KR910018975A - 자기 헤드용 비정질 자성 합금 박막 - Google Patents

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KR910018975A
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권상일
허재헌
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서주인
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive

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Abstract

내용 없음

Description

자기 헤드용 비정질 자성 합금 박막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 Ru의 첨가량에 따른 CoNbZrRu계의 비정질 자성합금 박막의 포화자속밀도의 변화를 나태낸 그래프, 제2도는 질소의 첨가량에 따른 CoNbTaZrRu계 비정질자성 합금 박막의 비커스경도(Hv), 비저항(ρ) 및 1㎒에서의 유효 투자율(μe)의 변화를 나태낸 그래프, 제3도는 CoNbZr계 비정질 자성 박막에 N₂를 첨가시켰을때 온도에 따른 포화자속 밀도의 변화를 나타낸 그래프.

Claims (4)

  1. 자기 헤드용 비정질 자성 합금 박막에 있어서, 하기의 조성식을 갖는 것을 특징으로 하는 비정질 자성 합금 박막.
    CoaNbbTacZrdRue
    여기서, 1≤e〈10, 0〈b+c〈20, b+c+2d≥10, a+e≤80 및 a+b+c+d+e=100이며, a, b, c, d 및 e는 모두 원자%를 의미한다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Ru의 원자%가 6원자% 이내인 것을 특징으로 하는 비정질 자성 합금 박막.
  3. 자기 헤드용 비정질 자성 합금 박막에 있어서, 하기의 조성식을 갖는 것을 특징으로 하는 비정질 자성 합금 박막.
    Coa´Nbb´Tac´Zrd´Rue´Nf
    여기서, a´, b´, c´, d´, e´및 f는 원자%를 의미하며, 0〈b´+c´〈25, b´+c´+2d≥10, a´+e´≥75, 0.5〈f≤20이며, a+b´+c´+d´+e´+f=100이다.
  4. 제3항에 있어서, 상기 질소의 원자%가 3∼8원자%인 것을 특징으로 하는 비정질 자성 합금 박막.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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