KR920000172A - 차동 증폭회로 - Google Patents

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KR920000172A
KR920000172A KR1019910001604A KR910001604A KR920000172A KR 920000172 A KR920000172 A KR 920000172A KR 1019910001604 A KR1019910001604 A KR 1019910001604A KR 910001604 A KR910001604 A KR 910001604A KR 920000172 A KR920000172 A KR 920000172A
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나오코 이시자키
아츠시 가메야마
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H—ELECTRICITY
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    • H03K—PULSE TECHNIQUE
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Abstract

내용 없음

Description

차동 증폭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 차동증폭회로를 나타낸 도면,
제2도는 제1도에 도시된 차동증폭회로의 동작특성을 나타낸 도면,
제3도는 제1도에 도시된 차동증폭회로의 문턱치 변동에 대한 동작범위를 나타낸 도면.

Claims (24)

  1. 소오스가 공통으로 전류원(Q5)에 접속되고 또한 게이트에 각각 신호입력전위 및 참조전위가 인가되도록 되어 있으면서 차동스위칭단을 구성하고 있는 노멀리 오프형의 제1, 제2MESFET(Q1,Q2)와, 부하로서 각각 상기 제1, 제2MESFET(Q1,Q2)와 전압원의 사이에 접속되어 있는 노멀리 온형의 제2, 제4MESFET(Q3,Q4), 게이트가 각각 상기 제1, 제2MESFET(Q1,Q2)의 드레인에 접속되고 드레인이 전압원에 접속되어 있는 노멀리 오프형의 제5,제6MESFET(Q6,Q7), 드레인이 각각 상기 제5,제6MESFET(Q6,Q7)의 소오스에 접속되고 상기 드레인으로부터 각각 제1, 제2출력전위(VO1,VO2)가 출력되며 또한 게이트에 각각 상기 제2, 제1출력전위의 레벨(VO2,VO1)에 대응되는 레벨의 전위가 인가되고 있는 제7,제8MESFET(Q10,Q11)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 MESFET(Q1,Q2,Q3,Q4,Q6,Q7,Q10,Q11)가 GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제7, 제8MESFET(Q10,Q11)가 노멀리 오프형 MESFET인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제7, 제8MESFET(Q10a,Q11a)가 노멀리 온형 MESFET인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제5MESFET(Q6)와 제7MESFET(Q10)의 사이 및 상기 제6MESFET(Q7)와 제8MESFET(Q11)의 사이에는 레벨 시프트용 소자(D11,D12:D21,D22)가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  6. 제5항에 잇어서, 상기 레벨 시프트용 소자(D11,D12:D21,D22)가 다이오드로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 다이오드가 쇼트키 다이오드인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  8. 제6항에 있어서, 상기 다이오드가 pn접합 다이오드인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  9. 소오스가 공통으로 전류원(Q5)에 접속되고 또한 게이트에 각각 신호입력전위 및 참조전위가 인가되도록 되어 있으면서 차동스위치단을 구성하고 있는 노멀리 오프형의 제1, 제2MESFET(Q1,Q2)와, 부하로서 각각 상기 제1, 제2MESFET(Q1,Q2)와 전압원의 사이에 접속되어 있는 노멀리 온형의 제3, 제4MESFET(Q3,Q4), 게이트가 각각 상기 제1, 제2MESFET(Q1,Q2)의 드레인에 접속되고 드레인이 전압원에 접속되어 있는 노멀리 오프형의 제5, 제6MESFET(Q6,Q7), 드레인이 각각 상기 제5, 제6MESFET(Q6,Q7)의 소오스에 접속되고 게이트가 각각 상기 제6, 제5MESFET(Q7,Q6)의 소오스에 접속되어 있는 제7, 제8MESFET(Q10a,Q11a)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 MESFET(Q1,Q2,Q3,Q4,Q6,Q7,Q10a,Q11a)가 GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제7, 제8MESFET(Q10,Q11)가 노멀리 오프형 MESFET인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  12. 제9항에 있어서, 상기 제7, 제8MESFET(Q10a,Q11a)가 노멀리 온형 MESFET인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  13. 제9항에 있어서, 상기 제5MESFET(Q6)와 제7MESFET(Q10a)의 사이 및 상기 제6MESFET(Q7)와 제8MESFET(Q11a),의 사이에는 레벨 시프트용 소자(D11,D12:D21,D22)가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 레벨 시프트용 소자(D11,D12:D21,D22)가 다이오드로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  15. 제14항에 있어서, 상기 다이오드가 쇼트키 다이오드인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  16. 제14항에 있어서, 상기 다이오드가 pn접합 다이오드인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  17. 소오스가 공통으로 전류원(Q5)에 접속되고 또한 게이트에 각각 신호입력전위 및 참조전위가 인가되도록 되어 있으면서 차동스위치단을 구성하고 있는 노멀리 오프형의 제1, 제2MESFET(Q1,Q2)와, 부하로서 각각 상기 제1, 제2MESFET(Q1,Q2)와 전압원의 사이에 접속되어 있는 노멀리 온형의 제3, 제4MESFET(Q3,Q4), 게이트가 각각 상기 제1, 제2MESFET(Q1,Q2)의 드레인에 접속되고 드레인이 전압원에 접속되어 있는 노멀리 오프형의 제5,제6MESFET(Q6,Q7), 드레인이 각각 상기 제5,제6MESFET(Q4,Q3)의 게이트에 접속되어 있는 제7, 제8MESFET(Q10,Q11)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  18. 제17항에 있어서, 상기 MESFET(Q1,Q2,Q3,Q4,Q6,Q7,Q10,Q11)가 GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  19. 제17항에 있어서, 상기 제7, 제8MESFET(Q10,Q11)가 노멀리 오프형 MESFET인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  20. 제17항에 있어서, 상기 제7, 제8MESFET(Q10a,Q11a)가 노멀리 온형 MESFET인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  21. 제17항에 있어서, 상기 제5MESFET(Q6)와 제7MESFET(Q10)의 사이 및 상기 제6MESFET(Q7)와 제8MESFET(Q11)의 사이에는 레벨 시프트용 소자(D11,D12:D21,D22)가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  22. 제21항에 있어서, 상기 레벨 시프트용 소자(D11,D12:D21,D22)가 다이오드로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  23. 제22항에 있어서, 상기 다이오드가 쇼트키 다이오드인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
  24. 제22항에 있어서, 상기 다이오드가 pn접합 다이오드인 것을 특징으로 하는 차동증폭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910001604A 1990-02-09 1991-01-31 차동증폭회로 KR0178276B1 (ko)

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