JPS58159518A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
- Publication number
- JPS58159518A JPS58159518A JP4323082A JP4323082A JPS58159518A JP S58159518 A JPS58159518 A JP S58159518A JP 4323082 A JP4323082 A JP 4323082A JP 4323082 A JP4323082 A JP 4323082A JP S58159518 A JPS58159518 A JP S58159518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal display
- electrode
- capacitor
- display panel
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスイッチングトランジスタアレイを有する液晶
表示パネルにおける、データ保持の為のコンデンサの構
成に関する。
表示パネルにおける、データ保持の為のコンデンサの構
成に関する。
スイッチングトランジスタアレイ含有する液晶表示パネ
ルは、グラフィック表示が回部な薄くかつ低消費電力の
表示装薫として、携帯用機器等への使用が大いに注目さ
れている。しかし従来のスイッチングトランジスタアレ
イを有する液晶表示パネルにおいては光によるトランジ
スタのリーク電流の為にコンデンサの放電が起こり、裏
面からの照明を行なって表示性能を向上濾せる事や、屋
外で使用する事が不可能であった。従って光によるトラ
ンジスタのリークを少なくする工夫を要すると同時に、
コンデンサの容量を従来の物より装置<シ、長時間電荷
を保持できる様にすることが必要である。第1図は従来
のスイッチングトランジスタアレイを有する液晶表示パ
ネルのコンデンサの断面図である。従来の液晶表示パネ
ルにおいては、一方の電極1をゲート配線材料、他方の
電極2を酸化スズ、酸化インジウム等の透明導電材料と
し、酸化シリコン膜3をはさんでコンデンサを構成して
いる。一方の電極であるゲート配線材料は多結晶シリコ
ンもしくはアルミニウム等の不透明な材料から成る為に
コンデンサの容量を大羨くする為にコンデンサの面積を
犬評くする事は、画素の光が透過する面積を小さくする
事になる。
ルは、グラフィック表示が回部な薄くかつ低消費電力の
表示装薫として、携帯用機器等への使用が大いに注目さ
れている。しかし従来のスイッチングトランジスタアレ
イを有する液晶表示パネルにおいては光によるトランジ
スタのリーク電流の為にコンデンサの放電が起こり、裏
面からの照明を行なって表示性能を向上濾せる事や、屋
外で使用する事が不可能であった。従って光によるトラ
ンジスタのリークを少なくする工夫を要すると同時に、
コンデンサの容量を従来の物より装置<シ、長時間電荷
を保持できる様にすることが必要である。第1図は従来
のスイッチングトランジスタアレイを有する液晶表示パ
ネルのコンデンサの断面図である。従来の液晶表示パネ
ルにおいては、一方の電極1をゲート配線材料、他方の
電極2を酸化スズ、酸化インジウム等の透明導電材料と
し、酸化シリコン膜3をはさんでコンデンサを構成して
いる。一方の電極であるゲート配線材料は多結晶シリコ
ンもしくはアルミニウム等の不透明な材料から成る為に
コンデンサの容量を大羨くする為にコンデンサの面積を
犬評くする事は、画素の光が透過する面積を小さくする
事になる。
本発明は上F、の欠点を除去して液晶表示パネルの光に
よる表示性能の劣化を防止する事を目的とする。以下実
施例により1詳しく四則する。
よる表示性能の劣化を防止する事を目的とする。以下実
施例により1詳しく四則する。
本発明は画素の光透過面積を小さくする事無くコンデン
サの面積を大片くするに、従来一方の電極を不透明なゲ
ート配線材料を用いていたのに対し新たに透明な導電材
料を用いる事によって前i)i”の問題を解決する。第
2図は本発明の液晶表示パネルのコンデンサの断面図で
ある。一方ノ電極4け酸什スズ、酸化インジウム等従来
透明電極として甲いられた材料もしくけダイアモンド薄
膜によって形成婆れ酸什シリコン膜5をけζんで他方の
t椿6が電極4と同様の材料で形成される。本発明のコ
ンデンサは透明である為、画素の全域に形成する事も可
能でありトランジスタの駆動能力に応じて自由に設計で
とる。
サの面積を大片くするに、従来一方の電極を不透明なゲ
ート配線材料を用いていたのに対し新たに透明な導電材
料を用いる事によって前i)i”の問題を解決する。第
2図は本発明の液晶表示パネルのコンデンサの断面図で
ある。一方ノ電極4け酸什スズ、酸化インジウム等従来
透明電極として甲いられた材料もしくけダイアモンド薄
膜によって形成婆れ酸什シリコン膜5をけζんで他方の
t椿6が電極4と同様の材料で形成される。本発明のコ
ンデンサは透明である為、画素の全域に形成する事も可
能でありトランジスタの駆動能力に応じて自由に設計で
とる。
以上述べた様に本発明の液晶表示パネルはデータ(P持
のコンデンサ容量が大赦い為に従来の液晶表示パネルの
様な光による表示性能の劣化が少なく、携帯機器の表示
装置として大いに適している。
のコンデンサ容量が大赦い為に従来の液晶表示パネルの
様な光による表示性能の劣化が少なく、携帯機器の表示
装置として大いに適している。
第1図は従来の液晶表示パネルのコンデンサの「1面図
である。 第2図は本発明の液晶表示パネルのコンデンサの断面図
である。 1.2,4.6・・電極 3.5・・酸化シリコン 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎
である。 第2図は本発明の液晶表示パネルのコンデンサの断面図
である。 1.2,4.6・・電極 3.5・・酸化シリコン 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎
Claims (1)
- スイッチングトランジスタアレイを有する液晶表示パネ
ルにおいて、透明な導電材料と絶縁膜によってコンデン
サが形成されている事を%徴とする液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4323082A JPS58159518A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4323082A JPS58159518A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 液晶表示パネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58159518A true JPS58159518A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12658104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4323082A Pending JPS58159518A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58159518A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0234429A2 (en) * | 1986-02-17 | 1987-09-02 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with a charge strage structure |
US5162901A (en) * | 1989-05-26 | 1992-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto |
US6313481B1 (en) | 1998-08-06 | 2001-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US6690031B1 (en) | 1998-04-28 | 2004-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP4323082A patent/JPS58159518A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0234429A2 (en) * | 1986-02-17 | 1987-09-02 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with a charge strage structure |
US5162901A (en) * | 1989-05-26 | 1992-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto |
US6690031B1 (en) | 1998-04-28 | 2004-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6313481B1 (en) | 1998-08-06 | 2001-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US6576504B2 (en) | 1998-08-06 | 2003-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a liquid crystal display device having an improved storage capacitance |
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