KR910010634A - 건식 처리장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

건식 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 건식처리장치의 제1실시예를 나타내는 개략도
제4도는 본 발명에 따른 건식처리장치의 제2실시예를 나타내는 개략도
제5도는 본 발명에 따른 건식처리장치의 제3실시예를 나타내는 개략도

Claims (25)

  1. 반응가스입구와 배기가스의 출구를 가진 반응실(1)과 저지축전기(7)를 통해각각 교류전원에 연결된 3개 이상의 전극과 각 전극의 표면에 거의 평행인 자계를 발생시키기 위한 하나 또는 복수의 자계(11)를 인가시키기위한 수단과, 인접한 전극 사이의 거리를 인접한 전극간의 공간에서 거의 충돌없이 전자가 이동할 수 있는 정도로 설정하여 구성된 것을 특징으로 하는 건식처리장치
  2. 제1항에 있어서, 상기한 교류전원이 각 전극에 같은 주파수를 가지고, 저지축전기(7)을 통하여 적당한 위상차로 동기의 교류전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 건식처리장치
  3. 제1항에 있어서, 제1군의 전극들(21)과 제2군의 전극들(22)가 상호 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 건식처리장치
  4. 제1항에 있어서, 교류전원이 각 전극에 같은 주파수를 가지고, 거의 같은 위상으로 저기축전기(7)을 통하여 동기로 교류전력을 공급하고, 반응실(1)이 접지된것을 특징으로 하는 건식처리장치
  5. 제1항에 있어서, 인접한 전극간의 거리가 1- 5㎝인 것을 특징으로 하는 건식처리장치
  6. 제1항에 있어서, 반응실(1)은 약 1- 100mTorr또는 그 이하의 압력으로 배기되고, 약 50 - 500gauss의 자계가 발생될 정도로 전류가 자계 인가 수단을 통하는 것을 특징으로 하는 건식처리장치.
  7. 제1항에 있어서 인접한 전극간의 거리가 10- 30㎜이고, 반응실(1)내의 압력이 약 10mTbrr이하 인것을 특징으로 하는 건식처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 교류전원이 한조의 제1교류전원과 제2교류전원으로 구성되고, 상기한 건식처리장치는 또한 제1교류전원과 제2교류전원 사이에 삽입된 이상기로 구성되고, 제1군의 전극(21)은 제1저지축전기(7)을 통하여 제1교류전원에 접속되고, 제2군의 전극(22)는 제2저지축전기(7)을 통하여 제2교류전원에 접속된 것을 특징으로 하는 건식처리장치
  9. 제2항에 있어서, 상기한 위상차가 0°± 40°의 범위 내인것을 특징으로 하는 건식처리장치
  10. 제2항에 있어서, 위상차가 180°±°의 범위인 것을 특징으로 하는 건식처리 장치
  11. 제1항에 있어서 ,각 전극은 각각 상호 같은 면적을 갖고, 인접하는 전극사이의 각각의 거리는 상호 같은 것을 특징으로 하는 건식처리장치
  12. 반응가스의 입구와 배기가스의 출구를 가진 반응실(1)과 전력 분배장치를 통하여 각각 교류전원에 접속된 3개 이상의 전극과 각 전극 (21)(22)의표면에 거의 평행인 자계
    (11)을 발생시키기 위한 하나 또는 복수의 자계인가수단과, 인접한 전극사이의 거리가 인접한 전극 사이의 공간에서 전자가 거의 충돌없이 이동할 수있는 정도로 설정되어 구성된 것을 특징으로 하는 건식처리장치.
  13. 제12항에 있어서, 교류전원은 적당한 위상차로서 전력분장치를 통하여 각 전극에 같은 주파수를 가진 교류전력을 동기로 공급하는 것을 특징으로하는 건식처리장치.
  14. 제 12항에 있어서, 교류전원은 거의 같은 위상으로서 전력분배 장치를 통하여 각 전극에 같은 주파수를 가진 교류전력을 동기로 공급하고, 반응실(1)은 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 건식처리장치
  15. 제12항에 있어서, 인접한 전극사이의 거리가 1-5㎝인 것을 특징으로 하는 건식처리장치.
  16. 제12항에 있어서, 반응실(1)은 약 1-100mTorr또는 그 이하의 압력으로 배기되고 약 50-500gauss의 자계(11)을 발생시킬 수 있는 정도의 전류가 자계인가 수단을 통하는 것을 특징으로 하는 건식처리장치.
  17. 제12항에 있어서, 인접한 전극사이의 거리가 10-30㎜이고, 반응실(1)내부의 압력이 약 10mTbrr이하인 것을 특징으로 하는 건식처리장치.
  18. 제13항에 있어서, 위상차가 0°±40°의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 건식처리장치
  19. 제13항에 있어서, 위상차가 180°±40°의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 건식처리장치
  20. 제12항에 있어서, 각 전극은 각각 상호 같은 면적을 갖고 인접한 전극 사이의 각 거리는 상호 같은 것을 특징으로 하는 건식처리장치
  21. 반응가스의 입구와 배기가스의 배출구를 가진 반응실(1)과 상기 한 반응실(1)은 직류전원의 양극쪽에 접속되어 접지되어 있고, 3개 이상의 전극이 각각 직류전원의 음극쪽에 접속되어 있고, 각 전극의 표면에 거의 평행인 자계(11)을 발생시키기 위한 하나 또는 복수이 자계인가 수단과 인접한 전극사이의 공간에서 전자가 거의 충돌없이 이동할 수 있는 정도로 인접한 전극 사이의 거리를 설정하여 구성한 것을 특징으로 하는 건식처리장치.
  22. 제21항에 있어서, 인접한 전극사이의 거리가 1-5㎝인 것을 특징으로 하는 건식처리장치.
  23. 제21항에 있어서 반응실(1)은 영 1-100mTorr또는 그 이하의 압력으로 배기되고, 약 50-500gauss의 자계를 발생시킬 수 있을 정도로 자계인가수단에 전류가 통하는 것을 특징으로 하는 건식처리장치.
  24. 제21항에 있어서, 인접하 전극 사이의 거리가 10-30㎜이고, 반응실(1) 내부의 압력이 약10mTorr이하인 것을 특징으로 하는 건식처리장치.
  25. 제23항에 있어서. 각 전극은 각각 상호 같은 면적을 갖고, 인접한 전극사이의 각각의 거리가 상호 같은 것을 특징으로 하는 건식처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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