KR900017438A - 박막 el소자의 제조방법 및 구조 - Google Patents

박막 el소자의 제조방법 및 구조 Download PDF

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KR900017438A
KR900017438A KR1019890005673A KR890005673A KR900017438A KR 900017438 A KR900017438 A KR 900017438A KR 1019890005673 A KR1019890005673 A KR 1019890005673A KR 890005673 A KR890005673 A KR 890005673A KR 900017438 A KR900017438 A KR 900017438A
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정경득
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이헌조
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05B33/00—Electroluminescent light sources

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Abstract

없음

Description

박막 EL소자의 제조방법 및 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도(a)~(d)는 본 발명에 의한 박막 EL소자의 제조공정도.

Claims (2)

  1. 투명기판(1)상에 ITO투명전극(2)을 스퍼터링법으로 형성한 후 광식각법을 이용하여 선에칭하여 ITO투명전극(2)을 형성하는 공정과, 상기 공정 후 실리콘 타겟을 이용하여 리엑티브스퍼터링법으로 제 1 절연층(3)을 형성하는 공정과, 상기 공정 후 형광체(ZnS)에 희토류를 미량 함유하는 발광층(4)을 전자빔 증착법 또는 스퍼터링법으로 증착하는 공정과, 상기 공정 후 흑화막(PrMnO3)(5)을 증착한 후 스핀코터를 이용하여 포토레지스터막(PR)을 코팅하고 노광 후 포토레지스터막(PR)을 원하는 형상으로 현상한 후 스퍼터를 이용하여 스퍼터 에칭으로 발광층(4)과 산화막(5)을 에칭하는 공정과, 상기 공정 후 흑화막(5')을 발광층(4)과 흑화막(5)의 두께 만큼 다시 증착하는 공정과, 상기 공정 후 포토레지스터막(PR)을 제거하고 제 2 절연층(6)을 실리콘 타겟을 이용하여 레엑티브 스퍼터링법으로 증착하는 공정 및 상기 공정 후 제 2 절연층(6)위에 Al전극(7)을 열증착 또는 스퍼터링법으로 증착한 후 ITO투명전극(2)과 수직이 되도록 광식각법을 이용하여 Al전극(7)을 선에칭하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특특징으로 하는 박막 EL소자의 제조방법.
  2. 투명기판(1)상에 스퍼터링법으로 형성한후 광식각법을 이용 선에칭하여 형성한 ITO투명전극(2)과, 상기 ITO투명전극(2)상에 실리콘 타겟을 이용하여 리액티브 스퍼터링법으로 형성된 제1절연층(3)과, 상기 제1절연층(3)상에 전자빔 증착법 또는 스퍼터링법으로 증착된 발광층(4)과, 이 발광층(4)상에 증착하여 형성한 흑화막(5)과, 상기의 발광층(4)과 흑화막(5)의 스퍼터 에칭부분에 다시 증착된 흑화막(5')과, 상기의 흑화막(5, 5')상에실리콘 타겟을 이용하여 리액티브 스퍼터링법으로 증착형성한 제 2 절연층(6)과, 상기 제2절연층(6)상에 열증착또는 스퍼터링으로 증착한 후 ITO투명전극(2)과 수직이 되도록 광식각법을 이용 선에칭하여 형성한 Al전극(7)을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막 EL소자의 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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