m은 제1항에서 정의한 바와같다.
  25. 제24항에 있어서, 치환도(DS)가 약 0.2 내지 약 2임을 특징으로 하는 방법.
  26. 제24항에 있어서, Ar'가
    임을 특징으로 하는 방법.
  27. 제16항에 있어서, 유체분리막이 필름임을 특징으로 하는 방법.
  28. 제16항에 있어서, 유체분리막이 복합체 막임을 특징으로 하는 방법.
  29. 제16항에 있어서, 유체분리막이 중공섬유임을 특징으로 하는 방법.
  30. 제16항에 있어서, 유체분리막이 복합체 중공섬유 막임을 특징으로 하는 방법.
  31. 제16항에 있어서, 유체혼합물이 기체상 혼합물임을 특징으로 하는 방법.
  32. 제16항에 있어서, 유체혼합물이 공기를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  33. 제16항에 있어서, 유체혼합물이 최소한 하나의 다른 기체와 배합된 수소를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  34. 제16항에 있어서, 유체혼합물이 최소한 하나의 다른 기체와 배합된 산소를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  35. 제16항에 있어서, 유체혼합물이 최소한 하나의 다른 기체와 배합된 이산화탄소를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  36. 제16항에 있어서, 유체혼합물이 최소한 하나의 다른 기체와 배합된 수증기를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  37. 제16항에 있어서, 유체혼합물이 최소한 하나의 다른 기체와 배합된 암모니아를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  38. 제16항에 있어서, 유체혼합물이 최소한 하나의 다른 기체와 배합된 메탄을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  39. 제16항에 있어서, 유체혼합물이 최소한 하나의 다른 기체와 배합된 황화수소를 포함함을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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