JPH06151062A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH06151062A JPH06151062A JP30264692A JP30264692A JPH06151062A JP H06151062 A JPH06151062 A JP H06151062A JP 30264692 A JP30264692 A JP 30264692A JP 30264692 A JP30264692 A JP 30264692A JP H06151062 A JPH06151062 A JP H06151062A
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- Japan
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- light emitting
- upper electrode
- resist
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 大容量表示が可能な電極パターンを有する有
機発光素子を提供する。 【構成】 電極間に少なくとも有機発光層１４を有する
発光素子において、上部電極層１５上にドライフィルム
レジスト１６をラミネートした後選択露光し、アルカリ
水溶液で現像してから電極層をエッチングすることによ
りパターンニングすることで、上部電極を形成できる。
機発光素子を提供する。 【構成】 電極間に少なくとも有機発光層１４を有する
発光素子において、上部電極層１５上にドライフィルム
レジスト１６をラミネートした後選択露光し、アルカリ
水溶液で現像してから電極層をエッチングすることによ
りパターンニングすることで、上部電極を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示素子に利用可能な
有機発光物質を用いた発光素子に関する。
有機発光物質を用いた発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の有機発光物質を用いた発光素子と
しては、単層または、正孔注入層や電子注入層を有する
多層構造の素子が知られている（特公昭６４−７６３
５、特開昭６３−２９５６９５など）。発光層、正孔注
入層、電子注入層の各有機層は、真空蒸着やスピンコー
ティングにより１０００オングストローム程度の厚さの
均一な薄膜で形成されている。電極は基板側にＩＴＯや
酸化スズ等の透明電極を用い、有機層上にはインジウム
やマグネシウム−銀合金等の金属電極を真空蒸着により
形成している。直流１０ボルト程度の駆動電圧で、１０
００cd／m2以上の発光輝度が得られている。
しては、単層または、正孔注入層や電子注入層を有する
多層構造の素子が知られている（特公昭６４−７６３
５、特開昭６３−２９５６９５など）。発光層、正孔注
入層、電子注入層の各有機層は、真空蒸着やスピンコー
ティングにより１０００オングストローム程度の厚さの
均一な薄膜で形成されている。電極は基板側にＩＴＯや
酸化スズ等の透明電極を用い、有機層上にはインジウム
やマグネシウム−銀合金等の金属電極を真空蒸着により
形成している。直流１０ボルト程度の駆動電圧で、１０
００cd／m2以上の発光輝度が得られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしこのように作成
した発光素子は、有機層が通常のレジストを用いたフォ
トエッチングプロセスに耐えないため、大容量表示を行
なうための電極のパターン形成ができなという課題があ
った。
した発光素子は、有機層が通常のレジストを用いたフォ
トエッチングプロセスに耐えないため、大容量表示を行
なうための電極のパターン形成ができなという課題があ
った。
【０００４】本発明は前記課題を解決するためのもので
あり、大容量表示が可能な電極パターンを有する発光素
子の製造方法を提供することを目的とする。
あり、大容量表示が可能な電極パターンを有する発光素
子の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、電極間に少
なくとも有機発光層を有する発光素子において、上部電
極層上にドライフィルムレジストをラミネートした後選
択露光し、アルカリ水溶液で現像してから電極層をエッ
チングすることによりパターンニングすることで、上部
電極を形成でき達成される。
なくとも有機発光層を有する発光素子において、上部電
極層上にドライフィルムレジストをラミネートした後選
択露光し、アルカリ水溶液で現像してから電極層をエッ
チングすることによりパターンニングすることで、上部
電極を形成でき達成される。
【０００６】
【作用】感光性ドライフィルムレジストには、溶剤現像
タイプと弱アルカリタイプがあり、解像力、密着力の高
いフォトポリマーである。加熱してのラミネートで上部
電極層上にレジスト層を形成でき、主にアンカー効果で
密着しているため、電極層の下にある有機層を犯すこと
はない。また、弱アルカリタイプを用いることにより、
現像する工程においても有機層を犯すことはない。更に
素子構成上、レジストが残っていても支障ないため、剥
離工程を割愛できる。
タイプと弱アルカリタイプがあり、解像力、密着力の高
いフォトポリマーである。加熱してのラミネートで上部
電極層上にレジスト層を形成でき、主にアンカー効果で
密着しているため、電極層の下にある有機層を犯すこと
はない。また、弱アルカリタイプを用いることにより、
現像する工程においても有機層を犯すことはない。更に
素子構成上、レジストが残っていても支障ないため、剥
離工程を割愛できる。
【０００７】有機発光層は加熱、発熱で結晶化が進み、
発光特性が劣化してしまうことが知られている。感光性
ドライフィルムレジストは最初からフィルム化している
ために、焼成工程が不用で、素子特性上からも有利なプ
ロセスとなる。
発光特性が劣化してしまうことが知られている。感光性
ドライフィルムレジストは最初からフィルム化している
ために、焼成工程が不用で、素子特性上からも有利なプ
ロセスとなる。
【０００８】微細化は３０μｍ程度までは十分可能で、
表示特性としては全く問題がない。また、フィルム幅は
６０ｃｍまで市販されており、大面積化も、多数個取り
の工程合理化においても全く問題がない。
表示特性としては全く問題がない。また、フィルム幅は
６０ｃｍまで市販されており、大面積化も、多数個取り
の工程合理化においても全く問題がない。
【０００９】
（実施例１）図１は本実施例における製造工程を模式的
に示す発光素子の断面図である。基板としては、表面を
光学研磨したパイレックスガラス１１を用い、ＩＴＯの
導電体膜をスパッターもしくは蒸着で形成し、フォトエ
ッチングによって１００μｍ幅にパターンを形成して下
部電極１２とした。この基板上に、１０００Åの膜厚と
なるようにオキサジアゾール誘導体を蒸着し、正孔注入
層１３とした。その上にアントラセンを真空蒸着によ
り、５００Åの膜厚で形成し発光層１４とした。ここで
は発光物質としてアントラセンを用いたが、ピレン、ベ
ンズアントラセン、ペリレン、テトラセン、ナフタセ
ン、コロネン、クマリン、シクロペンタジエン、キノリ
ン、及びこれら有機発光物質の誘導体などが同様に利用
できる。次にインジウム層を蒸着で形成し、上部電極層
１５とした。ここまでの積層構造を図１（ａ）に示す。
に示す発光素子の断面図である。基板としては、表面を
光学研磨したパイレックスガラス１１を用い、ＩＴＯの
導電体膜をスパッターもしくは蒸着で形成し、フォトエ
ッチングによって１００μｍ幅にパターンを形成して下
部電極１２とした。この基板上に、１０００Åの膜厚と
なるようにオキサジアゾール誘導体を蒸着し、正孔注入
層１３とした。その上にアントラセンを真空蒸着によ
り、５００Åの膜厚で形成し発光層１４とした。ここで
は発光物質としてアントラセンを用いたが、ピレン、ベ
ンズアントラセン、ペリレン、テトラセン、ナフタセ
ン、コロネン、クマリン、シクロペンタジエン、キノリ
ン、及びこれら有機発光物質の誘導体などが同様に利用
できる。次にインジウム層を蒸着で形成し、上部電極層
１５とした。ここまでの積層構造を図１（ａ）に示す。
【００１０】ドライフィルムレジスト「オーディルＡＰ
−９３８」（東京応化工業社製）を１００℃にて上部電
極層上にラミネートし、３０分保持してレジスト層１６
とした。そして図１（ｂ）に示すように、フォトマスク
を介して紫外線を照射し、選択露光させた。１％の炭酸
ソーダ水溶液を現像液としてスプレー現像し、レジスト
層のパターンニングをした。図１（ｃ）に示す様に、積
層構造に全く変化はなかった。更に塩酸水溶液にて上部
電極層のインジウムをエッチングし、パターンニングす
ることで、上部電極を形成できた。作製した発光素子の
断面図を図１（ｄ）に示す。
−９３８」（東京応化工業社製）を１００℃にて上部電
極層上にラミネートし、３０分保持してレジスト層１６
とした。そして図１（ｂ）に示すように、フォトマスク
を介して紫外線を照射し、選択露光させた。１％の炭酸
ソーダ水溶液を現像液としてスプレー現像し、レジスト
層のパターンニングをした。図１（ｃ）に示す様に、積
層構造に全く変化はなかった。更に塩酸水溶液にて上部
電極層のインジウムをエッチングし、パターンニングす
ることで、上部電極を形成できた。作製した発光素子の
断面図を図１（ｄ）に示す。
【００１１】下部電極と直交するよう３００μｍ幅に上
部電極を形成し、縦４００、横６４０画素からなる大容
量表示が可能な発光素子が得られた。正孔注入層と発光
層は、変質も変形もせず、面内で均一な発光特性が観察
された。４００ラインでの時分割駆動が可能であり、良
好な表示特性を示した。
部電極を形成し、縦４００、横６４０画素からなる大容
量表示が可能な発光素子が得られた。正孔注入層と発光
層は、変質も変形もせず、面内で均一な発光特性が観察
された。４００ラインでの時分割駆動が可能であり、良
好な表示特性を示した。
【００１２】（実施例２）ガラス上に酸化スズ層をＣＶ
Ｄで形成し、フォトエッチングによって５０μｍ幅にパ
ターンを形成して下部電極とした。絶縁体のポリジシク
ロヘキシルフマレートと、正孔注入物質であるトリフェ
ニルアミン誘導体とを共にトルエンに溶解させ、０．５
μｍのフィルターを通して原料溶液とした。基板上に１
２００Åの膜厚となるように回転数と時間を制御して、
スピンコーターで前述の原料溶液を塗布し、正孔注入層
とした。
Ｄで形成し、フォトエッチングによって５０μｍ幅にパ
ターンを形成して下部電極とした。絶縁体のポリジシク
ロヘキシルフマレートと、正孔注入物質であるトリフェ
ニルアミン誘導体とを共にトルエンに溶解させ、０．５
μｍのフィルターを通して原料溶液とした。基板上に１
２００Åの膜厚となるように回転数と時間を制御して、
スピンコーターで前述の原料溶液を塗布し、正孔注入層
とした。
【００１３】その上にキノリンの誘導体を真空蒸着によ
り、８００Åの膜厚で形成し発光層とした。更にフタロ
シアニン誘導体を真空蒸着により、５００Åの膜厚で形
成し電子注入層とした。次にマグネシウム−銀合金から
なる上部電極層を、二元蒸着で形成した。
り、８００Åの膜厚で形成し発光層とした。更にフタロ
シアニン誘導体を真空蒸着により、５００Åの膜厚で形
成し電子注入層とした。次にマグネシウム−銀合金から
なる上部電極層を、二元蒸着で形成した。
【００１４】ドライフィルムレジスト「日合ＡＬＰＨＯ
Ｗ１０５０」（日本合成化学工業社製）を８０℃にて
上部電極層上にラミネートし、３０分保持してレジスト
層とした。そして、フォトマスクを介して紫外線を照射
し、選択露光させた。１．３％の炭酸ソーダ水溶液を現
像液としてスプレー現像し、レジスト層のパターンニン
グをした。更に適当なプラズマにて上部電極層のマグネ
シウム−銀合金をドライエッチングし、パターンニング
することで、上部電極を形成できた。
Ｗ１０５０」（日本合成化学工業社製）を８０℃にて
上部電極層上にラミネートし、３０分保持してレジスト
層とした。そして、フォトマスクを介して紫外線を照射
し、選択露光させた。１．３％の炭酸ソーダ水溶液を現
像液としてスプレー現像し、レジスト層のパターンニン
グをした。更に適当なプラズマにて上部電極層のマグネ
シウム−銀合金をドライエッチングし、パターンニング
することで、上部電極を形成できた。
【００１５】下部電極と直交するよう１００μｍ幅に上
部電極を形成し、縦１０００、横１０００画素の大容量
表示が可能な発光素子が得られた。正孔注入層と発光層
と電子注入層は、変質も変形もせず、面内で均一な発光
特性が観察された。１０００ラインでの時分割駆動が可
能であり、コンピューター端末の高精細表示が可能とな
った。
部電極を形成し、縦１０００、横１０００画素の大容量
表示が可能な発光素子が得られた。正孔注入層と発光層
と電子注入層は、変質も変形もせず、面内で均一な発光
特性が観察された。１０００ラインでの時分割駆動が可
能であり、コンピューター端末の高精細表示が可能とな
った。
【００１６】（実施例３）表面を光学研磨したパイレッ
クスガラス上にＩＴＯの導電体膜をスパッターもしくは
蒸着で形成し、フォトエッチングによって６０μｍ角に
パターンを形成して画素電極とした。更に、各電極毎に
ＭＩＭ（メタル−インシュレーター−メタル）２端子素
子を形成した。この基板上に、ジスチリルアントラセン
誘導体を１０００Åの膜厚となるように真空蒸着により
形成し、発光層とした。次にインジウムを蒸着で形成
し、上部電極層とした。
クスガラス上にＩＴＯの導電体膜をスパッターもしくは
蒸着で形成し、フォトエッチングによって６０μｍ角に
パターンを形成して画素電極とした。更に、各電極毎に
ＭＩＭ（メタル−インシュレーター−メタル）２端子素
子を形成した。この基板上に、ジスチリルアントラセン
誘導体を１０００Åの膜厚となるように真空蒸着により
形成し、発光層とした。次にインジウムを蒸着で形成
し、上部電極層とした。
【００１７】ドライフィルムレジスト「オーディルＡＦ
−７２５」（東京応化工業社製）を８０℃にて上部電極
層上にラミネートし、３０分保持してレジスト層とし
た。そして、フォトマスクを介して紫外線を照射し、選
択露光させた。０．８％の炭酸ソーダ水溶液を現像液と
してスプレー現像し、レジスト層のパターンニングをし
た。更に塩酸水溶液にて上部電極層のインジウムをエッ
チングし、パターンニングすることで、６０μｍ幅の上
部電極を形成できた。縦５００、横５００画素の大容量
表示が可能な発光素子が得られた。
−７２５」（東京応化工業社製）を８０℃にて上部電極
層上にラミネートし、３０分保持してレジスト層とし
た。そして、フォトマスクを介して紫外線を照射し、選
択露光させた。０．８％の炭酸ソーダ水溶液を現像液と
してスプレー現像し、レジスト層のパターンニングをし
た。更に塩酸水溶液にて上部電極層のインジウムをエッ
チングし、パターンニングすることで、６０μｍ幅の上
部電極を形成できた。縦５００、横５００画素の大容量
表示が可能な発光素子が得られた。
【００１８】発光層は変質も変形もせず、面内で均一な
発光特性が観察された。各画素毎のフィールド反転駆動
が可能であり、前述したような高精細化も可能となっ
た。応答速度が非常に高速なため、動画の表示も可能で
あった。
発光特性が観察された。各画素毎のフィールド反転駆動
が可能であり、前述したような高精細化も可能となっ
た。応答速度が非常に高速なため、動画の表示も可能で
あった。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば電極
間に少なくとも有機発光層を有する発光素子において、
上部電極層上にドライフィルムレジストをラミネートし
た後選択露光し、アルカリ水溶液で現像してから電極層
をエッチングすることによりパターンニングすること
で、上部電極を形成でき、大容量表示が可能な電極パタ
ーンを有する発光素子の製造が可能となった。
間に少なくとも有機発光層を有する発光素子において、
上部電極層上にドライフィルムレジストをラミネートし
た後選択露光し、アルカリ水溶液で現像してから電極層
をエッチングすることによりパターンニングすること
で、上部電極を形成でき、大容量表示が可能な電極パタ
ーンを有する発光素子の製造が可能となった。
【図１】 本発明の実施例１における発光素子の製造工
程を、模式的に表す断面図である。
程を、模式的に表す断面図である。
１１‥‥‥‥‥基板ガラス １２‥‥‥‥‥透明電極 １３‥‥‥‥‥正孔注入層 １４‥‥‥‥‥発光層 １５‥‥‥‥‥上部電極 １６‥‥‥‥‥ドライフィルムレジスト １７‥‥‥‥‥フォトマスク
Claims (1)
- 【請求項１】 電極間に少なくとも有機発光層を有する
発光素子において、上部電極層上にドライフィルムレジ
ストをラミネートした後選択露光し、アルカリ水溶液で
現像してから電極層をエッチングすることによりパター
ンニングすることで、上部電極を形成することを特徴と
する発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30264692A JPH06151062A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30264692A JPH06151062A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151062A true JPH06151062A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17911494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30264692A Pending JPH06151062A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151062A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11144865A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Casio Comput Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| KR100606443B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2006-07-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전기발광소자 제조방법 |
-
1992
- 1992-11-12 JP JP30264692A patent/JPH06151062A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11144865A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Casio Comput Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| KR100606443B1 (ko) * | 1999-04-08 | 2006-07-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전기발광소자 제조방법 |
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