KR920000078A - 비휘발성 메모리장치의 센스회로 - Google Patents

비휘발성 메모리장치의 센스회로 Download PDF

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KR920000078A
KR920000078A KR1019910002603A KR910002603A KR920000078A KR 920000078 A KR920000078 A KR 920000078A KR 1019910002603 A KR1019910002603 A KR 1019910002603A KR 910002603 A KR910002603 A KR 910002603A KR 920000078 A KR920000078 A KR 920000078A
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다까오 아까오기
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세끼자와 다다시
후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

비휘발성 메모리장치의 센스회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 센스회로가 적용된 비휘발성 메모리장치를 나타낸 시스템 블록도,
제3도는 비휘발성 메모리장치의 관련부와 본 발명에 의한 센스회로의 제1실시예의 요부를 나타낸 회로도,
제5도는 비휘발성 메모리장치의 관련부와 본 발명에 의한 센스회로의 제2실시예의 요부를 나타낸 회로도.

Claims (10)

  1. 메모리 셀들을 형성하는 복수의 셀 트랜지스터(Q6)를 포함하고, 각 셀 트랜지스터는 복수의 워드라인(10,WL)중의 하나와 복수의 비트라인(BL)중의 하나에 연결되고 상기 비트라인들이 버스라인(N2)에 연결되어 있는 비휘발성 메모리 장치의 센스회로에 있어서, 버스라인에 결합되어 소정의 셀 트랜지스터에 연결된 소정의 비트라인을 선택함으로써 소정의 셀 트랜지스터를 선택하기 선택수단(Q5);상기 선택수단에 결합되어 버스라인의 전위를 일정레벨로 유지하고 버스라인으로 전류를 흘리는 제1트랜지스터(Q4)를 포함하는 피드백형 바이어스회로(Q1,Q2,Q4);및 상기 피드백형 바이어스회로에 결합되어 소정의 셀트랜지스터로부터 데이터를 독출하도록 소정의 셀트랜지스터를 거쳐서 전류가 흐르는지의 여부를 검출하고 독출데이타를 출력하는 단자(11)를 포함하는 검출수단(Q3,Q7,Q8,Q10)를 포함하고, 상기 피드백형 바이어스회로(Q1,Q2,Q4)에 결합되어 상기 제1트랜지스터(Q4)에 소정의 전류를 강제 공급하는 제2트랜지스터(Q9)를 포함하고 상기 제1트랜지스터의 게이트-소오스전압이 상기 제1트랜지스터의 임계전압보다도 높은 것이 특징인 비휘발성 메모리장치의 센스회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류원수단(Q9)은 비휘발성 메모리장치의 전류소모가 최소화되는 스탠드 바이 모드를 제외하고는 상기 소정의 전류를 공급하는 것이 특징인 비휘발성 메모리장치의 센스회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전류원수단(Q9)은 상기 제1트랜지스터(Q4)에 소정의 전류를 공급하여 상기 제1트랜지스터가 ID-VG(ID는 상기 제1트랜지스터의 드레인전류이며, VG는 상기 제1트랜지스터의 게이트전압이다)의 변화가 소정치 보다도 큰 동작영역에서 동작되는 것이 특징인 비휘발성 메모리장치의 센스회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2트랜지스터(Q9)는 데프리숀형 MOS트랜지스터인 것이 특징인 비휘발성 메모리셀의 센스회로.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소정전류는 상기 소정 셀 트랜지스터(Q6)를 거쳐서 흐르는 셀전류와 대략같은 것이 특징인 비휘발성 메모리장치의 센스회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 검출수단(Q3,Q7,Q8,Q10)은 소정의 셀 크랜지스터(Q6)로 부터의 셀 전류와 상기 제2트랜지스터(Q9)로 부터의 바이어스 전류를 공급받으며 상기 검출수단은 상기 바이어스전류를 상쇄하기 위하여 상기단자(11)에 결합된 제3트랜지스터를 포함하는 것이 특징인 비휘발성 메모리장치의 센스회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제3트랜지스터(Q10)는 데플리숀형 MOS트랜지스터인 것이 특징인 비휘발성 메모리장치의 센스회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 센스회로는 상기 선택수단(Q5), 상기 피드백형 바이어스회로(Q1,Q2,Q4), 상기 검출수단(Q3,Q7,Q8,Q10) 및 상기 전류원수단(Q9)에 의해서 형성되는 회로 (Q1~Q9)와 같은 회로구성을 갖는 기준회로(Q11~Q19)와, 상기 기준회로에 결합되어 상기단자(11)로 독출데이타를 출력하는 자동회로를 더 포함하며, 상기 기준회로는 셀 트랜지스터(Q6)에 상당하는 다미 셀 트랜지스터(Q16)를 갖는 것이 특징인 비휘발성 메모리장치의 센스회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 선택수단(Q5)에 대응하는 상기 기준회로(Q11~Q19)의 일부(Q15)는 상기 소정의 비트라인(BL)에 대응하는 라인을 선택하며, 상기 다미 셀 트랜지스터(Q16)는 데이타를 기억하지 않는 것이 특징인 비휘발성 메모리장치의 센스회로.
  10. 제1항에 있어서, 비휘발성 메모리장치는 워드라인들(WL)에 결합되어 워드라인들중의 하나를 선택하는 로우 데코더(52), 비트라인들(BL)에 결합되어 비트라인들중의 하나를 선택하는 컬럼데코더(53) 및 상기 컬럼데코더에 결합되어 소정 셀 트랜지스터(Q6)로 부터 데이타를 검지하여 증폭하는 센스앰프(54)를 포함하며 상기 센스회로는 상기 센스 앰프내에 설비되어 있는 것이 특징인 비휘발성 메모리장치의 센스회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910002603A 1990-02-19 1991-02-19 비휘발성 메모리장치의 센스회로 KR950014090B1 (ko)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2558904B2 (ja) * 1990-01-19 1996-11-27 株式会社東芝 半導体集積回路
EP0903752B1 (en) * 1991-12-27 2001-11-14 Fujitsu Limited Nonvolatile semiconductor memory
DE4302195C2 (de) * 1993-01-27 1996-12-19 Telefunken Microelectron Verfahren zum Betrieb eines nichtflüchtigen Halbleiterspeichers
US5390147A (en) * 1994-03-02 1995-02-14 Atmel Corporation Core organization and sense amplifier having lubricating current, active clamping and buffered sense node for speed enhancement for non-volatile memory
US5666320A (en) * 1995-12-20 1997-09-09 International Business Machines Corporation Storage system
US5661684A (en) * 1995-12-22 1997-08-26 International Business Machines Corporation Differential sense amplifier
WO2007122564A2 (en) * 2006-04-24 2007-11-01 Nxp B.V. Memory circuit and method for sensing a memory element

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57130292A (en) * 1981-02-05 1982-08-12 Toshiba Corp Semiconductor nonvolatile read-only storage device
US4535259A (en) * 1982-06-18 1985-08-13 Seeq Technology, Inc. Sense amplifier for use with a semiconductor memory array
US4713797A (en) * 1985-11-25 1987-12-15 Motorola Inc. Current mirror sense amplifier for a non-volatile memory
JPS62222498A (ja) * 1986-03-10 1987-09-30 Fujitsu Ltd 消去及び書き込み可能な読み出し専用メモリ
JPS63285800A (ja) * 1987-05-19 1988-11-22 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
US4896297A (en) * 1987-10-23 1990-01-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Circuit for generating a boosted signal for a word line
IT1221780B (it) * 1988-01-29 1990-07-12 Sgs Thomson Microelectronics Circuito di rilevamento dello stato di celle di matrice in memorie eprom in tecnologia mos
US4899070A (en) * 1988-07-13 1990-02-06 Altera Corporation Bit line sense amplifier for programmable logic devices

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