KR910008940A - 기준 전류 회로 - Google Patents

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KR910008940A
KR910008940A KR1019890015366A KR890015366A KR910008940A KR 910008940 A KR910008940 A KR 910008940A KR 1019890015366 A KR1019890015366 A KR 1019890015366A KR 890015366 A KR890015366 A KR 890015366A KR 910008940 A KR910008940 A KR 910008940A
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mos transistor
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KR1019890015366A
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백우현
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

기준 전류 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 기준 전류 회로도.
제3도는 본 발명과 종래 기술과의 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.

Claims (1)

  1. P채널 모스 트랜지스터(M1)(M2)와 N채널 모스 트랜지스터(M3)(M4)를 상호 접속시킨 회로에 있어서, 상기 P채널 모스 트랜지스(M1)의 소오스와 공급전압(VDD)단자 사이에 N채널 모스 트랜지스터(M6)의 게이트와 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 에미터 및 P채널 모스 트랜지스터(M5)의 소오스를 공통 접속하여 P채널 모스 트랜지스터(M5)의 게이트와 드레인을 트랜지스터(Q1)의 베이스에 접속함과 아울러 저항(R2)을 통하는 N채널 모스 트랜지스터(M6)의 드레인에 접속하고, 상기 N채널 모스 트랜지스터(M6)의 벌크와 소오스를 공통 접속하여 트랜지스터(Q1)의 에미터와 N채널 모스 트랜지스터(M7)의 드레인에 접속하며, 이 N채널 모스 트랜지스터(M7)의 게이트를 상기 N채널 트랜지스터(M3)의 게이트와 드레인에 공통 접속함고 아울러 소오스를 접지하여서 구성된 기준전류 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890015366A 1989-10-25 1989-10-25 기준 전류 회로 KR0135173B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100802650B1 (ko) * 2006-08-18 2008-02-14 김우식 옻칠을 이용한 표면 처리 방법

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