KR920000568B1 - 전하 저장 구조를 구비한 액정장치 - Google Patents

전하 저장 구조를 구비한 액정장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

전하 저장 구조를 구비한 액정장치
제1도는 본 발명의 실시예를 도시하는 단면도.
제2도는 제1도의 실시예에 해당하는 회로도.
제3도는 제1도의 실시예에 해당하는 히스테레시스루프 및 종전기술에 의한 장치의 히스테레시스루프를 도시하는 그래프.
제4a 내지 (d)도는 본 발명에 의한 장치의 수정된 여러형태를 도시하는 부분도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 제1절연막 2 : 제2절연막
2′ : 제2절연막 3 : 전극
3′ : 투명성전극 4 : 기판
4′ : 기판 5 : 액정층
5′ : 질화 규소막 6 : 부유전극
6′ : 부유전극 7 : 유향성막
8 : 전류 8′ : 전류
본 발명은 액정장치에 관한 것이며, 특히 전하(電荷)저장구조를 구비한 액정장치에 관한 것이다.
액정장치는 그 고도의 표시 기능으로 인하여, 마이크로 컴퓨터, 언어처리기, 텔레비젼 시스템등의 표영기로서 사용되어 왔다.
또 한편 액정은 디스크 메모리와 같은 기억장치의 경쟁력 있는 매체로서, 또는 스피커와 같은 음향기기에 적용되는 매체로서 희망적인 것으로 인정되어 왔다.
종전기술에 있어서 반(半) 결정성의 액정장치가 알려져 있는데, 이 장치는 대향하는 한쌍의 기판(基板)을 구비하고 기판들 사이에 액정의 층이 들어 있으며, 상기 기판의 대향 내면에는 한쌍의 전극이 구비되며, 또한 이 전극상에는 대칭적 방향을 가진 한쌍의 막이 구비되는데, 상기의 경우는 단순한 매트릭스 구조나 활성요소의 구조가 비선형적 장치내에 구성되는 경우이다.
이러한 액정장치에 요구되는 중요한 특성은 높은 보자력의 전장 Ec(한계전장)인 것이다.
Ec의 값이 크면 예를들어 액정층에 가한 전장이 제거될 때 액정의 층을 어떤 조건하에서 불투명한 상태로 유지하는 것이 가능하다.
가한 전장이 한계강도 이상의 수준으로 증가할 때 액정의 층은 갑자기 투명한 상태로 변화하며, 그 반대조건하에서는 그 반대 결과가 발생한다.
이와 관련하여, 보자력 전장 Ec는 정위치 Ec+(양의 전압을 가하였을 때 관찰되는 한계치)와 부위치 Ec―(음의 전압을 가하였을 때 관찰되는 한계치)를 취한다.
Ec+ 및 Ec―는 반드시 동일하지 않으나, 액정의 층에 접촉하는 표면에서 유향화(有向化) 처리하는 작업조건으로 인하여 양자는 거의 동일하게 된다.
그러나 이러한 반 결정성의 액정층은 극히 약간의 히스테레시스를 나타내며, 즉 말하자면, 매우 적고 불안정한 Ec를 갖는다.
특히 표면이 안정화된 강유전체의 액정층을 설계하는 경우에는, Ec의 값은 액정층에 펄스식으로 가한 전장의 강도에 대체로 의존한다.
따라서 AC 바이어스 방법이라 알려진 여기(勵起)시스템이 사용되는데, 이 시스템에서는 양의 방향으로 재표현하기 이전에 음의 펄스신호를 가하며, 그리고 곧 전장의 강도 및 가하는 시간을 섬세하게 제어하여 양의 펄스신호를 가하며, 반대로 부의 방향으로 재표현하는 것이 필요할때에는 전장의 방향을 역전시키는 전자의 경우와 같은 방식의 과정을 거친다.
AC 바이어스 방법은 환상회로를 매우 복잡하게 만든다.
따라서, AC 바이어스 방법의 경우보다 덜 복잡한 환상회로를 가진 액정장치를 만들어야 한다는 것이 지금까지 요구되어 왔다.
반면에 액정의 층이 다만 약간의 Ec를 갖는 한 바이어스 방법은 액정장치를 실현하는데 불가결한 것 같다.
인정된 Ec를 가진 액정층을 만들려는 동일한 종류의 다른 시도가 있었다.
그러나 이들은 주파수 특성에 수정을 가한다.
상술한 문제들을 해결하기 위하여, 본 발명에 의한 장치에는 전하 저장층, 또는 클러스터(Cluster)가 구비되며, 이 층 내에는 외부 전장의 도움 없이 액정층 가까이에 전하가 저장된다.
액정층에 가한 정장에 의하여 전하 저장층에 저장된 전하에서는 피상적 히스테레시스가 나타난다.
전하 저장층은 액정층과 동일한 방식으로 외부 전장에 종속시켜지며, 또한 절연막을 구비하여, 이 절연막은 외부 전장을 제거하였을 때 전하 저장층에 저장된 전하가 도망치는 것을 방지한다.
전하 저장층의 두께는 입사광선을 30% 이상 흡수하지 않게끔 선택한다.
이 구조로 인하여, 전하는 절연막을 통과하여 전하 저장층 즉 클러스터로 이송된다.
절연막의 전기 전도율은 다음과 같이 한다.
즉 전장을 지표로 한 동력에 비례하여 파울러―놀드하임(Fowler―Nordheim)식 침투에 의해 전하의 이송이 이루어지도록 한다.
그러므로 본 발명의 목적은 지구성(持久性) 즉, 불휘발성(nonvol―atile) 기억기능을 가진 액정장치를 제공하려는 것이다.
본 발명의 또 하나의 목적은 가한 외부 전장에 대한 반응으로 일정값의 보자력을 갖는 액정장치를 제공하려는 것이다.
본 발명의 또 하나의 목적은 피상적 히스테레시스를 나타낼 수 있는 액정장치를 제공하려는 것이다.
제1도는 참조하면 여기에서는 본 발명에 의한 액정장치가 도시되어 있다.
투명한 한쌍의 기판(4 및 4′)의 대향 내표면에는 평행한 투명성 전극 대상체(3)가 도면의 횡방향으로 연장되 있으며, 평행한 투명성 전극 대상체(3′)는 도면상에 직립하는 방향으로 연장되었다.
액정층(5)은 대향하는 기판(4 및 4′)사이에 위치한다.
유발된 전장에 의하여 액정의 광학적 특성이 변하는 한 액정은 어떤 형태이든 무관하며, 예를들면 주객형(主客型)이든, 복굴절형이든 모두 가능하다.
그러나 이러한 실시예에 있어서는, 큰 시각의 각도를 가진 강유전체 액정이 사용된다.
액정층 내의 전장에 따라, 입사광선은 선별적으로 통과하게끔 허용된다.
전극 대상체중 하나는 반사성으로하여, 전체 장치가 반사성 장치로서 작동하게끔 할 수 있으며, 이러한 형에 있어서, 아래에 놓인 기층은 투명하지 않아도 좋다.
전극(3)에는 커패시턴스를 형성하는 클러스터 또는 반도체층으로 구성된 부유(浮遊)전극(6)이 있으며, 또한 제1절연막이 형성되어 있다. 부유전극(6)상에는 또한 제2절연막이 형성되었다. 부유전극(6) 및 전극 대상체(3)는 그 사이에 또 하나의 커패시턴스를 형성한다.
참조번호 7은 유향성(有向性)막을 가리킨다.
제1도에 도시한 장치의 전기적 특성은 제2도에 도시한 해당회로에 의해 검토할 수 있으며, 제2도에서 G2및 C2는 제2절연막(2)을 수반하는 FLC층(5)의 전도체 및 커패시턴스를 각각 가리키며, G1및 C1은 제1절연막(1)의 전도치 및 커패시턴스를 가리킨다.
반도체층 또는 클러스터(6)는 전하 포착 중심부로서 역할한다.
한쌍의 단자(3 및 3′)를 통하여 이 회로에 전압(V0)을 가하였을 때, C1또는 G1과 제1절연막 상에 축적된 전하(Q1) 사이에 걸친 전압(V1)과, 또 한편 C2또는 G2와 액정층(5)에 축적된 전하(Q2)사이에 걸친 전압(V2)은 다음과 같이 계산한다.
Figure kpo00001
실제로 제1절연막(1)의 두께는 수옴스트롬이며, FLC층의 두께는 2 내지 3옴스트롬이기 때문에, C1은 C2보다 상당히 더 크다.
따라서 V2≒0임이 확립되면, 본 장치에 가한 거의 전체 전압은 처음 단계에서는 FLC층에 가해지게 된다.
이와같이 분할된 전압(V1및 V2)에 따라 전도율(G1및 G2)에 맞게 전류(8 및 8′)가 부유전극(6)내로 도입된다. 전류(8 및 8′)는 서로 반대방향으로 흐르며, 그 사이의 차동(差動)전류로 인하여 시간이 지남에 따라 전하가 부유전극(6)상에 축적된다.
부유전극(6)에 축적된 전하(Q)는 다음 공식에 의거 계산한다.
Figure kpo00002
C1〉C2라는 사실로 인하여, 두께가 2마이크론이고 한 픽셀(Pixel)규격이 300×300마이크론 일 때, 액정층(5)의 전도치는 109옴이다.
전장(電場)을 가하면 전도치는 105내지 106정도로 감소하는데 그 이유는 두께 10 내지 100옴스트롬, 예를들면 두께 20옴스트롬인 제2절연막의 특성이 비직선형이기 때문이다.
반면에 제2절연막과 동일한 조건일 때, 제1절연막은 1012옴정도이며, 이에 따라 저항은 G1에 비해 충분히 크다.
곧 위의 일반식은 다음과 같이 간소화 시킬 수 있다.
Figure kpo00003
이 공식들은 다음과 같이 정리할 수 있다.
Figure kpo00004
즉 말하자면, 충분한 시간경과후, 즉 G2가 충분히 크게 된후, 액정층에 걸친 V2는 다음식에 의해 표시된다.
Figure kpo00005
이 전압은 전하포착 중심부인 반도체층 또는 클러스터에 의해 포착된 전하를 설명하여 주며, 이 전하는 가한전압을 제거한 후에도 흩어지지 않는다.
포착된 전하에 의해 유발되는 전장으로 인하여, 액정층의 상태는 이전과 같이 남게된다.
따라서 액정층의 투명상태 또는 불투명 상태는 지구성을 갖게 된다.
이러한 이유로 인하여, 본 발명에 의한 장치는 액정층이 충분한 Ec를 갖지 않는다 하더라도 피상적 Ec를 갖게 된다.
이 Ec는 부유전극에 축적된 전하의 양에 따라 변화한다. 따라서 부유전극에 있는 전하의 양을 제어하므로서, Ec를 비교적 높은 값에 확실히 유지하는 것이 가능하다.
[실시예 1]
여기서는 제1도와 관련하여 설명할 것이다.
유리기판(4 및 4′)에는 산화인디움주석(ITO)으로 만든 투명한 전극이 구비된다.
전극(3)상의 제1절연막(1)은 질화규소로 만들었는데, 이것은 본 출원인이 1984년4월20일 출원한 일본 특허출원 공고 제 소59-079623호에 발표한 플라스마 CVD 또는 광학적 CVD방법에 의하였으며, 특히 이 특허출원에 설명된 제1, 제2 및 제4실시예에 의존하였다.
이 방법에서는 350℃의 온도에서 0.1torr의 작업압력하에서 반응챔버내에서 질화 규소막을 전극(3)위에 500옴스트롬의 두께로 피막시키며, 이때 실란(Sin H2n＋2; n≥1) 및 암모니아 또는 질소로 구성된 작업가스를 사용하며, 암모니아 대 실란의 혼합비는 ≥50으로 하고 13.56MHz의 고주파 전력을 사용한다.
제1절연막을 피막시킨후에, 반응챔버는 다시 더 진공화하여 10torr로 만든다.
곧, 13.56MHz의 고주파 전력을 사용하여 350℃에서 분당200cc의 속도로 도입된 실란가스에 의해 실리콘 반도체층 또는 클러스터가 피막된다.
평균두께가 100옴스트롬 이하일때는 실리콘 반도체는 클러스터의 형태로 형성시키며, 평균두께가 100 내지 1,000옴스트롬의 범위인 경우에는 실리콘 반도체는 층의 형태로형성시킨다.
반도체층의 두께가 1,000옴스트롬을 초과할 경우에는 반도체 층의 광 전달성이 악화되며, 광학적 장치로서 적당치가 않게 된다.
이 실시예에서, 가장 적합한 두께는 1,000옴스트롬이다.
또한 반응챔버의 내용물을 배출시킨후에, 10 내지 100옴스트롬, 예를들면 30옴스트롬의 두께로 제2절연막을 형성시키는데, 그 방법은 제1절연막의 경우 거의 같으며, 단 진공압을 0.01torr로 변경시킨다는 점이 다르다.
투명성 전극(3′)에도 또한 질화 규소막을 같은 방법에 의하여 300옴스트롬의 평균 두께로 형성시킨다.
이 질화 규소막은 유리로된 기판 또는 투명성 전극(3′)에서 발생한 나트륨 이온과 같은 불순물이 액정층(5)내로 들어가는 것을 방지하는 역할을 한다.
그후에, 액정층(5)에 접촉해있는 질화물 막(11)의 내표면에는 유향성 막(7)을 형성시킨다.
회전기에 의해 유향성막(7)을 전표면에 확산시키고 120℃에서 30분간 가열건조시키며, 막(7)의 내면은 문지름에 의해 유향화시킨다.
다음, 이렇게 유향성 막을 구비한 기판(4 및 4′)은 상호 결합시키고, 이 판들의 둘레는 밀폐시키며, 곧 상호 대향한 기판(4 및 4′)사이에 형성된 공간내로 액정을 주입한다.
이 액정은 S8과 B7의 혼합체이며 또 한가지 다른 액정으로서 OMOOPP(Octyl Methyl Oxi Octyl Phenyl Pyimidine)와 MBRA(Methyl Butyl 4―Methyl Resorcin Aniline)의 혼합체를 사용할 수 있다.
여기서 OMOOPP의 구조식은
Figure kpo00006
이며 MBRA의 구조식은
Figure kpo00007
이다.
다른 적합한 액정들은 일본 출원공고 제 소56―107216호, 제 소59―98051호 및 제 소59―118744호에 발표되어 있다.
각 필셀에 가한 ±10볼트의 전압에 의하여 FLC층은 피상적 Ec를 나타낸다.
제3도는 본 발명에 의한 액정장치의 히스테레시스를 도시하는 그라프식 다이어그램이다.
횡좌표는 가한 전압을 표시하며, 종좌표는 액정층의 투명도를 표시한다.
이 도면에서, 곡선(16 및 16′)들은 다만 실란 결합체를 사용한 종래의 장치의 히스테레시스 루프를 표시한다.
도면에 표시된 바와같이, Ec는 매우 근소하며 또한 매우 불안정하다.
반면에 곡선(15 및 15′)들은 본 발명에 의한 매우 잘 정립된 히스테레시스 루프를 표시하며, 여기서 Ec는 비교적 크다.
이하에서는 기타 실시예에 관하여 설명할 것이다.
상술한 제1실시예에서 볼 수 있는 단계에 대해서는 동일한 작업단계를 사용하였으며, 이에 따라, 이하의 설명에서 어떤 단계가 설명되지 않을 때는 장황한 중복설명을 피하기 위해 누락시킨 것이라 인정해야 할 것이다.
[실시예 2]
제1절연막은 제4a도에 도시한 바와같이, 500 내지 2,000옴스트롬의 두께로서 질화규소를 사용하여 형성시켰다.
부유전극(6)은 100 내지 1,000옴스트롬의 두께로 실리콘을 사용하여 만들고, 다만 전극(3′)위에 위치하게끔 모양을 부여하였으며, 두께 20 내지 100옴스트롬의 질화 규소막으로서 피막시켰다.
전극(3′)상에는 질화 규소막(5′)과 유기성 유향성 막(7)을 형성시켰다.
이 구조에 있어서, 전하는 액정층으로부터 부유전극(6)으로 들어가게 되어 있다.
[실시예 3]
이상의 실시예에서와는 달리, 제1절연막(1)은 500 내지 2,000옴스트롬의 더 큰 두께로 형성시켜 전극(3)으로부터 전하를 받아들이게 하였다.
부유전극(6′)은 제2절연막(2′)과 함께 대향기판(3′)상에 형성시켰다.
부유전극(6 및 6′)들은 평균 두께 50옴스트롬으로 실리콘 클러스터를 사용하여 만들었다.
이에 따라, 히스테레시스 루프의 방향은 상기 실시예에 비하여 역전된 셈이다.
[실시예 4]
본 실시예에서의 장치는 제4c도에 도시한 바와같이, 액정층(5)으로부터, 전하가 실리콘 클러스터로 만든 부유전극(6 및 6′)내로 들어간다.
이 구조에 의하여 Ec가 더욱 보강된다.
[실시예 5]
부유전극(6)은 얇은 막의 형태로 형성되며, 한편 기타 부유전극은 제4d도에 도시한 바와같이 클러스터의 형태로 형성된다.
위에서 특정 실시예와 관련하여 설명하였으나, 본 발명은 그 실시예에 한정되지 않으며, 다만 첨부한 청구범위에 의하여 제한될 것이며, 다음과 같은 여러 가지 수정 형태를 고려할 수 있다.
반도체층 또는 클러스터는 SixGe1-x(0≤X≤1)로 만들 수 있으며, 여기에 포스핀, 붕소, 수소 또는 할로겐 원소와 같은 첨가제를 함유시킬 수 있다.
본 발명의 요지에 의하여, 전하 저장 부위는 그것이 절연체 뒤에 전하를 저장할 수 있는한, 어떤 물질로 만들든 상관없다.
예를들면, Pt, Mo, Ta, Al, In 또는 Sn등의 금속 또는 이들의 금속 화합물, 또는 규소합금 및 게르마늄 합금등을 위시한 합금등이 있다. 질화규소를 상기 실시예에서 절연막을 형성시키기 위하여 사용한다.
그러나 다른 물질로 사용할 수 있는데 이에 관한 예를들면 산화규소, 산화알루미늄, 산화탄탈륨, 인유리, 규산붕소유리, 유기성 절연물질등이 있다.
기판의 내면을 유향화시키기 위하여 문지르는 방법을 사용하는 대신에, 다른 유향화방법을 사용할 수 있는데, 예를들면 온도 계층화법, 전단법 등이 있다.
전단법은 액정층을 가운데 끼고 있는 한쌍의 기판을 이동시켜 수행한다.
반도체층 또는 클러스터는 기판들의 대향 내면들 중 하나에 형성시키든가 또는 양면에다 형성시킨다.
또한 강유전체 막은 기판의 내면 전체를 덮든가, 또는 전극만을 덮든가, 또는 픽셀만을 덮을 수 있다.
본 발명은 또한 스피커, 프린터, 디스크 기억장치, 또는 반결정성 액정 이용장치에 적용할 수 있다.

Claims (16)

  1. 투명한 기판, 그에 대향하는 기판, 액정층, 전극배열체, 전하 저장부위 등을 구비하며, 상기 액정층은 그 속에 유발된 전장에 따라 그 광학적 특성이 변화하며, 상기 전극 배열체는 상기 액정층에 전장을 유발하기 위한 것이며, 상기 전하 저장부위는 절연체를 사이에 끼우고 있는 전극 배열체에 인접하여 위치하는 것을 특징으로 하는 액정장치.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 전하 저장부위는 반도체로 만들어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 전하 저장부위는 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 전하 저장부위는 금속화합물로 만들어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 청구범위 제4항에 있어서, 상기 전하 저장부위는 규화금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 청구범위 제3항에 있어서, 상기 전하 저장부위는 게르마늄화합물로 만들어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 청구범위 제3항에 있어서, 상기 금속은 백금, 몰리브데늄, 탄탈륨, 알루미늄, 인디움 및 주석으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 액정층은 강유전체 액정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 광학적 특성이란 광선투과율을 의미하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 광학적 특성이란 흡수상의 비등방성을 의미하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 전하 저장부위는 상기 전극 배열체와 상기 액체층 사이에 위치하는 막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 전하 저장부위는 상기 전극 배열체와 상기 액정층 사이에 위치하는 클러스터로 구성된 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 전하 저장부위와 상기 액정층 사이에는 또 하나의 절연층이 구비되는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 청구범위 제13항에 있어서, 상기 절연체중 하나만을 통하여, 전하가 전하 저장부위 내로 부동(浮動)하여 들어가게끔 상기 절연체의 전도치를 결정하게 되는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 청구범위 제2항에 있어서, 상기 반도체 부위는 실리콘 반도체로 만들어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 청구범위 제2항에 있어서, 상기 반도체 부위는 게르마늄 반도체로 만들어지는 것을 특징으로 하는 장치.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2599171B1 (fr) * 1986-05-20 1989-12-08 Thomson Csf Ecran de visualisation electrooptique et procede de realisation
JP2655719B2 (ja) * 1989-03-20 1997-09-24 富士通株式会社 液晶表示素子
GB8914453D0 (en) * 1989-06-23 1989-08-09 Stc Plc Spatial light modulators
US5339090A (en) * 1989-06-23 1994-08-16 Northern Telecom Limited Spatial light modulators
US5191452A (en) * 1989-09-20 1993-03-02 Honeywell Inc. Active matrix liquid crystal display fabrication for grayscale
JP2769879B2 (ja) * 1989-09-29 1998-06-25 キヤノン株式会社 カイラルスメクチック液晶素子
DE69220643T2 (de) * 1991-09-10 1998-01-22 Sharp Kk Flüssigkristall-Anzeigegerät vom Reflexionstyp und Verfahren zu dessen Herstellung
US5594571A (en) * 1991-12-10 1997-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric liquid crystal device and process for production thereof
JP3100014B2 (ja) * 1991-12-10 2000-10-16 キヤノン株式会社 強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法
JPH0643497A (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 Sharp Corp 液晶表示装置
EP0626609B1 (de) * 1993-05-19 1998-07-08 Rolic AG Verfahren und Vorrichtung zur Ansteuerung von Flüssigkristallanzeigezellen
JP3297777B2 (ja) * 1994-04-27 2002-07-02 ソニー株式会社 電気光学表示装置
US5610741A (en) * 1994-06-24 1997-03-11 Sharp Kabushiki Kaisha Reflection type liquid crystal display device with bumps on the reflector
JP3328444B2 (ja) * 1994-10-19 2002-09-24 アルプス電気株式会社 液晶素子およびその製造方法
JP2990046B2 (ja) * 1995-08-16 1999-12-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3093627B2 (ja) * 1996-02-09 2000-10-03 キヤノン株式会社 液晶表示装置の製造方法
TWM472858U (zh) * 2013-07-18 2014-02-21 Univ Chung Hua 外界觸發記憶型液晶光學薄膜

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3307089A (en) * 1963-03-16 1967-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device showing the effect of storing charges of single polarity
DE2037676B2 (de) * 1970-07-29 1973-04-12 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Anzeigeschirm mit einer fluessigkeristallschicht sowie verfahren zu dessen herstellung
US3878549A (en) * 1970-10-27 1975-04-15 Shumpei Yamazaki Semiconductor memories
US3700306A (en) * 1971-09-22 1972-10-24 Ncr Co Electro-optic shutter having a thin glass or silicon oxide layer between the electrodes and the liquid crystal
GB1525405A (en) * 1974-10-14 1978-09-20 Hitachi Ltd Liquid crystal display panels
US4119840A (en) * 1976-03-31 1978-10-10 Xerox Corporation Fast acting gain photocurrent device
US4191452A (en) * 1977-12-28 1980-03-04 Hughes Aircraft Company AC silicon PN junction photodiode light-valve substrate
US4431271A (en) * 1979-09-06 1984-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Display device with a thin film transistor and storage condenser
US4563059A (en) * 1983-01-10 1986-01-07 Clark Noel A Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices
US4367924A (en) * 1980-01-08 1983-01-11 Clark Noel A Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device
EP0034796B1 (en) * 1980-02-22 1987-09-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
GB2081018B (en) * 1980-07-31 1985-06-26 Suwa Seikosha Kk Active matrix assembly for display device
JPS58159518A (ja) * 1982-03-18 1983-09-21 Seiko Epson Corp 液晶表示パネル
FR2542914B1 (fr) * 1983-03-18 1985-06-07 Thomson Csf Element de resistance non lineaire en fonction de la tension, en couche epaisse, et son procede de fabrication
DE3406497A1 (de) * 1984-02-23 1985-09-05 Mueller Bernhard Willi Werner Hochdisperse pharmazeutische mehrkomponentensysteme und verfahren zu ihrer herstellung
US4602850A (en) * 1984-03-08 1986-07-29 Vidium, Inc. Light valve display having integrated driving circuits and shield electrode
JPS60227235A (ja) * 1984-04-26 1985-11-12 Canon Inc 画像形成装置
US4617646A (en) * 1984-06-29 1986-10-14 International Business Machines Corporation Electric field gradient excited liquid crystal cell having bistability
JPS6194086A (ja) * 1984-10-16 1986-05-12 セイコーインスツルメンツ株式会社 液晶表示装置

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Publication number Publication date
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