KR900019254A - 고속용 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)내지 (사)는 본 발명 고속용 바이폴라 트랜지스터의 제조에 대한 공정도.
Claims (1)
- P판(11)위에 SiO2층(12)을 형성한 후 비등방성 실리콘 에칭을 수행하여 V홈을 형성하고, 제1에피텍셜층(13)을 형성한후 n+이온주입으로 매입층을 형성하고, n형으로 제2에피텍셜층(14)을 형성하는 것을 특징으로 하는 고속용 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890007480A KR900019254A (ko) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 고속용 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890007480A KR900019254A (ko) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 고속용 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900019254A true KR900019254A (ko) | 1990-12-24 |
Family
ID=67840485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890007480A KR900019254A (ko) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 고속용 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900019254A (ko) |
-
1989
- 1989-05-31 KR KR1019890007480A patent/KR900019254A/ko not_active Application Discontinuation
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