KR900019027A - 불휘발성 반도체 기억장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 기억장치 Download PDF

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KR900019027A KR1019890006817A KR890006817A KR900019027A KR 900019027 A KR900019027 A KR 900019027A KR 1019890006817 A KR1019890006817 A KR 1019890006817A KR 890006817 A KR890006817 A KR 890006817A KR 900019027 A KR900019027 A KR 900019027A
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다까아끼 하기와라
신지 나베따니
다다시 무또
순이찌 사에끼
야스로 구보따
가즈또 이자와
요시아끼 가미가끼
신이찌 미나미
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가부시끼가이샤 히다찌세이샤꾸쇼
오노 미노루
히다찌초엘에스 아이엔지니어링 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

불휘발성 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 EPROM의 1실시예를 도시한 주요부 회로도,
제2도는 제1도에 도시된 EPROM에서의 라이트계의 회로의 구체적인 1실시예를 도시한 회로도,
제5도는 본 발명이 적용된 EPROM의 1실시예를 도시한 주요부 회로도.

Claims (16)

  1. 공급된 전압에 따른 전하를 유지하는 불휘발성 기억소자, 외부단자, 상기 외부단자와 불휘발성 기억소자에 결합되고, 상기 외부단자를 거쳐서 공급되는 신호에 응답해서 상기 불휘발성 기억소자에 전압을 공급하는 라이트수단 및 상기 라이트수단에 결합되고, 상기 불휘발성 기억소자에 전압이 공급되고 나서 소정시간후 상기 불휘발성 기억소자에 상기 라이트수단에서 전압이 공급되는 것을 금지하는 수단을 포함하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 불휘발성 기억소자는 콘트롤 게이트와 플로팅 게이트를 갖는 트랜지스터에 의해 구성되어 있는 불휘발성 반도체 기억장치.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 라이트수단은 상기 외부단자에 결합된 타이밍 제어회로와 상기 타이밍 제어회로에 결합된 라이트회로를 갖는 불휘발성 반도체 기억장치.
  4. 전압이 인가되는 것에 의해 그 임계값 전압이 변화하는 불휘발성 기억 트랜지스터, 상기 불휘발성 기억 트랜지스터에 전압을 인가하기 위한 소거수단 및 상기 소거수단에 의해서 상기 불휘발성 기억 트랜지스터에 전압을 인가했을때의 상기 불휘발성 기억 트랜지스터의 임계값 전압을 검출하는 검출수단을 포함하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 검출수단은 상기 불휘발성 기억 트랜지스터를 흐르는 전류를 검출하는 검출회로를 갖는 불휘발성 반도체 기억장치.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 또 상기 검출회로와 상기 소거수단에 결합되고, 상기 검출회로의 검출출력에 따라 상기 소거수단의 동작을 제어하는 제어수단을 포함하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  7. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 불휘발성 기억 트랜지스터는 콘트롤 게이트와 플로팅 게이트를 갖는 불휘발성 반도체 기억장치.
  8. 공급되는 전압에 따라 그 임계값 전압이 변화하는 불휘발성 기억소자, 외부단자 및 상기 외부단자와 불휘발성 기억소자와 결합되고, 상기 외부단자에 공급되는 제어신호에 따라 상기 불휘발성 기억소자에 전압을 공급하는 수단을 갖는 불휘발성 반도체 기억장치에 있어서, 상기 외부단자에 공급되는 제어신호와는 관계없이 상기 전압이 상기 불휘발성 기억소자에 공급되는 것을 금지하는 수단을 포함하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 불휘발성 기억소자는 플로팅 게이트와 콘트롤 게이트를 갖는 트랜지스터를 포함하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  10. 각각 콘트롤 게이트와 플로팅 게이트를 갖는 여러개의 불휘발성 기억소자와 매트릭스 형상으로 배치된 메모리 셀어레이를 포함하고, 상기 불휘발성 기억소자의 플로팅 게이트에 대해서 전기적으로 전하를 주입하는 라이트동작을 행할 수 있는 불휘발성 반도체 기억장치에 있어서, 타이머수단과 상기 타이머수단에 설정된 시간을 한도로 해서 상기 라이트동작의 시간을 제한하는 수단을 포함하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 불휘발성 기억소자의 각각은 드레인에서 플로팅 게이트에 전하를 애벌랜치 주입하는 것에 의해 데이타의 라이트가 행해지고, 소오스측에 터널현상에 의해 전하를 인출하는 것으로 데이타의 소거가 행해지는 트랜지스터를 갖는 불휘발성 반도체 기억장치.
  12. 각각 콘트롤 게이트와 플로팅 게이트를 갖는 여러개의 불휘발성 기억소자가 매트릭스 형상으로 배치된 메모리 셀어레이를 포함하고, 상기 불휘발성 기억소자의 플로팅 게이트에 대해서 전기적으로 전하를 주입하는 라이트동작과 상기 플로팅 게이트에 축적된 전하를 전기적으로 인출하는 소거동작을 행할 수 있는 불휘발성 반도체 기억장치에 있어서, 타이머수단과 상기 타이머수단에 설정한 시간을 한도로 해서 상기 라이트동작시간 또는 소거동작시간을 제한하는 수단을 포함하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  13. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 불휘발성 기억소자의 각각은 드레인에서 플로팅 게이트에 전하를 애벌랜치 주입하는 것에 의해 데이타의 라이트가 행해지고, 소오스측에 터널현상에 의해 전하를 인출하는 것으로 데이타의 소거가 행해지는 트랜지스터를 갖는 불휘발성 반도체 기억장치.
  14. 각각 플로팅 게이트를 마련한 여러개의 불휘발성 기억소자, 상기 여러개의 각 불휘발성 기억소자가 결합된 소오스선, 상기 소오스선에 소거전압을 부여하기 위한 스위치 수단 및 상기 여러개의 불휘발성 기억소자중 적어도 유지되어 있는 데이타의 소거가 행해지는 불휘발성 기억소자에 흐르는 전류를 검출해서 상기 스위치수단을 OFF상태로 시키는 검출수단을 포함하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  15. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 스위치수단은 스위치 MOSFET를 갖는 불휘발성 반도체 기억장치.
  16. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 검출수단은 불휘발성 기억소자를 흐르는 전류를 검출하는 전류검출회로, 상기 전류검출회로에서의 검출신호를 유지하는 래치회로 및 상기 래치회로의 출력신호를 레벨변환하는 레벨변환회로를 마련한 불휘발성 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890006817A 1988-05-23 1989-05-22 불휘발성 반도체 기억장치 KR900019027A (ko)

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