KR900002249A - 자성박막 - Google Patents

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KR900002249A
KR900002249A KR1019880009082A KR880009082A KR900002249A KR 900002249 A KR900002249 A KR 900002249A KR 1019880009082 A KR1019880009082 A KR 1019880009082A KR 880009082 A KR880009082 A KR 880009082A KR 900002249 A KR900002249 A KR 900002249A
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thin film
magnetic thin
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KR1019880009082A
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권상일
박노택
송호섭
Original Assignee
서주인
삼성전기 주식회사
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

자성박막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 FF77-XRUXSi15Ga8의 조성식을 갖는 합금에서 x값의 변화에 따른 포화자속밀도값의 변화를 나타낸 그래프.
제2도는 FF70RU7Si15Ga8의 조성식을 갖는 합금에서 산소함유량의 변화에 따른 비커스경도 값의 변화를 나타낸 그래프.
제3도는 Fe70RU7Si15Ga8의 조성식을 갖는 합금에서 산소함유량의 변화에 따른 유효투자율값의 변화를 나타낸 그래프.

Claims (2)

  1. VTR 또는 DAT 헤드에 사용되는 자성박막에 있어서 Fe, Si, Ga의 3성분계 합금에 Fe의 일부를 Ru로 치환하고 산소를 함유한 것을 특징으로 하는 자성박막.
  2. 제1항에 있어서, 각 성분의 조성범위는 Fe를 30-65atomic %, Si를 8.0-13.0atomic %, Ga를 3.5-7.5atomic %, Ru를 3.0-6.0atomic % 및 산소(O2)를 10-55atomic %로 하는 것을 특징으로 하는 자성박막.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880009082A 1988-07-20 1988-07-20 자성박막 KR960015991B1 (ko)

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