KR910001939A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

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KR910001939A
KR910001939A KR1019900009052A KR900009052A KR910001939A KR 910001939 A KR910001939 A KR 910001939A KR 1019900009052 A KR1019900009052 A KR 1019900009052A KR 900009052 A KR900009052 A KR 900009052A KR 910001939 A KR910001939 A KR 910001939A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
well region
separation groove
integrated circuit
memory cell
depth
Prior art date
Application number
KR1019900009052A
Other languages
English (en)
Inventor
요시아끼 가미가끼
신이찌 미나미
가즈노리 후루사와
요시후미 가와모또
쇼지 슈꾸리
마사아끼 데라사와
야스노리 이께다
히데후미 무꼬다
Original Assignee
미다 가쓰시게
가부시키가이샤 히다찌세이가꾸쇼
오노 미노루
히다찌초엘에스아이엔지니어링
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Filing date
Publication date
Application filed by 미다 가쓰시게, 가부시키가이샤 히다찌세이가꾸쇼, 오노 미노루, 히다찌초엘에스아이엔지니어링 filed Critical 미다 가쓰시게
Publication of KR910001939A publication Critical patent/KR910001939A/ko

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/40—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the peripheral circuit region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 직접회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예인 반도체 직접회로 장치의 구성을 도시한 평면도.
제2도는 제1도의 A-A′선의 단면을 도시한 단면도.
제3도는 제1도의 B-B′선의 단면을 도시한 단면도.

Claims (12)

  1. 반도체 기판(13)에 마련된 제1의 웰영역(1)을 그표면에서 깊이 방향으로 연장한 분리용 홈((2-1)~(2-(n+1))으로 분할해서 얻어진 여러개의 동일 도전형의 제2의 웰영역((1-l)(1-l)~(1-N)(1-R))을 갖고, 상기 분리용 홈은 교차부를 갖지 않으며, 또한 상기 분리용 홈의 반도체 기판면에서 기판의 깊이 방향으로 연장한 양단은 상기 분리용 홈이 속하는 제1의 웰영역 밖으로 도달하고 있는 반도체 직접회로 장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 분리용 홈의 깊이는 상기 제1의 웰영역의 깊이보다 깊고, 상기 제1의 웰영역 밖으로 도달하고 있는 반도체 집적회로 장치.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 분리용 홈은 상기 반도체 기판과 평행한 단면에서 직선형상을 이루고, 상기 직선형상 부분의 길이가 상기 직선형상 부분의 방향에서의 상기 제1의 웰영역의 폭보다 큰 반도체 집적회로 장치.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 분리용 홈내에 폴리실리콘 또는 절연물을 충전하고 있는 반도체 직접회로 장치.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 분리용 홈의 측벽이 85°이하의 경사각으로 경사지고 있는 반도체 직접회로 장치.
  6. 반도체 기판에 마련된 제1의 웰영역을 그 표면에서 깊이 방향으로 연장한 분리용 홈에 의해 분할해서 얻어진 여러개의 동일 도전형의 제2의 웰영역을 작고, 상기 분리용 홈은 상기 반도체 기판면에서 평행한 직선형상을 이루며, 또한 상기 홈내의 모든 끝부분은 상기 제1의 웰영역밖으로 도달하고 있는 반도체 집적회로 장치.
  7. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 라이트된 정보를 전기적으로 소걸할 수 있는 메모리 셀이 상기 여러개의 제2의 웰영역내의 적어도 일부에 형성되어 있는 반도체 집적회로 장치.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 메모리셀이 형성된 제2의 웰영역에 인접하는 상기 웰영역과 동일도전형의 제2의 웰영역위에 상기 메모리셀을 구동하기 위한 주변회로가 형성된 반도체 직접회로장치.
  9. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 제2의 웰영역에 형성된 메모리 셀은 리라이트의 비트수 단위를 포함하는 반도체 집적회로 장치.
  10. 반도체 기판의 웰영역에 메모리 셀군 및 상기 웰영역에 형성된 메모리 셀군을 일정한 단위로 리라이트, 리드를 실행하기 위한 주변회로를 갖는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 메모리셀군은 평면 방향으로 일정한 폭 및 길이의 수직방향으로 일정한 깊이를 갖는 제1의 웰영역을 여러개의 직선형상의 분리용 홈에 의해 분리한 제2의 웰영역에 형성되고, 상기 직선형상의 분리용 홈은 상기 제1의 웰영역의 폭방향으로 상기 일정한 폭보다 긴 길이를 갖고, 수직방향으로 상기 일정한 깊이보다 깊은 깊이를 갖는 홈으로 형성된 반도체 메모리 장치.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 주변회로가 상기 분리홈 끝부분 근방에 형성될때 상기 주변회로가 상기 제2의 웰영역의 도전형과 다른 도전형 웰영역에 형성된 반도체 메모리장치.
  12. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 제2의 웰영역의 워드선에 접속되는 메모리 셀의 수는 상기 리라이트 및 리드의 일정 단위수로 설정된 반포체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900009052A 1989-06-22 1990-06-20 반도체 집적회로 장치 KR910001939A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1-158190 1989-06-22
JP1158190A JPH0324762A (ja) 1989-06-22 1989-06-22 半導体集積回路装置

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KR910001939A true KR910001939A (ko) 1991-01-31

Family

ID=15666233

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KR1019900009052A KR910001939A (ko) 1989-06-22 1990-06-20 반도체 집적회로 장치

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US (1) US5038193A (ko)
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JPH0324762A (ja) 1991-02-01
US5038193A (en) 1991-08-06

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