JPS61113285A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
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- JPS61113285A JPS61113285A JP59235583A JP23558384A JPS61113285A JP S61113285 A JPS61113285 A JP S61113285A JP 59235583 A JP59235583 A JP 59235583A JP 23558384 A JP23558384 A JP 23558384A JP S61113285 A JPS61113285 A JP S61113285A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、透明絶縁基板上に積層された透明導電膜、半
導体薄膜、金属電極膜からなる領域の複数が形成され、
各領域が相互に接続される光起電力素子の製造方法に関
する。
導体薄膜、金属電極膜からなる領域の複数が形成され、
各領域が相互に接続される光起電力素子の製造方法に関
する。
複数領域からなる光起電力素子の製造の際、透明導電膜
、半導体薄膜、金属電極膜のパターンを形成するために
は、通常それらの膜を全面に被着したのち、それぞれス
クリーン印刷あるいはフォトプロセスによりレジストの
パターンを設け、エツチングしてパターニングする。し
かし、透明導電膜のパターンを形成し、その上に例えば
アモルファスシリコン膜のような半導体薄膜（以下ａ−
５ｉ膜と記す）を成長させエツチングによりパターニン
グする場合、あろいはａ−３ｔ膜のパターンの上にさら
に金属電極膜を蒸着、積層してエツチングによりパター
ニングする場合、ａ −５Ｌ膜または金属電極膜の膜厚
や膜質のばらつきが大きいときにはエツチング時間が長
くなり、エツチング液のガスや湿式金属エツチング時に
発生する水素により透明導電膜が還元あるいは腐食され
る現象が起こりやすい。
、半導体薄膜、金属電極膜のパターンを形成するために
は、通常それらの膜を全面に被着したのち、それぞれス
クリーン印刷あるいはフォトプロセスによりレジストの
パターンを設け、エツチングしてパターニングする。し
かし、透明導電膜のパターンを形成し、その上に例えば
アモルファスシリコン膜のような半導体薄膜（以下ａ−
５ｉ膜と記す）を成長させエツチングによりパターニン
グする場合、あろいはａ−３ｔ膜のパターンの上にさら
に金属電極膜を蒸着、積層してエツチングによりパター
ニングする場合、ａ −５Ｌ膜または金属電極膜の膜厚
や膜質のばらつきが大きいときにはエツチング時間が長
くなり、エツチング液のガスや湿式金属エツチング時に
発生する水素により透明導電膜が還元あるいは腐食され
る現象が起こりやすい。
本発明は、このような長いエツチング時間のために起こ
る透明導電膜の損傷を防止できる光起電力素子の製造方
法を提供することを目的とする。
る透明導電膜の損傷を防止できる光起電力素子の製造方
法を提供することを目的とする。
本発明によれば、ａ −Ｓｔ＠あるいは金属電極膜の領
域形成の際ａ −３１膜なるいは金属電極膜をそれぞれ
マスクを用いて所定の領域よりやや大きい領域に選択的
に被着したのち、所定の領域を露出させてレジスト膜を
被着し、エツチングすることによってそれぞれ選択エツ
チング時間を短くすることができ、上記の百的が達成さ
れる。
域形成の際ａ −３１膜なるいは金属電極膜をそれぞれ
マスクを用いて所定の領域よりやや大きい領域に選択的
に被着したのち、所定の領域を露出させてレジスト膜を
被着し、エツチングすることによってそれぞれ選択エツ
チング時間を短くすることができ、上記の百的が達成さ
れる。
第１図ｆａｔ〜（ｆｌは本発明の一実施例を示し、ａ図
に示すようにガラスあるいはボリミイド樹脂などからな
る透明絶縁基板１の上に１ＴｏまたはＳｎＯ雪の様な透
明導電材料からなる膜２の複数の領域をマスクを用いた
選択蒸着あるいは全面蒸着後、スクリーン印刷あるいは
フォトプロセスによる選択エツチングにより部分的に形
成する０次いでｂ図に示すようにａ−３Ｌ膜３の複数の
領域をマスクを用いて選択成長させる。０図においては
ａ −５ｔ膜３の縁部３１をスクリーン印刷またはフォ
トプロセスによるレジスト被覆により選択エツチングし
、所定のａ−５ｌ膜パターンを形成する０次いでｄ図に
示すようにａ−３ｌ膜３を覆うように金属電極膜４の複
数領域をマスクを用いて選択蒸着する。さらに０図に示
すように金属電極膜４の縁部４１をスクリーン印刷また
はフォトプロセスによるレジスト被覆により選択エツチ
ングして所定の金属電極パターンを形成し、ｆ図に示す
ようにその上を樹脂保護層５で被覆する。ａ−５ｉｌｌ
の選択成長の場合はパターンの寸法精度が±０．５−で
あるから、ｂｒＪ！Ｊニ＃＋ｔ４ ａ−５１ＷＸ３は所
定（Ｄパター７より０゜５１以上だけ張り出した寸法の
マスクを用いて選択成長させる。また金属膜の選択蒸着
の場合はパターンの寸法精度が±０．３−であるから、
ｄ図における金属電極膜４は所定のパターンより０．３
ｍ−以上だけ張り出した寸法のマスクを用いて選択蒸着
する。しかしいずれの場合も余裕寸法ができるだけ小さ
い方が選択エツチングの時間を短くする上に有効である
。 【発明の効果］ 本発明は、透明絶縁基板上に形成された複数の透明！極
の上にａ −Ｓｉ膜および金属電極膜を積層しそれぞれ
パターニングする際に、マスクをもちいて膜を選択被着
の後スクリーン印刷またはフォトプロセスによって被覆
されたレジスト膜の開口部のエツチングを併用すること
によりエツチング時間を短縮し、エツチング液ガスある
いは金属エツチング時に発生する水素による透明導電膜
の還元、腐食を未然に防止できる効果が生ずる。
に示すようにガラスあるいはボリミイド樹脂などからな
る透明絶縁基板１の上に１ＴｏまたはＳｎＯ雪の様な透
明導電材料からなる膜２の複数の領域をマスクを用いた
選択蒸着あるいは全面蒸着後、スクリーン印刷あるいは
フォトプロセスによる選択エツチングにより部分的に形
成する０次いでｂ図に示すようにａ−３Ｌ膜３の複数の
領域をマスクを用いて選択成長させる。０図においては
ａ −５ｔ膜３の縁部３１をスクリーン印刷またはフォ
トプロセスによるレジスト被覆により選択エツチングし
、所定のａ−５ｌ膜パターンを形成する０次いでｄ図に
示すようにａ−３ｌ膜３を覆うように金属電極膜４の複
数領域をマスクを用いて選択蒸着する。さらに０図に示
すように金属電極膜４の縁部４１をスクリーン印刷また
はフォトプロセスによるレジスト被覆により選択エツチ
ングして所定の金属電極パターンを形成し、ｆ図に示す
ようにその上を樹脂保護層５で被覆する。ａ−５ｉｌｌ
の選択成長の場合はパターンの寸法精度が±０．５−で
あるから、ｂｒＪ！Ｊニ＃＋ｔ４ ａ−５１ＷＸ３は所
定（Ｄパター７より０゜５１以上だけ張り出した寸法の
マスクを用いて選択成長させる。また金属膜の選択蒸着
の場合はパターンの寸法精度が±０．３−であるから、
ｄ図における金属電極膜４は所定のパターンより０．３
ｍ−以上だけ張り出した寸法のマスクを用いて選択蒸着
する。しかしいずれの場合も余裕寸法ができるだけ小さ
い方が選択エツチングの時間を短くする上に有効である
。 【発明の効果］ 本発明は、透明絶縁基板上に形成された複数の透明！極
の上にａ −Ｓｉ膜および金属電極膜を積層しそれぞれ
パターニングする際に、マスクをもちいて膜を選択被着
の後スクリーン印刷またはフォトプロセスによって被覆
されたレジスト膜の開口部のエツチングを併用すること
によりエツチング時間を短縮し、エツチング液ガスある
いは金属エツチング時に発生する水素による透明導電膜
の還元、腐食を未然に防止できる効果が生ずる。
第１図は本発明による光起電力素子の製造工程を順に示
す要部断面図である。 ｌ：透明絶縁基板、２：透明導電膜、３：ａ−３ｌ膜、
４：金属電極膜、３１，４１ ：エッチング部。 第１図
す要部断面図である。 ｌ：透明絶縁基板、２：透明導電膜、３：ａ−３ｌ膜、
４：金属電極膜、３１，４１ ：エッチング部。 第１図
Claims (1)
- １）透明絶縁基板上に積層された透明導電膜、半導体薄
膜、金属電極膜からなる複数の領域を有し、各領域が相
互に接続された光起電力素子の製造方法において、半導
体薄膜あるいは金属電極膜の領域形成の際半導体薄膜あ
るいは金属電極膜をそれぞれマスクを用いて所定の領域
よりやや大きい領域に選択的に被着したのち、所定の領
域を露出させてレジスト膜を被着し、それぞれ選択エッ
チングすることを特徴とする光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235583A JPS61113285A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235583A JPS61113285A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113285A true JPS61113285A (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=16988142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59235583A Pending JPS61113285A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223924A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 表示パネルの製造方法 |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP59235583A patent/JPS61113285A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223924A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 表示パネルの製造方法 |
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