KR920008867A - 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치 - Google Patents

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KR920008867A
KR920008867A KR1019910018645A KR910018645A KR920008867A KR 920008867 A KR920008867 A KR 920008867A KR 1019910018645 A KR1019910018645 A KR 1019910018645A KR 910018645 A KR910018645 A KR 910018645A KR 920008867 A KR920008867 A KR 920008867A
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후지오 모찌즈끼
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세끼자와 다다시
후지쓰 가부시끼가이샤
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가부시끼가이샤 후지쓰야마나시에레쿠도로닉꾸스
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 플라즈마 식각장치 일부의 도식적 측단면도,
제3(a)도는 본 발명에 의한 웨이퍼 리프터(lifter)와 전극의 조합의 제1실시예의 사시도,
제3(b)도는 제1실시예의 측면도,
제4도(a)도는 본 발명에 의한 웨이퍼 리프터(lifter)와 전극의 조합의 제2실시예의 사시도,
제4(b)도는 제2실시예의 측면도,
제5도(a)도는 본 발명에 의한 웨이퍼 리프터(lifter)와 전극의 조합의 제3실시예의 사시도,
제5(b)도는 제3실시예의 측면도.

Claims (6)

  1. 식각할 웨이퍼가 놓일 평편한 상면과 적어도 하나의 웨이퍼 리프터를 갖는 하부전극과, 상기 하부전극과 협동하여 전계를 발생시키는 상부전극을 포함하며, 상기 웨이퍼 리프터가 상기 하부전극의 상면에 형성된 요홈에 수용되어 최하위치에 이동될때 구동수단에 의해 상기 하부전극을 통해 상하로 이동될 수 있는 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치에 있어서, 상기 웨이퍼 리프터는 평편한 상면과 상향으로 넓어지는 경사진 외측벽을 갖는 상부 테이블 부분을 가지며 또한 상기 하부전극의 요홈의 내측벽은 상기 테이블 부분의 외측벽과 동일 형상을 가지며, 그에 의해 상기 웨이퍼 리프터가 최하위치로 이동하면 상기 요홈과 상기 테이블 부분의 측벽들은 서로 접촉상태가 되고 또한 상기 웨이퍼 리프터의 상기 테이블부분의 상면이 상기 하부전극의 상면과 동일 평면이 되는 것이 특징인 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극의 중앙에는 단 하나의 웨이퍼 리프터가 구비되는 것이 특징인 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전극의 상면에는 그위에 형성된 복수의 요홈들에 대응하여 복수의 웨이퍼 리프터들이 원형으로 배치되는 것이 특징인 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치.
  4. 제1~3항중 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 리프터의 테이블 부분의 외측벽과 상기 전극의 요홈의 내측벽의 외형이 원주형 표면을 갖는 것이 특징인 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치.
  5. 식각할 웨이퍼가 놓이는 평편한 상면과 적어도 하나의 웨이퍼 리프터를 갖는 하부전극과 상기 하不全극과 협동하여 전계를 발생하는 상부전극을 포함하며, 상기 웨이퍼 리프터는 구동수단에 의해 상기 하부전극의 외측벽을 따라 상하로 이동되는 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치에 있어서, 상기 웨이퍼 리프터는 환형의 평편한 상면과 상향으로 좁아지는 경사진 내측벽을 갖는 튜브형이며, 상기 하부전극의 상부의 외측벽은 상기 테이블 부분의 내측벽과 동일한 형상을 가지며, 상기 웨이퍼 리프터가 그의 최하위치로 이동되면 하부전극과 테이블 부분의 측벽들이 서로 접촉상태가 되고 상기 웨이퍼 리프터의 테이블 부분의 상면이 하부전극과 상면과 동일 평면이 되는 것이 특징인 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치.
  6. 제1또는 5항에 있어서, 상기 웨이퍼는 반절연 또는 절연물질로 형성되는 것이 특징인 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910018645A 1990-10-24 1991-10-23 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치 KR920008867A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP90-284403 1990-10-24
JP2284403A JPH04162422A (ja) 1990-10-24 1990-10-24 半導体装置の製造装置

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KR1019910018645A KR920008867A (ko) 1990-10-24 1991-10-23 반도체 장치 제조용 플라즈마 식각장치

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JPH04162422A (ja) 1992-06-05
EP0482907A2 (en) 1992-04-29
EP0482907A3 (en) 1992-07-01

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